冶金法太阳能级多晶硅提纯技术现状与质量分析课件.ppt
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1、Status quo of Metallurgical Purified Solar Grade Poly-Silicon and its Quality Analysis 冶金法太阳能级多晶硅提纯技术现状与质量分析Bradley Shi史珺 上海普罗新能源有限公司ProPower Inc.目 录 Brief Introduction of Metallurgical Purification of SOG冶金法简介 Evolution of Metallurgical Purification of SOG 冶金法的进展 Impurities and its affect to the SO
2、G 太阳能级多晶硅的杂质及其对材料性能的影响 Quality Stability Analysis of Metallurgical Purified SOG 冶金法多晶硅的质量稳定性分析 Technology for Poly-Crystallin Silicon Production多晶硅提纯技术分类 Chemical Routine 化学法 Chemical changes happen to Si in purification process提纯过程中硅发生反应 Physical Routine(Metallurgical Routine)物理法(冶金法)No chemical ch
3、ange happens to Si in purification process 提纯过程中硅不发生反应Chemical Routine 化学法 Chemical changes happen to Si in purification process 硅发生了化学反应 Siemens Routine 西门子法 Modified Siemens Routine 改良西门子法 Mainstream Routine at present 目前的主流工艺 Regular Purity is 9N 常规纯度应可达到9N多晶硅纯度的表示 Substract the content of P,B,an
4、d Metals from 100%用100%扣除磷、硼、金属杂质后的硅的纯度 C,O,N is about 110ppm(无需扣除)含有大约110ppm级的碳、氧、氮等元素e.g.,7N poly silicon,may contain:B:20ppb,P:50ppb,metals:10ppb;and C:1ppm,O:5ppm,N:1ppm(绝对的硅纯度实际为5N)But content of C,O,N could not exceed the limit但C、O、N不能过大。太阳能所需要的多晶硅纯度 Poly silicon with purity higher than 7N cou
5、ld not be made into solar cell directly7N以上的多晶硅无法用来直接作太阳能电池 B or P must be mixed as dopant 须掺入硼或磷 The dopant of B must be about 0.25ppm对太阳能来说,硼的掺杂浓度大约在0.25ppmw i.e.,for solar cell,the purity must down to 6N even using a 11N poly-silicon 也就是说,在生产太阳能电池时,即便采用11N的高纯硅,也必须掺杂降到6N左右。Impurities and Solar eff
6、iciency杂质对光电转换效率的影响Demand of New Technology新工艺的需求 Because impurities must added to high pure poly-silicon from Siemens method,which means energy double waste采用西门子法得出高纯度的硅后,又要掺杂到6N的纯度,意味着能源的双重浪费 Thats why the technology of purifying silicon directly to 6N is being explored all the time 直接生产6N太阳能多晶硅的工
7、艺开始被人们所探索。Metallurgical Routine to purify the poly silicon is the most promising routine 冶金法是被人探索最多,也是目前最被人看好的工艺。Metallurgical(Physical)Routine冶金法(物理法)No chemical change happens to Si in purification process 硅不发生化学反应 Hydro-Metallurgical Routine 湿法冶金法 Powde Metallurgical Routine 粉末冶金法 Vacuum Refinery
8、 真空熔炼法 Energy Beam(Electron,Ionic)Method 能束(电子、离子)法 Directional Solidification 定向凝固 Other Metallurgical Methods 其它冶金法 高纯石英直接熔炼、低温熔体萃取等通常的物理冶金法是采用上述手段的组合来达到对硅提纯的目的。Process of ProPowers MP Routine 普罗的冶金法流程5NPackaging&Delivery包装发货包装发货Chosen MaterialLocal Vacuum精料原则Arc furcace矿热炉矿热炉湿法冶金HydrometallurgyVa
9、cuum RefineryEM StirringEnergy Beam真空精炼及铸锭Pyrochemical高温化学高温化学硅锭加工Crystal StretchingResistivity ScanMinor carrier LTImpurities Test 质量测试QC粉末冶金Powder MetallurgySmelting精炼Slagging 造渣造渣6N5.55.7N3N44.5N4NSlicingCell Manu-factueringMono-Crystal Theoretical basis of MP Routine MP 法SOG 理论基础Mechanics of Dif
10、fusion and Extraction reaction in solid 固体扩散萃取反应机理Analysis and application of Hydrophile and hydrophobe in powder metallurgy 粉末冶金的亲水性和疏水性的分析及应用Research of Segregation on interface between different matters不同物质界面分凝机理研究Mechanism of physical chemical reaction in slagging refinery 造渣精炼的物理化学反应机制Principle
11、 and application of oxygen dispensing in pyro-liquid silicon 液体硅内部高温施氧的原理与应用Research of atomic kinetics on solid-liquid interface activity energy固液界面表面活化能的原子动力学研究Quantum mechanics analysis of atoms in pyroliquid 高温液体原子的量子力学分析Research on segregation in solid-liquid interfaces 液固界面分凝现象和机理研究Mathematic
12、model anlysis of heat field and crystal growth theory 晶体生长理论及各类温场的数学模型分析Researcon existence form and impact of impurities in silicon crystal杂质在硅晶体内部的存在形式和对晶体的影响的研究Formation mechanism of impurities deep lever and its restrain method杂质深能级的形成机制研究及抑制方法 冶金法同样需要在理论上进行重要的突破。目 录 Brief Introduction of Metall
13、urgical Purification of SOG冶金法简介 Evolution of Metallurgical Purification of SOG 冶金法的进展 Impurities and its affect to the SOG 太阳能级多晶硅的杂质及其对材料性能的影响 Quality Stability Analysis of Metallurgical Purified SOG 冶金法多晶硅的质量稳定性分析Progress of MP method on PurityMP法在纯度上的进展(以经济规模)TimeLab PurityProd Purity Mfgrs Coun
14、try时间时间 实验室纯度实验室纯度产品纯度产品纯度 部分制造商部分制造商 国家国家2003年年“5n”-JFEJapan2004年年“6n”-JFE2005年“6n”-迅天宇 China2006年“7n”5N Elkem Norway2007年“6n”5N Dow Chem.,南安三晶 China2008年5.7N 5.7n普罗,佳科,银星,BSI,DC,Chn,CAD2009年 6N 5.9N5.9n普罗,银星,etc.ChinaProgress of MP method Silicon on PurityMP法多晶硅在电池效率上的进展(经济规模)时间时间 转换效率转换效率 衰减后衰减后
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