功率半导体国产替代趋势及新洁能竞争优势分析(2021年)课件.pptx

1、内内容容目目录录1.本本土土功功率率半半导体领导体领军军厂厂商商，充，充分分受受益益市场市场高高景景气气行情行情51.深耕 MOSFET+IGBT，功率半导体市场优势地位显著52.功率半导体市场景气度高涨，公司业绩和盈利能力稳步提升52.功功率率半半导导体体市场高市场高景景气气，国产国产替替代代空空间广阔间广阔81.MOSFET、IGBT 应用广泛，市场需求持续提升92.技术迭代推进 MOSFET、IGBT 市场持续发展133.MOSFET、IGBT 市场稳步增长，国产替代空间广阔163.产产品品布布局局齐齐全，率全，率先先卡卡位位高成高成长长功功率率赛道赛道184.盈盈利利预预测测与与投资建

2、议投资建议221.核心假设221图图表表目目录录图 1：公司发展历程5图 2：公司股权结构（截至 2020 年报）5图 3：公司营收变化6图 4：公司归母净利润变化6图 5：公司营收结构（截至 2020 年报）6图 6：公司毛利率、净利率变化6图 7：公司各产品毛利率变化6图 8：半导体产品类别8图 9：MOSFET 结构示意图8图 10：IGBT 结构示意图8图 11：华为、小米、苹果、三星的 5G 手机9图 12：全球智能手机出货量变化9图 13：全球光伏累计装机量变化10图 14：中国光伏累计装机量变化10图 15：全球风电累计装机量变化10图 16：中国风电累计装机量变化10图 17：

3、IGBT 在新能源汽车中的应用11图 18：传统汽车半导体用量占比11图 19：纯电动汽车半导体用量占比11图 20：新能源汽车、燃油车中功率半导体价值量对比12图 21：IGBT 在新能源汽车成本结构中占比显著（2019 年）12图 22：全球新能源汽车销量变化13图 23：中国新能源汽车销量变化13图 24：IGBT 技术迭代路线14图 25：各代 IGBT 的特性15图 26：IGBT 的结构设计趋势15图 27：IGBT 制造工艺16图 28：全球 MOSFET 市场规模变化16图 29：2019 年中国 MOSFET 市场格局16图 30：全球 IGBT 市场规模变化17图 31：中

4、国 IGBT 市场规模变化17图 32：2019 年中国 IGBT 市场竞争格局17图 33：各厂商 IGBT 产品的布局情况17图 34：公司功率半导体产品平台18图 35：公司功率半导体产品品类19图 36：公司掌握功率半导体核心技术19图 37：公司积极布局功率半导体封测领域20图 38：公司积累了众多优质客户资源21图 39：公司收入预测（百万元）22图 40：可比公司估值2323表 1：功率 MOSFET 的技术演进 13表 2：主流 MOSFET 的类型 14表 3：公司连续多年位居中国半导体行业功率器件十强企业 211.本土本土功功率半导体领军厂率半导体领军厂商商，充分受益市场，

5、充分受益市场高高景气行情景气行情1.深深耕耕 MOSFET+IGBT，功功率率半导半导体体市市场场优势优势地地位位显显著著公司的主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件，相关产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、物联网、新能源汽车/充电桩、光伏新能源和智能装备制造等领域。图图 1：公司发公司发展展历历程程截至 2020 年报，公司董事长兼总经理朱袁正持有 23.34%的公司股份，为公司控股 股东和实际控制人。图图 2：公司股公司股权权结结构构（截截至至 2020 年报年报）1.2.功功率率半半导体导体市市

6、场场景景气度气度高高涨涨，公司公司业业绩绩和和盈利盈利能能力力稳稳步提升步提升2020 年，公司营业收入 9.55 亿元，同比增长 23.62%，归母净利润 1.39 亿元，同比 增长 41.89%。4从营收结构看，功率器件和芯片构成了公司的主要营收，截至 2020 年报，功率器 件的营收占比为 81.47%，芯片的营收占比为 18.35%。图图 3：公司营公司营收收变变化化图图 4：公司归公司归母母净利净利润润变变化化营业收入（百万元）YoY120050%100040%80030%60020%40020010%00%20162017201820192020归母净利润（百万元）YoY16020

7、0%140150%120100100%806050%400%200-50%20162017201820192020图图 5：公司营公司营收收结结构构（截截至至 2020 年报年报）0.17%18.35%功率器件芯片 其他81.47%图图 6：公司毛公司毛利利率、率、净净利利率率变变化化图图 7：公司各公司各产产品毛品毛利利率率变化变化销售毛利率(%)销售净利率(%)35%30%25%20%15%10%5%0%20162017201820192020功率器件芯片40%35%30%25%20%15%10%5%0%2016201720182019202052020 年，公司毛利率为 25.37%，同

8、比上升 4.64pct，净利率为 14.59%，同比上升1.88pct，盈利能力的稳步提升。2.功率功率半半导体市场高景气导体市场高景气，国产替代空间广阔国产替代空间广阔半导体可分为集成电路、分立器件、光电子和传感器等产品类别，其中，分立器件 是指具有单一功能的电路基本元件，主要实现电能的处理与变换，实现电力电子设备的 整流、稳压、开关和混频等。分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等功率半导体器件，其中，MOSFET 和 IGBT 属于电压控制型开关器件，相比于功率三 极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点，应 用前景十分广阔。图图 8

9、：半导体半导体产产品类品类别别MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一种通过场效应控制电流的半导体器件。MOSFET 具有输入电阻 高、频率高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象且安全工作 区域宽等诸多优势，在工业、家电、汽车电子和消费电子领域广泛应用。图图 9：MOSFET 结构示意图结构示意图图图 10：IGBT 结构示结构示意图意图6IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT 和MOSFE

10、T 组成的复合功率半导体器件，既具备 MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有 BJT 导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力，已成为电力电子领 域开关器件的主流发展方向。2.1.MOSFET、IGBT 应应用用广广泛泛，市场市场需需求求持持续提升续提升消费电子市场体量消费电子市场体量可可观观，为为 MOSFET 等功率半导体带来稳定且广泛等功率半导体带来稳定且广泛的的应应用用需求。需求。消费电子市场体量可观，以智能手机市场为例，根据 IDC 的数据，2020 年全球智能手 机出货量达 12.92 亿部

11、。同时，在 5G 升级的带动下，智能手机市场迎来新一轮换机潮，5G 手机渗透率和出货量有望保持持续增长。根据 IDC 的测算，5G 智能手机的出货量在2020 年将达到全球出货量的 19，并在 2024 年增长到 58。功率半导体在智能手机中 的应用十分广泛，其中，MOSFET 是智能手机的充电保护电路、放电保护电路等组件的 核心元件，未来随着以智能手机为代表的消费电子市场持续扩张，MOSFET 等功率半导 体的需求量有望稳步提升。图图 11：华为、华为、小小米、米、苹苹果果、三星三星的的 5G 手机手机图图 12：全球全球智智能手能手机机出出货货量变量变化化新能源发电市场持新能源发电市场持续

12、续扩扩容容，已成为已成为 MOSFET、IGBT 等功率半导体市场等功率半导体市场的的重重要要驱动驱动 力力。新能源发电主要以光伏发电和风力发电为主，根据 Wind 的数据，2019 年，全球光 伏累计装机量达586.42GW，同比增长19.99%，我国光伏累计装机量继续保持快速增长，2019 年累计装机达 205.49GW，同比增长 17.27%，装机容量位居世界第一。7根据 Wind 的数据，2019 年，全球风电累计装机量有达 622.70GW，同比增长 10.44%，中国风电累计装机量 2019 年达 210.48GW，同比增长 13.98%，增速高于全球平均水平。由于新能源发电输出的

13、电能不符合电网要求，需通过光伏逆变器或风力发电逆变器将其 整流成直流电，再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。以以 MOSFET、IGBT 为代为代 表的功率半导体是表的功率半导体是光光伏伏逆逆变器和风力发电逆变器和风力发电逆变变器器的的核心元件核心元件，新新能能源发电行源发电行业业的迅速发的迅速发 展已成为展已成为 MOSFET、IGBT 等功率半导体市场持等功率半导体市场持续续增长增长的的重要动力。重要动力。新能源汽车市场快新能源汽车市场快速速发发展展，有望推动，有望推动 MOSFET、IGBT 等功率半导体等功率半导体市市场场持持续增续增 长。长。以 MOSFET、IGBT 为代表的功

14、率半导体是新能源汽车电机控制器、车载空调、充 电桩等设备的核心元件。图图 13：全球全球光光伏累伏累计计装装机机量变量变化化图图 14：中国中国光光伏累伏累计计装装机机量变量变化化全球光伏累计装机量（GW）YoY70090%60080%70%50060%40050%30040%20030%20%10010%00%2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019中国光伏累计装机量（GW）YoY250250%200200%150150%100100%5050%00%2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 20

15、18 2019图图 15：全球全球风风电累电累计计装装机机量变量变化化图图 16：中国中国风风电累电累计计装装机机量变量变化化世界风电累计装机量（GW）YoY70025%60020%50040015%30010%2005%10000%2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019中国风电累计装机量（GW）YoY25060%20050%40%15030%10020%5010%00%2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 20198图图 17：IGBT 在新能在新能源源汽汽车车中的应中的应用用随着

16、新能源汽车市场的快速发展和智能驾驶技术的应用，新能源汽车中以 MOSFET、IGBT 为代表的功率半导体器件产品的需求量有望进一步提升。根据中商产业研究院的 数据，传统汽车中功率半导体在汽车半导体中的用量占比约为 21%，低于 IC 产品的用 量（23%），但在纯电动新能源汽车中，功率半导体的用量显著增加，在汽车半导体中的 用量占比约达 56%。图图 18：传统传统汽汽车半车半导导体体用用量占量占比比图图 19：纯电纯电动动汽车汽车半半导导体体用量占用量占比比同时，新能源汽车中的功率半导体价值量提升十分显著，根据英飞凌的数据，新能 源中汽车功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的 5 倍以上。其

17、中，IGBT 约占新能 源汽车电控系统成本的 44%，是电控系统中最核心的电子器件之一，因此，未来新能源汽车市场的快速增长，有望带动以 IGBT 为代表的功率半导体器件的价值量显著提升，从而有力推动功率半导体市场的发展。9图图 20：新能新能源源汽车汽车、燃燃油油车中功车中功率率半导半导体体价值价值量量对对比比图图 21：IGBT 在新能在新能源源汽汽车车成本结成本结构构中占中占比比显著显著（2019 年）年）新能源汽车市场规模保持快速增长趋势，根据前瞻产业研究院的数据，2020 年，全 球新能源汽车销量达 324 万辆，同比增长 46.6%。根据中国汽车工业协会的数据，2020 年，中国新能

18、源汽车销量达 136.6 万辆，同比增长 10.9%，并且未来新能源汽车的市场 规模有望继续扩张。新能源汽车市场规模的新能源汽车市场规模的增增长长，有望带动有望带动 MOSFET、IGBT 等功率半等功率半 导体市场需求的持导体市场需求的持续续提提升升。102.2.技技术术迭迭代推进代推进 MOSFET、IGBT 市市场场持续发展持续发展面面对对消费电子、消费电子、新新能源、汽能源、汽车车等下游应用等下游应用对对更高性能更高性能功功率半导体器率半导体器件件的需求的需求，MOSFET、IGBT 等功率半导体的技术创新等功率半导体的技术创新不不断断，朝着低功耗朝着低功耗、高功率高功率、高高耐压等方

19、向耐压等方向 不断突破，技术更不断突破，技术更新新的的内内生驱动力不断生驱动力不断释释放放 MOSFET、IGBT 等功率半导等功率半导体体的应用潜的应用潜 力、拓展相关应用力、拓展相关应用场场景景，带动了带动了 MOSFET、IGBT 等功率半导体市场等功率半导体市场的的快快速速发展。发展。自 1976 年诞生以来，MOSFET 已经历了多轮技术迭代，推动 MOSFET 朝更高的频 率、更高的输出功率以及更低的功耗不断发展。期间，MOSFET 主要经历了制程微缩、构型变化、工艺进步与材料更新四大技术更迭过程，其中，由于 MOSFET 更注重功率 处理能力而非运算速度，因此制程缩小的演进已基本

20、停止，而构型变化、工艺进步与材 料更新的演进仍在推动 MOSFET 在频率、功率和功耗方面的突破。表表 1：功功率率 MOSFET 的的技技术演术演进进技术进程技术进程特征特征代表技术代表技术功能功能制程微缩线宽制程的缩减，但不追求先进制程10m-0.15-0.35m全面提升器件性能构型变化同种设计结构中新技术带来的结构调整Planar-Trench-SuperJunction、Advanced Trench提高器件的电压承载能力与工作频率英飞凌 Cool MOS 系列主要提高器件的 FOM 品质，降低功耗工艺进步同种设计与技术结构中生产工艺的进步Si-SiC/GaN全面提升器件性能并降低功耗

21、材料更新半导体材料的改变目前，MOSFET 已包括由构型变化而产生的 Planar、Trench、Lateral、SuperJunction 和 Advanced Trench 型 MOSFET 和由材料更新而形成的 SiC 和 GaN MOSFET。不同的MOSFET 凭借各自的性能特点，在汽车、工业和通信等场景广泛应用。图图 22：全球全球新新能源能源汽汽车车销销量变量变化化图图 23：中国中国新新能源能源汽汽车车销销量变量变化化全球新能源汽车销量（万辆）YoY35070%30060%25050%20040%15030%10020%5010%00%201520162017201820192

22、020中国新能源汽车销量（万辆）YoY160400%140350%120300%100250%200%80150%60100%4050%200%0-50%201420152016201720182019202011表表 2：主主流流 MOSFET 的的类型类型种类种类主要特性主要特性适用领域适用领域Planar工作频率低但耐压性较好稳压器等Lateral电容低，工作频率高但耐压性差音频设备等Trench导通电阻小，工作频率较高，耐压性一般开关电源等Super Junction在 Trench 的基础上进一步提高了耐压性与输出功率工业照明等Advanced Trench在 Trench 的基础上

23、进一步提高了工作频率通信设备等SiC功耗低、工作频率快、输出功率最高、耐压性能最好汽车电子等GaN功耗低、耐压性好、输出功率高、工作频率最高汽车电子等另一方面，自上世纪 80 年度 IGBT 开启工业化应用以来，IGBT 技术经历了丰富的 技术演变，涌现出六代不同的 IGBT 技术方案，但这些方案主要由英飞凌、三菱电机和 富士电机等海外厂商主导。图图 24：IGBT 技术迭技术迭代代路路线线12图图 25：各各代代 IGBT 的特性的特性在英飞凌、富士电机、ABB 等厂商的推动下，IGBT 的结构设计仍在不断突破和创 新，并涌现出了 P-ring TS+Trench、超级结和 SiC IGBT

24、 等全新技术，推动 IGBT 应用和 市场的持续发展。图图 26：IGBT 的结构的结构设设计计趋势趋势同时，IGBT 的制造工艺也在持续革新，IGBT 产品的差异化和性能的提升有赖于掺 杂、扩散和薄片加工等多种工艺的应用，相关工艺的技术壁垒较高，制造技术也成为实 现 IGBT 自主创新的关键。13图图 27：IGBT 制造工艺制造工艺2.3.MOSFET、IGBT 市市场场稳稳步步增增长，长，国国产产替替代空代空间间广阔广阔受益于消费电子受益于消费电子、新新能源能源、汽车等下游应用需汽车等下游应用需求的求的持续提升持续提升，以及功率以及功率半导半导体更新体更新 换代的驱动换代的驱动，MOSF

25、ET、IGBT 市场持续扩容。市场持续扩容。根据基业长青的数据，2020 年，全球MOSFET 市场规模约 79 亿美元，同比增长 4%，市场空间十分广阔，且未来几年有望保 持稳定增长。目前，中国 MOSFET 市场主要由英飞凌、安森美、瑞萨等海外厂商占据。根据 IHS 的数据，2019 年，英飞凌、安森美、瑞萨合计占据中国 MOSFET 市场约 53.2%的市场 份额，国产替代空间十分广阔。图图 28：全全球球 MOSFET 市场规模变化市场规模变化图图 29：2019 年中年中国国 MOSFET 市场格局市场格局全球MOSFET市场规模（亿美元）YOY9016%8014%7012%6010

26、%508%40306%204%102%00%20172018201920202021E2022E英飞凌 安森美26.7%28.5%瑞萨东芝1.%AOS2.%17.1%意法半导体4.9%7.6%威世6.9%其他14在 IGBT 市场，根据博思数据研究中心的统计，2020 年全球 IGBT 市场规模达 57.67亿美元，同比增长 6.40%，并且未来市场规模有望保持稳定增长。根据中国产业信息网 的数据，2018 年中国 IGBT 市场规模为 161.9 亿元，同比增长 22.19%，增速显著高于同 期全球平均水平。目前，国内 IGBT 市场主要由英飞凌、三菱电机、富士电机等海外厂商占据。根据 中国

27、产业信息网的数据，2019 年，英飞凌、三菱电机、富士电机、ABB、飞兆等海外厂 商在中国 IGBT 市场的份额合计达 48.7%，同时，从 400V 及以下的常规 IGBT 市场到4500V 以上的高端 IGBT 市场，海外厂商的 IGBT 产品的市场优势地位均十分明显。图图 32：2019 年中年中国国 IGBT 市场竞市场竞争争格格局局图图 33：各各厂商厂商 IGBT 产产品品的布局的布局情况情况目前，国内越来越多的电子产品企业为保证供应链安全以及降低产品成本，开始向 国内优秀的半导体分立器件企业采购技术水平和性价比较高的 MOSFET、IGBT 等功率 半导体产品。未来，随着国内功率

28、半导体行业逐步突破高端产品的技术瓶颈，我国功率 半导体对进口的依赖将会进一步减弱，国产替代效应将持续显现。图图 30：全全球球 IGBT 市场市场规规模变模变化化图图 31：中中国国 IGBT 市场市场规规模变模变化化全球IGBT市场规模（亿美元）YOY8010%709%608%7%506%405%304%3%202%101%00%20162017201820192020 2021E 2022E中国IGBT市场规模（亿元）YoY18030%16025%14012020%10015%806010%405%2000%2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2

29、018153.产品产品布布局齐全，率先卡局齐全，率先卡位位高成高成长长功率赛道功率赛道公司功率半导体产公司功率半导体产品品系系列列齐全齐全，拥有拥有 MOSFET、IGBT 和功率模块等和功率模块等多多品类品类产产品系品系 列列。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内最是国内最早早同时拥有沟同时拥有沟 槽型功率槽型功率 MOSFET、超结功率、超结功率 MOSFET、屏蔽栅、屏蔽栅功功率率 MOSFET 及及 IGBT 四大产品平四大产品平 台的本土企业之一台的本土企业之一，拥有1300 余种细分型号产品，覆盖12V1350V 电压范围、0.1A350A 电流范围等多个系列

30、，是国内领先的功率半导体器件行业中 MOSFET 产品系列最齐全 的设计企业之一。公司新产品开发能力强，细分型号产品能够基于工艺技术平台快速、“裂变式”产生，并且产品导入市场速度快，能够满足下游多个领域的应用需求，相关 产品在消费电子、工业、交通、照明等领域得到了广泛的应用。图图 34：公司公司功功率半率半导导体体产产品平品平台台基于国际先进的超低能耗电荷平衡理论技术，公司研发的主要产品紧跟国际一线品 牌，且拥有全部自主知识产权。公司 600V-1350V 的沟槽型场截止 IGBT、500V-900V 的第三代超结功率 MOSFET、30V-300V 的屏蔽栅功率 MOSFET、12V-250

31、V 的沟槽型功率 MOSFET 均已实现量产及系列化。未来，公司将进一步优化产品性能，挖掘客户 的需求，丰富产品系列型号，保持公司在产品系列方面的竞争优势。16图图 35：公司公司功功率半率半导导体体产产品品品品类类掌握掌握 MOSFET、IGBT 核心技术核心技术，自主创新自主创新夯夯实实产产品市场竞争优势品市场竞争优势。公司是国内率 先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业之一，拥有屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、高可靠终端耐压保护技术、弱穿通 IGBT 工艺技术等共计 11 项核心技术，形成了具有自主知识产权的核心技术体系，依

32、托深厚 的技术积累，公司相关产品性能优异，质量可靠，市场竞争力显著。同时，公司积极投 入高深宽比超低损耗 Super Junction MOSFET 工艺技术、超薄晶圆高可靠性 IGBT 工艺 技术等新兴技术的自主创新，通过技术创新来提升产品质量，巩固公司产品的市场竞争 优势，并持续提高产品盈利水平。图图 36：公司公司掌掌握功握功率率半半导导体核心体核心技术技术公司持续推进高端 MOSFET、IGBT 的研发和产业化，在已推出先进的超结功率MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 和超薄晶圆 IGBT 数款产品基础上，进一步对上述产品 升级换代。公司目前亦率先在国内研发基于 12 英寸晶圆片工

33、艺平台的 MOSFET 产品，部分产品已处于小批量风险试产环节。公司还进一步提前布局半导体功率器件最先进的类别类别具体内容具体内容芯片产品示意图芯片产品示意图适用领域适用领域沟槽型功率MOSFET12V-250V沟槽型功率MOSFET移动电源、数码类锂电池保护板、逆变器、适配器、手机快充、电脑显卡、UPS电源等。超结功率MOSFET500V-900V超结功率MOSFET手机充电器、快充、LED驱动电源、适配器、电动汽车充电桩、通 信电源等。屏蔽栅功率MOSFET30V-300V屏蔽栅功率MOSFET电子雾化器、无人机、移动电源、多口USB充电器、逆变器、适配器、手机快充、UPS电源等。IGBT

34、高密度场截止型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)UPS电源、电焊机、电动汽车充电 桩、变频器、逆变器、功率电源、太阳能、交流电机驱动、电磁 加热等。载流子存储型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术名称技术名称技术来源技术来源技术特点技术特点技术先进性技术先进性Super Junction MOSFET工艺技术自主研发超结功率MOSFET是国际上领先的硅基高压功率MOSFET结构,基于超结电荷平衡理论技术(Super Junction)，革命性的优化了 器件的FOM，突破了传统硅基功率器件“硅限”，大幅度降低了 器件的导通损耗和开关损耗，成为当今500V900V电压范围内 硅基MOSFET产品中的主流

35、技术。国内领先SGT MOSFET工艺技术自主研发屏蔽栅功率MOSFET是国际上领先的低压功率MOSET结构，采 用屏蔽栅沟槽技术(Shied Gae Tench，简称SGT),运用超结理 论，革命性的优化了器件的FOM(Rdson*Qg),突破了传统硅基 功率器件“硅限”，大幅度降低了器件的导通损耗和开关损耗，使得 MOSFET向高频领域拓展。国内领先弱穿通IGBT工艺技术自主研发IGBT集Bipolar器件通态压降小、电流密度大、耐压高和功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好 的优点于一身。作为电力电子变换器的核心器件之一，为应用 装置的高频化、小型化、高性能和高可

36、靠性奠定了基础。公司 成功研发场截止型IGBT设计技术，拥有650V、1200V、1350VIGBT产品系列。国内领先超结功率MOSFET芯片产业化良率提升技术自主研发超结功率MOSFET芯片中的超结结构在电荷平衡时，产品性能 最好。然而，在实际工艺制备过程中，离子注入剂量的偏差、沟槽刻蚀形貌均一性等工艺波动对超结电荷平衡影响较大。公 司采用楔形超结结构制备工艺和混合绝缘介质层制备工艺，明 显提升了产品产业化良率。国内领先17技术领域，开展对 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的研究探索和产业化，紧跟最先进的 技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。自自主主创新构创新构筑筑竞争壁竞

37、争壁垒垒，不，不断断缩小与缩小与国国际一流际一流功功率半率半导导体厂商体厂商的的差距差距。截至 2020年末，公司拥有 127 项专利，其中发明专利 36 项，发明专利数量和占比在国内半导体 功率器件行业内位居前列；公司拥有的该等专利与 MOSFET、IGBT、功率模块以及先 进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者 均形成了较高的技术壁垒。同时，公司不断提升在先进功率半导体领域的技术水平，缩 小了与国际一流功率半导体企业的技术差距。公司不断对产品系公司不断对产品系列列更更新新升级升级，积极延积极延伸伸所处产所处产业业链链，逐步进入逐步进入半半导体功导体功率

38、率器件的器件的 封装测试领域封装测试领域。目前，公司已初步建成先进封装测试生产线，实现少部分功率器件的自 主生产。从产业链的角度来看，公司掌握了芯片设计、封装测试等重要环节，能依据行 业技术发展和市场需求变动开展研发设计、并依据终端客户的需求直接生产所需产品，有利保证产品质量、提升产品性能、促进新产品开发、保障产品供应及获取更多的产业 链价值。图图 37：公司公司积积极布极布局局功功率率半导体半导体封封测领测领域域公司是国内领先的公司是国内领先的功功率率半半导体设计企业。导体设计企业。在中国半导体行业协会发布的 2016 年、2017 年、2018 年和 2019 年中国半导体功率器件企业排行

39、榜中，公司连续四年名列“中 国半导体功率器件十强企业”。根据公司招股说明书的数据，2018 年，公司在国内MOSFET 市场的份额为 3.65%，位居本土厂商前列。18表表 3：公司连公司连续续多年多年位位居居中中国半导国半导体体行业行业功功率器率器件件十十强强企企业业荣荣誉名称誉名称名次名次颁颁发单位发单位2019 年中国半导体行业功率器件十强企业72018 年中国半导体行业功率器件十强企业6中国半导体行业协会2017 年中国半导体行业功率器件十强企业72016 年中国半导体行业功率器件十强企业9依托领先的产品和依托领先的产品和技技术术优优势势，公司产品公司产品的的应用市应用市场场不断拓展不

40、断拓展，积积累累了众多了众多优优质客户质客户 资源资源。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服 务已进入消费电子、汽车、网通、安防等多个下游细分领域，广泛的下游应用领域既保障了对公司产品的充足需求，为公司发展提供了广阔的市场空间，又提升了公司应对下 游单一行业波动等市场风险的能力。同时，公司产品已实现向下游行业内多家龙头客户 供货，积累了包括海尔、纳恩博、宁德时代、飞利浦、三星、长城汽车、TP-Link 在内 的众多优质客户资源，产品的应用市场和客户拓展稳步推进。图图 38：公司公司积积累了累了众众多多优优质质客户客户资源资源紧跟国际一线厂紧跟国际一线厂商商，稳

41、稳步步推进功率半导体国推进功率半导体国产产替替代代。公司作为国内领先的半导体功 率器件设计企业之一，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品 质量等方面已接近国际先进水平。公司研发的产品紧跟国外一线品牌，如英飞凌、安森 美、意法半导体等，并凭借成本、区域优势逐步实现对 MOSFET、IGBT 等中高端产品 的国产替代。公司屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET 以及沟槽型场截止 IGBT 产品平台已实现量产，部分产品的参数性能及送样表现与国外一线品牌同类产品基本相 当，具有较强的进口替代优势。194.盈利盈利预预测与投资建议测与投资建议1.核核心心假假设设公司在 MO

42、SFET、IGBT 器件领域产品布局齐全，市场竞争力突出，受益于消费电 子、新能源、汽车电子等下游需求的提振，以及公司相关产品的迭代升级和市场拓展，公司在 MOSFET、IGBT 业务的营收规模有望稳步增长。同时，考虑到公司未来有望主 调整芯片产品和功率器件的比例结构，逐步提高高毛利率的功率器件的销售占比，我们 预计：功率器件功率器件业业务务：2021/2022/2023 年实现营收 12.63/17.96/24.27 亿元，同比增长62.35%/42.22%/35.1%。年 实 现 营 收2.29/2.57/2.67 亿 元，同 比 增 长芯芯 片片 业业 务务：2021/2022/2023

43、30.7%/12.23%/4.03%。图图 39：公司公司收收入预入预测测（百百万元万元）4.2.估估值值与与投资投资建建议议我 们 预 计 公 司 2021/2022/2023 年 营 业 收 入 为 14.94/20.55/26.96 亿 元，YoY+56.4%/37.6%/31.2%，归母净利润为 285/393/518 亿元，YoY+104.3%/38.1%/31.7%，实现 EPS 为 2.82/3.88/5.12 元，对应 PE 为 65/47/36 倍。根据业务和市场根据业务和市场地地位的相似性位的相似性 选择可比公司选择可比公司，并参考并参考可可比公司比公司 2022 年平均估

44、年平均估值值（53 倍倍），），考虑到公司作考虑到公司作为本为本土功率半土功率半 导体领军企业导体领军企业，MOSFET、IGBT 产品布局和客户产品布局和客户拓拓展方面的领先优势展方面的领先优势显显著著，相关产能相关产能 配套充足配套充足，布局的高端布局的高端功功率半导体产品具备率半导体产品具备市市场场稀稀缺性缺性，首次覆盖首次覆盖，给给予予“买买入入”评级。评级。2020202021E2022E2023E功率器件功率器件收入（百万元）收入（百万元）778.061263.181796.482427.07YoY36.74%62.35%42.22%35.10%毛利率毛利率25.87%30.41%

45、32.02%32.22%营收占比营收占比81.47%84.55%87.40%90.01%芯片芯片收入（百万元）收入（百万元）175.28229.09257.11267.46YoY-13.43%30.70%12.23%4.03%毛利率毛利率22.46%26.05%27.51%27.91%营收占比营收占比18.35%15.33%12.51%9.92%其他其他收入（百万元）收入（百万元）1.651.751.851.95YoY55.60%6.06%5.71%5.41%毛利率毛利率96.00%96.00%96.00%96.00%收入占比收入占比0.17%0.12%0.09%0.07%总营收总营收收入（百

46、万元）收入（百万元）954.991494.022055.442696.48YoY23.62%56.44%37.58%31.19%毛利率毛利率25.37%29.82%31.51%31.84%215.风险风险提提示示1）市场需求不及预期市场需求不及预期：若功率半导体市场需求不及预期，公司销售可能受到影响，从而影响公司营收的增长。2）新品推出不及新品推出不及预预期期：功率半导体研发的专业化程度较高，存在一定技术壁垒，技 术开发难度和研发投入大，若新一代技术研发进度不及预期，公司核心业务的营收规模 和增速可能受到影响。3）客）客户开户开拓拓不不及及预预期：期：由于下游需求放缓，导致公司与主要客户的稳定合作关系 发生变动或客户开拓不及预期，将可能对公司的经营业绩产生不利影响。