半导体刻蚀设备技术壁垒与国产替代形势分析课件.pptx

1、目目 录录 1.1.半导体刻蚀：占比较半导体刻蚀：占比较高高的关键晶圆制造步骤的关键晶圆制造步骤 61.刻蚀是半导体制造三大步骤之一 62.干法刻蚀优势显著，已成为主流刻蚀技术 63.刻蚀机主要分类：电容电感两种方式，优势互补 74.刻蚀机近年来增速较快 82.2.工艺升级带动刻蚀机工艺升级带动刻蚀机用用量增长，技术壁垒量增长，技术壁垒极极高高 91.制程升级带动刻蚀机使用提升 91.晶圆代工制程升级带动刻蚀加工需求显著增长 102.存储工艺革新带动刻蚀需求提升112.刻蚀设备并未出现技术路线明显分化 133.半导体刻蚀行业壁垒极高，技术未显著分化但格局高度集中 133.3.刻蚀设备有望率先完

2、刻蚀设备有望率先完成成国产替代国产替代 151.国内设备最成熟领域，国产替代率较高 152.存储国产化带动刻蚀机替代率继续提升 183.大基金助力半导体刻蚀设备企业持续发力 194.4.刻蚀设备领域代表企业刻蚀设备领域代表企业 201.中微公司：国产替代先锋，先进制程快速突破 202.北方华创：产品线广泛的半导体设备龙头 2212图 1：晶圆加工主要步骤 6图 2：各向同性导致一定程度线宽损失 7 图 3：各向异性使得刻蚀方向确定 7 图 4：2018 年三种刻蚀设备的占比 8 图 5：三种不同刻蚀主要去除的材质 8 图 6：2018 年半导体资本开支中各设备占比 9 图 7：全球刻蚀设备近年

3、来增速较快 9 图 8：近年来刻蚀机资本开支占比显著提升 9 图 9：中微公司披露先进制程刻蚀方法 11 图 10：先进制程刻蚀次数明显增多 11 图 11：Lam 的存储客户贡献收入占比三分之二以上 12 图 12：3D NAND 技术工艺更为复杂 12 图 13：2D NAND 中刻蚀设备占比 12 图 14：3D NAND 中刻蚀设备占比（占比明显提升）12 图 15：CCP 与 ICP 刻蚀的主要工作原理 13 图 16：复杂芯片生产既采用介质刻蚀又采用硅刻蚀 13 图 17：2017 全球刻蚀机市场份额 14 图 18：2017 全球介质刻蚀机市场份额 14 图 19：2017 我国

4、刻蚀机市场份额 14 图 20：2017 我国介质刻蚀机市场份额 14 图 21：2017-2018 中微客户（存储企业 B）刻蚀机台数占比 17 图 22：2016.11-2019.3 中微客户（逻辑电路企业 C）刻蚀机台数占比 17 图 23：2017 年北方华创硅刻蚀机国内份额 17 图 24：2018-2019 年长江存储刻蚀设备招标台数份额 17 图 25：大基金一期与二期融资规模（亿元）19 图 26：大基金一期主要投资方向（亿元）19 图 27：中微公司发展历程 20 图 28：中微公司业务收入占比 20 图 29：中微公司营收体量（亿元）21 图 30：中微公司扣非归母净利润（

5、亿元）21 图 31：中微公司刻蚀设备销售数量 22 图 32：中微公司研发支出 22 图 33：北方华创四大核心业务 22 图 34：北 方 华 创 主 要 的 半 导 体 设 备 产 品 22 图 35：北 方 华 创 营 收 快 速 增 长 23 图 36：北 方 华 创 扣 非 归 母 净 利 润 2018 年 翻 正 23 图 37：北 方 华 创 研 发 投 入 23 图 38：北 方 华 创 主 要 产 品 招 标 份 额 233表 1：干法刻蚀与湿法刻蚀的主要原理及占比 7表 2：主流晶圆代工厂商的量产制程发展历程 10 表 3：国内主要半导体设备国产化率及代表企业 15 表

6、4：主流设备出货情况，刻蚀机出货量较大 16 表 5：国内重要存储产线投资 18 表 6：长江存储各设备采购情况，介质刻蚀机采购比较高 18表 7：三大刻蚀设备企业大基金投资规模 201 1.半导体刻蚀半导体刻蚀：占比较高的关占比较高的关键键晶圆制造步骤晶圆制造步骤1.11.1 刻蚀是半导体制造刻蚀是半导体制造三三大步骤之一大步骤之一 刻蚀已经成为半导体晶圆制造中的关键步骤，在半导体制造中重要性凸显。半导体制造主要步骤包括光刻、刻蚀、以及薄膜沉积三大步骤，并且不断循环 进行，以构造出复杂精细的电路结构。而这三个环节工艺的先进程度也直接决 定了晶圆厂生产高制程产品的能力，以及芯片的应用性能。刻蚀

7、是利用化学或者物理的方法将晶圆表面附着的不必要的材质进行去 除的过程。刻蚀工艺顺序位于镀膜和光刻之后，即在晶圆上先将用于刻画电路 的材料进行薄膜沉积，其上沉积光刻胶。然后根据掩膜版的电路设计，通过光 照对晶圆进行光刻，受光刺激的光刻胶留存，其他地方则将需要刻蚀的材料暴 露在外，该步骤称作显影。随后即利用刻蚀步骤，对暴露在外的材质进行去除，留下晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶，然后再将光刻胶通过刻蚀去除。此后多次重复上述步骤，得到构造复杂的集成电路。刻蚀的材质包括硅及硅化物、氧化硅、氮化硅、金属及合金、光刻胶等。通过有针对性的对特定材质进行刻蚀，才能使得晶圆制造不同的步骤所制造的 电路之间相

8、互影响降至最低，使芯片产品具有良好的性能。图 1：晶圆加工主要步骤 数据来源：半导体行业观察，国融证券研究与战略发展部 1.21.2 干法刻蚀优势显著干法刻蚀优势显著，已成为主流刻蚀已成为主流刻蚀技技术术 按照刻蚀工艺划分，其主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀。干法刻蚀占主导 地位。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀，利用等离子体与表面4薄膜反应，形成挥发性物质，或者直接轰击薄膜表面市值被腐蚀的工艺。干法 刻蚀的最大优势在于能够实现各向异性刻蚀，即刻蚀时可控制仅垂直方向的材 料被刻蚀，而不影响横向材料，从而保证细小图形转移后的保真性。因此在小 尺寸的先进工艺中，已经基本采用干法刻蚀工艺。湿法

9、刻蚀工艺主要是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀，该刻蚀方法会导致材料的横向纵向同时腐蚀，会导致一定的线宽损失。因此，湿法刻蚀由于可是方向的不可控性，导致其在高制程很容易降低线 宽宽度，甚至破坏线路本身设计，导致生产芯片品质变差。目前来看，干法刻 蚀在半导体刻蚀中占据绝对主流低位，市场占比达到 90%。表 1：干法刻蚀与湿法刻蚀的主要原理及占比 刻蚀方法 原理 占比 分类 干法刻蚀 用等离子体进行薄膜刻蚀技术 90%CCP（介质刻蚀）ICP（硅刻蚀）湿法刻蚀 将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀，目前逐步被干法替代 10%数据来源：半导体行业观察，国融证券研究与战略发展部图 2：各向同性导致一定程度

10、线宽损失 图 3：各向异性使得刻蚀方向确定 数据来源：半导体制造技术，国融证券研究与战略发展部 数据来源：半导体制造技术，国融证券研究与战略发展部 1.31.3 刻蚀机主要分类：刻蚀机主要分类：电电容电感两种方式容电感两种方式，优势互补优势互补 刻蚀按照被刻蚀材料划分，主要分为硅刻蚀、介质刻蚀以及金属刻蚀。不 同的刻蚀材质其所使用的的刻蚀机差距较大。干法刻蚀的刻蚀机的等离子体生 成方式包括 CCP（电容耦合）以及 ICP（电感耦合）。而由于不同方式技术特点 的不同，他们在下游擅长的应用领域上也有区分。CCP 技术能量较高、但可调5节性差，适合刻蚀较硬的介质材料（包括金属）；ICP 能量低但可控

11、性强，适合 刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的材料。从下游半导体行业刻蚀机的需求来看，介质刻蚀机与硅刻蚀机需求场景较 多，因此占比较高，其中，介质刻蚀与硅刻蚀机分别占比 49%以及 48%，金属 刻蚀占比较低，仅为 3%。图 4：2018 年三种刻蚀设备的占比 图 5：三种不同刻蚀主要去除的材质 硅刻蚀 用于除硅，材料包括单晶硅、多晶硅、硅化物等 介质刻蚀 介质材料刻蚀，包括氧化硅、氮化硅、光刻胶等的刻蚀 金属刻蚀 刻蚀铝、钨、铜及合金层 数据来源：Barron，国融证券研究与战略发展部 数据来源：公开资料，国融证券研究与战略发展部 1.41.4 刻蚀机近年来增速刻蚀机近年来增速较较快快 刻

12、蚀机作为重要的半导体加工设备之一，在半导体晶圆厂资本开支中占比 较高。目前来看，刻蚀机资本开支占比达到 22%，已经与光刻机同处在第一梯 队，而光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备三大设备合计占比高达 64%。近年来全球刻蚀机市场规模有显著提升。2018 年，全球刻蚀机市场规模达 到 103 亿美元，同比增长 11.96%。而 2016 年行业整体规模为 63 亿美元。近两 年行业规模增长 40 亿美元，主要有几方面原因：第一，全球半导体产线资本 开支提升，尤其是我国近年来建设大量晶圆厂以及存储产线，带来大量刻蚀机 需求；第二，制程提升带动刻蚀机加工时长提升，对刻蚀机本身需求增长。6图 6：2018

13、年半导体资本开支中各设备占比 图 7：全球刻蚀设备近年来增速较快 数据来源：易观数据，国融证券研究与战略发展部 数据来源：SEMI，国融证券研究与战略发展部 2.12.1 制程升级带动刻蚀制程升级带动刻蚀机机使用提升使用提升 从近年来各主要半导体设备资本开支量占比来看，刻蚀机份额占比有显著 提升。在 2010 年之前，刻蚀机资本开支占比一直维持在 15%左右，而进入 2011 年以后，随着制程的持续升级，刻蚀机资本开支占比也有显著提升。2017 年，刻蚀设备的半导体产线资本开支占比突破 20%，而随着光刻机占比的下降，目 前来看，光刻机与刻蚀机的整体资本开支差距不大，两者合计资本开支占到半 导

14、体产线整体资本开支的将近一半。而刻蚀机近年来占比的持续提升，则主要 由于晶圆代工厂制程升级带来的工艺变化以及存储设备刻蚀步骤大幅提升所 导致。图 8：近年来刻蚀机资本开支占比显著提升 数据来源：SEMI，国融证券研究与战略发展部 782.1.12.1.1 晶晶圆圆代代工制工制程程升升级级带带动动刻蚀刻蚀加加工工需需求显求显著著增增长长 近年来晶圆代工厂制程持续提升。目前来看，全球最先进的量产工艺已经 达到 5nm 制程，台积电在 2020 年基本可实现 5nm 量产制程，苹果等主流手机 厂商的最新款旗舰手机搭载 5nm 制程芯片。而除台积电和三星以外，格罗方德、联电、中芯国际也基本已经将量产制

15、程提升至 14nm 左右，中芯国际继续向 7nm 追赶。从晶圆代工厂角度，摩尔定律仍然有效，更高阶制程依然在研发中。台积 电正在向 3nm 及更高端制程进行研发，3nm 预计于明年进行量产，而 2nm 的研 发也在顺利进行中。整体来看，14nm 及以下高阶制程越来越成熟，未来的市场 份额将持续提升，带动高阶制程相关工艺的渗透加速。表 2：主流晶圆代工厂商的量产制程发展历程 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 台积电台积电 65nm 40nm 28nm 20nm 16nm 10nm

16、7nm 5nm 格罗方德格罗方德 90nm 65nm 45nm 28nm 20nm 14nm 中芯国际中芯国际 90nm 65nm 40nm 28nm 14nm 数据来源：IHS Market，国融证券研究与战略发展部根据中微公司披露的高阶制程刻蚀工艺来看，由于光刻机在 20nm 以下光刻步骤收到光波长度的限制，因此无法直接进行光刻与刻蚀步骤，而是通过多 次光刻、刻蚀生产出符合人们要求的更微小的结构。目前普遍采用多重模板工 艺原理，即通过多次沉积、刻蚀等工艺，实现 10nm 线宽的制程。根据相关数 据，14nm 制程所需使用的刻蚀步骤达到 64 次，较 28nm 提升 60%；7nm 制程所

17、需刻蚀步骤更是高达 140 次，较 14nm 提升 118%。另外，芯片线宽的缩小对刻蚀本身的精确度以及重复性有了更为严苛的要 求。多次刻蚀要求每一个步骤的精确度足够高，才能使得整体生产的良率保持 在可接受范围内，因此除了对于刻蚀整体步骤数有明显增加外，还对每一步的 刻蚀质量有了更高的要求。图 9：中微公司披露先进制程刻蚀方法 图 10：先进制程刻蚀次数明显增多 数据来源：中微公司，国融证券研究与战略发展部 数据来源：SEMI，国融证券研究与战略发展部 因此，整体看，摩尔定律持续演进，高端制程占比持续提升的大背景下，晶圆厂对于刻蚀本身的资本开支也在大幅提升，在整体制造工艺未发生较大变 化的情况

18、下，晶圆代工厂中刻蚀设备的占比将持续提升。2.1.22.1.2 存存储储工工艺革艺革新新带带动动刻刻蚀蚀需求需求提提升升 刻蚀工艺在存储设备生产中的重要性凸显。根据 2019 年全球刻蚀机龙头 Lam Research 披露的收入数据，其存储客户贡献收入高达三分之二，这也表明 存储中刻蚀设备的重要性。存储产品中，DRAM 以及 NAND Flash 是目前应用最 广的产品，市场规模巨大。整体来看，存储器的生产虽然无需最先进的制程，但是工艺也已经演进到 1X nm、1Ynm 甚至 1Z nm 的工艺。例如全球 DRAM 龙头 美光目前已经量产 1Ynm（14nm-16nm），之后也将拓展 1Zn

19、m 以及更高端的制程，这将带来类似于晶圆代工厂一样的情形，即刻蚀加工次数与单次加工质量要求 明显提升。另外 NAND Flash 在经过长期技术工艺进步后，现在已经进入 3D NAND 时代，3D NAND 采用将存储单元立体堆叠的方式，使得储存能力提升明显，而 其技术复杂程度较 2D 有显著提升。9图 11：Lam 的存储客户贡献收入占比三分之二以上 图 12：3D NAND 技术工艺更为复杂 数据来源：Lam Researsh，国融证券研究与战略发展部 数据来源：中微公司招股书，国融证券研究与战略发展部 3D NAND 主要增加堆叠成熟而不是缩小线宽，刻蚀要在氧化硅和氮化硅一 对的叠层结构

20、上，加工 40:1 到 60:1 的极深孔或者极深的沟槽，因此 3D NAND 层数的增加将继续增加对刻蚀技术的依赖。根据东京电子的相关披露，在 3D NAND 的工艺技术下，刻蚀设备的资本开支占比高达 49%，与 2D NAND 下仅 16%形成鲜明反差。整体来看，目前 3D NAND 已经进入 64 层量产阶段，未来 96 层、128 层也在研发试产中，预计相关产品也将很快问世。这些高堆叠层的产品也 将带来刻蚀机的更广阔需求。图 13：2D NAND 中刻蚀设备占比 图 14：3D NAND 中刻蚀设备占比（占比明显提升）数据来源：东京电子，国融证券研究与战略发展部 数据来源：东京电子，国

21、融证券研究与战略发展部 102.22.2 刻蚀设备并未出现刻蚀设备并未出现技技术路线明显分化术路线明显分化 由于干法的各项异性优势，其可控性较湿法更好，因此基本已经实现对于 湿法工艺的替代。而在干法刻蚀中，其实我们也看到了不同技术路线的分化，譬如依照等离子体的种类将刻蚀方法划分为 CCP 以及 ICP 两种主流方法，这两 种方法。其中 CCP 方法主要用于介质刻蚀，出现时间较早，之后 ICP 作为新刻 蚀技术，由于其很多不亚于 CCP 的优势，因此对传统的 CCP 形成一定的替代。但整体来看，CCP 与 ICP 各有优劣，并且在不同材料的刻蚀上各有优势，因此新技术并未完全替代传统技术，相反，两

22、种技术取长补短，在同一种芯片 产品流片生产的过程中实现完美合作。而其他工艺（如光刻机），新技术完全 替代传统技术，技术路线对企业的影响起到决定性作用。例如，在复杂芯片生产中，光刻胶去胶的过程本身为一种刻蚀的步骤，去 胶后才能够进行下一步的薄膜沉积、涂胶、光刻等步骤。而目前去光刻胶主要 采用介质刻蚀（CCP）的方法。另外，测试孔刻蚀、沟槽刻蚀、通孔刻蚀等一 般主要刻蚀材料为非硅材料（如金属、氧化硅等）也采用介质刻蚀的方式。而 栅极刻蚀、硅刻蚀等则主要以 ICP 的工艺为主。图 15：CCP 与 ICP 刻蚀的主要工作原理 数据来源：中微公司招股书，国融证券研究与战略发展部 2.32.3 半导体刻

23、蚀行业壁半导体刻蚀行业壁垒垒极高极高，技术未显著技术未显著分分化但格局高度化但格局高度集中集中 目前，全球刻蚀机设备的参与者相对较少，行业整体处于寡头垄断格局。主要的参与者包括美国的 Lam Research（泛林半导体）、AMAT（应用材料）、日 本的 TEL（东京电子）等企业。此三家企业占据全球半导体刻蚀机的 94%的市 场份额，而其他参与者合计仅占 6%。其中，Lam Research 占比高达 55%，为行 业的绝对龙头。东京电子与应用材料分别占比 20%和 19%。介质刻蚀方面，东京电子占比较高。东京电子一直以来都以 CCP 刻蚀机为 主要出货产品，其占到 CCP 刻蚀机总出货量的一

24、半以上。我国企业中微公司在112017 年的市场份额达到 2.5%，近几年由于国内存储产线的大规模建设，中微 公司的市场份额亦有提升。硅刻蚀方面，Lam Research 占据较高份额，其在两 类刻蚀机中均有较大出货量，应用材料在硅刻蚀方面也有出货。图 17：2017 全球刻蚀机市场份额 图 18：2017 全球介质刻蚀机市场份额 数据来源：SEMI，国融证券研究与战略发展部 数据来源：SEMI，国融证券研究与战略发展部 从国内刻蚀机市场来看，Lam Research 依然稳定占据龙头地位。而我们也 可以看到国产企业中微公司的身影。中微公司的介质刻蚀机主要供应国内晶圆 产线和存储产线，整体占比

25、 15%，若单算介质刻蚀的市场份额，中微公司达到25%的水平。近年来中微公司在介质刻蚀设备的突破显著，目前也已经打入台 积电先进制程产线。图 19：2017 我国刻蚀机市场份额 图 20：2017 我国介质刻蚀机市场份额 1213整体看，由于刻蚀机工艺技术壁垒较高，尤其是先进制程设备下游客户要 求较高，相关核心技术仅有少数厂商突破，并且在技术持续更替中，没有能力 持续研发的企业的竞争力逐渐下降，导致份额逐步压缩，最终仅有头部企业参与竞争，形成寡头垄断格局。我国企业中微公司在国家大力扶持以及公司不断 研发投入，在我国刻蚀机市场份额不断增长，已经仅次于 LAM Research。3 3.刻蚀设备有

26、刻蚀设备有望望率先完成国产率先完成国产替代替代3.13.1 国内设备最成熟领国内设备最成熟领域域，国产替代率较高，国产替代率较高 目前来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国最具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比最高的重要半导体设备之一。根据 IC Insights 等的相关数 据，目前我国主流设备中，去胶设备、刻蚀设备、热处理设备、清洗设备等的 国产化率均已经达到 20%以上。而这之中市场规模最大的则要数刻蚀设备。我 国目前在刻蚀设备商代表公司为中微公司、北方华创以及屹唐半导体。中微与 北方作为我国两家设备龙头企业，偏重领域有一定区别。表 3：国内主要半导体设备国产化率及代表企业 设备类型

27、全球市场规模（亿美元）国产化率 国内领先企业 工艺节点 去胶设备 5 80%屹唐 5nm 刻蚀设刻蚀设备备 140140 20%20%中微公中微公司司、北、北方方华创华创、屹屹唐唐 5nm5nm 热处理 18 20%北方华创 28nm 清洗设备 35 20%盛美、沈阳芯源 14nm PVD 30 15%北方华创 28nm CMP 20 15%华海清科 14nm CVD 80 5%北方华创、沈阳拓荆 28nm 涂胶显影 20 1%沈阳芯源 65nm 光刻机 120 0%上海微 90nm ALD 15 0%北方华创、沈阳拓荆 28nm 离子注入 16 0%中科信 28nm 数据来源：SEMI，国融

28、证券研究与战略发展部目前看，中微公司产品在业内较为领先，工艺节点已经达到 5nm，并且已 经得到台积电的验证，公司整体介质刻蚀及出货量已经超过 50 台，并且得到 客户较好的评价。北方华创在硅刻蚀机中处在国产替代加速阶段，目前能够生14产 28nm 的硅刻蚀机，14nm 目前也在研发和小范围试产过程中，预计未来也将 有突破。北方华创已经出货的刻蚀机数量已经达到 20 台以上。表 4：主流设备出货情况，刻蚀机出货量较大 主要公司 技术节点 采购量 介质刻蚀机 中微半导体 65nm-5nm 大于 50 台，5nm 已打入台积电 硅刻蚀机 北方华创 65nm-28nm 大于 20 台 PVD 设备

29、北方华创 65nm-28nm 大于 20 台 单片退火设备 北方华创 65nm-28nm 大于 20 台 清洗设备 北方华创 65nm-28nm 大于 20 台 立式氧化炉 北方华创 65nm-28nm 大于 10 台 清洗设备 上海盛美 65nm-28nm 大于 20 台 离子注入机 北京中科信 65nm-28nm 大于 10 台 光学尺寸测量 睿励科学仪器 65nm-28nm 大于 10 台 PECVD 设备 沈阳拓荆 65nm-28nm 大于 10 台 数据来源：SEMI，国融证券研究与战略发展部我们从近年来国内大型存储制造企业以及逻辑电路代工企业的招标情况 来看刻蚀设备主流公司近期的份

30、额变动情况。介质刻蚀机方面，中微公司在其科创板发行的招股说明书中披露了部分客 户的招标刻蚀设备台数占比情况。在存储企业A 和B 的份额分别达到15%和17%。在逻辑电路代工企业 C 中，中微公司的中标设备台数比例也在 16%左右。中微 公司整体出货较为稳定，在目前的国内产线招标中，中微公司的刻蚀机份额基 本保持在 15%以上。若仅考虑介质刻蚀，那么中微公司份额在 25%以上。这也 说明公司产品已经基本得到主流晶圆厂、存储厂的认可，与海外龙头公司的差 距显著缩小，基本位列介质刻蚀机的第二梯队（出货台数份额与东京电子、应 用材料等差距不大）。图 21：2017-2018 中微客户（存储企业 B）刻

31、蚀机台数占比 图 22：2016.11-2019.3 中微客户（逻辑电路企业 C）刻蚀机台数占比 数据来源：中微公司招股说明书，国融证券研究与战略发展部 数据来源：中微公司招股说明书，国融证券研究与战略发展部 硅刻蚀机方面，北方华创在国内技术方面一直处于领先地位，但是相比于 海外厂商，仍有一定差距。目前看，北方华创在长江存储的刻蚀设备招标份额 大约在 3%-4%左右，若仅考虑硅刻蚀设备，那么北方华创的占比在 5%左右。整 体来看，北方华创的硅刻蚀设备目前在国内的市场份额在 4%左右。北方华创在硅刻蚀领域也在不断拓展自身下游客户，在大型晶圆厂中也逐渐看到北方华创 设备的身影。虽然较介质刻蚀领域有

32、差异，但随着技术的快速推进，预计未来 将持续国产替代。图 23：2017 年北方华创硅刻蚀机国内份额 图 24：2018-2019 年长江存储刻蚀设备招标台数份额 数据来源：SEMI，国融证券研究与战略发展部 数据来源：中国国际招标网，国融证券研究与战略发展部 15163.23.2 存储国产化带动刻存储国产化带动刻蚀蚀机替代率继续提升机替代率继续提升 存储国产替代日渐清晰。以长江存储、紫光集团、合肥长鑫、福建晋华等 为代表的国内存储产业取得了较大的突破。目前来看，国内 NAND Flash 以及DRAM 均有较大进展，其中 3D NAND Flash 已经突破 128 层技术工艺，并在多家 控

33、制器厂商的终端产品上验证通过，而 DRAM 也已经自主生产 DDR4，实现了自 主可控。我国存储厂商在实现技术突破后，近年来均加大对相关产线的投资。其中 长江存储扩产较快，近期武汉二期项目开建。该项目投资金额达到 160 亿元，月产能达到 20 万片，是一期产线的两倍。后续二期项目对相关设备的采购将会提上议事日程。另外，合肥长鑫、紫光集团等也在存储相关产线上有大量的 资本支出。表 5：国内重要存储产线投资 公司 地点 项目 晶圆尺寸 投资金额（亿元）月产能（K）长江存储 武汉一期 3D NAND、逻辑芯片 12 80 100 武汉二期 3D NAND 12 160 200 紫光集团 南京 3D

34、 NAND、DRAM 12 100 100 合肥长鑫 合肥 DRAM 12 494 125 数据来源：公司公开披露，国融证券研究与战略发展部而存储产线上游相关的设备也成为我国国产替代的中坚力量。长江存储在 各类型设备上使用国产设备的占比较高。其中，介质刻蚀机、氧化设备、清洗设备等都有高于 15%的采购比例。因此存储产线的大力建设，也带动了上游设 备国产替代的速度。前文中曾提到，由于 3D NAND、DRAM 等本身对于刻蚀设备的使用量大幅提 升，因此存储产线中刻蚀设备的资本开支占比一般较高（占比接近一半）。因 此，存储产线成为拉动我国刻蚀设备发展的关键因素，也带动相关领域实现更 快速的国产替代

35、。表 6：长江存储各设备采购情况，介质刻蚀机采购比较高 设备类型 长江存储采购占比 中微公司 介质刻蚀 15.80%北方华创 硅刻蚀设备 3.70%薄膜沉积设备 1.20%氧化/扩散等 32.20%清洗设备 2.30%盛美半导体 清洗设备 18.40%薄膜沉积设备 华海清科 研磨抛光设备 14.90%屹唐半导体 氧化/扩散等 0.80%沈阳拓荆 薄膜沉积设备 2%沈阳芯源 涂布/显影/去胶 北京中科信 离子注入设备 上海睿励 膜厚检测 0.60%上海精测 ATE 1.70%膜厚检测 0.90%数据来源：中国国际招标网，国融证券研究与战略发展部3.33.3 大基金助力半导体大基金助力半导体刻刻蚀

36、设备企业持续蚀设备企业持续发发力力 国家集成电路产业基金（以下简称“大基金”）的成立，对我国半导体产 业的发展的促进作用显著。此前大基金一期募集资金规模接近 1500 亿元，主 要投向晶圆制造（代工）、芯片设计等中游领域。目前看，大基金一期已经进 入投资回收阶段，其主要投资方向在近几年均有明显的技术突破。但是，大基 金一期对于上游的半导体材料、设备领域投资力度较小。大基金二期目前已经募资完毕进入投资阶段。大基金二期募资金额高达2000 亿元，预计除了制造、设计等领域继续加码投资外，如材料、设备等领域 也将持续加码，对于半导体设备尤其是刻蚀设备而言，也将充分受益。目前看，主要的刻蚀设备企业包括中

37、微公司、北方华创、沈阳拓荆等企业均得到大基金 一期投资，但投资额度较小，并且投资时间也都在 2015 年之前。因此大基金 二期在刻蚀设备领域的投资值得期待。图 25：大基金一期与二期融资规模（亿元）图 26：大基金一期主要投资方向（亿元）数据来源：国家集成电路产业基金，国融证券研究与战略发展部 数据来源：国家集成电路产业基金，国融证券研究与战略发展部 17表 7：三大刻蚀设备企业大基金投资规模 大基金投资金额（亿元）投资时间 北方华创 6 2015 年 12 月 中微公司 4.8 2014 年 12 月 沈阳拓荆 1.65 2015 年 11 月 数据来源：国家集成电路产业基金，国融证券研究与

38、战略发展部4.4.刻蚀设备领刻蚀设备领域域代表企业代表企业4.14.1 中微公司：国产替中微公司：国产替代代先锋，先进制程先锋，先进制程快快速突破速突破 中微公司系我国半导体设备的龙头公司。公司成立于 2004 年，虽成立时 间较晚，但整体发展速度快。公司成立伊始即专注于刻蚀设备领域，主攻介质 刻蚀领域，目前已经成为国内乃至全球刻蚀设备的代表企业，国内份额进入前 三。公司核心人物尹志尧也是公司创始人，其从事半导体产业 35 年，具有丰 富的产业经验。尹志尧曾经在英特尔、Lam Research（泛林半导体）等公司负 责核心技术的研究开发工作，是刻蚀行业自身专家，也是国际等离子体刻蚀技 术发展和

39、产业化的重要推动者。公司核心管理团队稳定，其他主要核心技术人 员大都在国际半导体设备产业有多年的研发、管理等经验。公司主要产品包括 MOCVD、刻蚀设备以及备品备件。其中刻蚀设备领域，公司目前能够向下游客户提供 65nm-5nm 的高中低类型的刻蚀设备，并且得到 包括台积电等的下游客户的认可。由于公司近年来 MOCVD 产品快速突破，现已 基本实现国产替代，国内 LED 芯片企业此前快速扩产采购，带来公司 MOCVD 相 关业务的快速增长。根据公司披露数据，公司 2018 年 MOCVD 的营收规模已经 达到 8.3 亿，占比近 50%。但从技术壁垒、盈利能力以及市场空间来看，公司 最核心业务

40、仍为刻蚀设备。图 27：中微公司发展历程 图 28：中微公司业务收入占比 数据来源：中微公司招股书，国融证券研究与战略发展部 数据来源：Wind，国融证券研究与战略发展部 18公司近年来（尤其是 17、18 年）营收增长较快，一方面受益于此前提到 的 MOCVD 设备放量，另外则受益于刻蚀设备的突破以及下游存储产线的集采。2019 年，公司营业收入达到 19.46 亿元，同比增长 18.76%。增速整体较 2017 年及 2018 年有一定程度下滑，主要原因在于 LED 芯片产能过剩，导致 LED 产 品盈利能力下降明显，因此下游扩产动力不强，导致此前高速增长的 MOCVD 产 品下游需求不足

41、，进而 MOCVD 设备出货有一定程度下降。刻蚀设备成为 2019 年主要贡献设备增长的产品。刻蚀设备整体盈利能力较强。从毛利率角度来看，刻蚀设备 2018 年的毛 利率高达 47.52%，而 MOCVD 产品则在 2018 年毛利率大幅下降至 26.33%。由于 刻蚀设备本身技术壁垒较高，加之中微公司目前已经突破 5nm 最先进制程的相 关产品，因此随着新品量产出货，预计毛利率仍有提升的空间。公司近两年扣非归母净利润翻正，也标志着公司开始具备自身造血机制。此前公司主要依赖投资、政府补贴等进行研发，扣非净利润基本处于大幅亏损 状态，而随着 MOCVD 以及刻蚀设备的量产出货，公司 2018 年

42、扣非净利润扭亏 为盈，并且 2019 年增长 50%，主要由于刻蚀设备的出货盈利带来正贡献。图 29：中微公司营收体量（亿元）图 30：中微公司扣非归母净利润（亿元）数据来源：Wind，国融证券研究与战略发展部 数据来源：Wind，国融证券研究与战略发展部 公司持续致力于半导体核心设备的研发升级。公司 2017-2019 年的研发投入持续增长，至 2019 年，公司研发投入达到 4 亿元以上。此前由于收入体量 较低，因此研发投入占比在 30%以上。目前该比例稳定在 20%-25%左右的区间。整体看，公司通过持续研发投入，目前已经能够生产 5nm 产品，并得到重要客 户认证，与国外先进水平差距持

43、续缩小。19图 31：中微公司刻蚀设备销售数量 图 32：中微公司研发支出 数据来源：中微公司招股书，国融证券研究与战略发展部 数据来源：Wind，国融证券研究与战略发展部 4.24.2 北方华创：产品线北方华创：产品线广广泛的半导体设备泛的半导体设备龙龙头头 北方华创由之前七星电子以及北方微电子战略重组而成，是目前国内半导 体及泛半导体设备的龙头代表企业。公司在国内半导体设备领域企业中营收规 模位列首位。公司实控人为北京电控，是北京国资委全资控股的高科技企业集 团，旗下除投资北方华创之外，海投资包括京东方、电子城、燕东微电子等多 家高新技术企业。相较于中微公司，北方华创布局半导体设备的方向较

44、为广泛。除刻蚀机外，公司主要的半导体产品还包括物理气相沉积设备（PVD）、化学气相沉积设备（CVD）、氧化/扩散设备、清洗剂等主流产品。另外除半导体设备外，公司也 从事包括锂电相关设备、光伏设备等专用设备以及部分电子元件。图 33：北方华创四大核心业务 图 34：北方华创主要的半导体设备产品 数据来源：北方华创年报，国融证券研究与战略发展部 数据来源：北方华创官网，国融证券研究与战略发展部 20公司近年来收入增速较快，2017-2018 年公司收入增速在 30%以上，2019年增速则相对有所下降。公司近年来增长主要依赖半导体设备的快速放量。2019 年公司半导体设备的营收占比提升至 63.9%

45、，而这一数字在 2017 年仅为50%左右。公司近年来在存储产线获得部分刻蚀机订单，另外氧化/扩散设备也 有着比较快的渗透速度。同中微公司一样，北方华创也是在 2018 年实现扣非归母净利润扭亏为盈 的。但是其扣非净利润规模一直未超过 1 亿元体量，较中微公司更低。2019 年 也出现一定程度下滑。整体看，公司多项业务齐头发展，尤其是公司主导的半 导体设备，都是实现国产替代的关键设备。目前来看，各业务按照既定目标持 续发展，未来也将大有可为。图 35：北方华创营收快速增长 图 36：北方华创扣非归母净利润 2018 年翻正 数据来源：Wind，国融证券研究与战略发展部 数据来源：Wind，国融

46、证券研究与战略发展部 从研发投入来看，公司近年来研发支出持续上升，2019 年研发支出整体超 过 10 亿元，占收入比例也稳定在 25%-30%左右。目前来看，公司下游产品开始 逐步进入大型晶圆制造厂商，相关产品也在持续渗透。图 37：北方华创研发投入 图 38：北方华创主要产品招标份额 刻蚀设备 PVD/CVD 清洗设备 氧化设备 长长江存江存储储 4%2%2%35%华华虹虹 7%5%15%积积塔半塔半导导体体 48%5%数据来源：Wind，国融证券研究与战略发展部 数据来源：国家招标网，国融证券研究与战略发展部 21225 5.投资建议投资建议整体看，刻蚀设备是半导体设备领域中最优质的赛道：第一，刻蚀设备在 晶圆制造中的使用广泛，市场空间大；第二，代工厂以及存储厂生产工艺的革 新带动刻蚀设备的使用大大增加，刻蚀设备资本开支占比显著提升；第三，我 国在刻蚀设备领域的技术成熟度相较其他主要设备（光刻机、薄膜沉积等）更 优。另外，随着半导体下游应用领域越来越广，半导体相关资本开支持续加码，叠加国内政策以及大基金的大力扶持，预计刻蚀设备将是率先实现国产替代的 重要半导体设备。建议关注国内介质刻蚀龙头企业中微公司中微公司，以及在硅刻蚀及其他半导体设 备中持续发力的北方华北方华创创。6 6.风险提示风险提示政策不及预期，下游需求不及预期，技术突破不及预期，上游核心元件进 口限制。