场效应管放大电路(同名73)课件.ppt
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- 场效应 放大 电路 同名 73 课件
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1、模拟电子技术基础课件制作:郑恒秋2.8 场效应管放大电路 场效应管的源极、栅极和漏极分别对应于晶体管的射极、基极和集电极。与晶体管的共射、共基和共集三种组态相对应,场效应管也有共源、共栅和共漏三种组态。一、场效应管的偏置电路 二、场效应管静态工作点的确定 三、场效应管的动态分析 四、场效应管三种组态放大性能的比较 五、应用举例一、场效应管的偏置电路 与晶体管放大器类似,静态工作点的设置对放大器的性能至关重要。1、自偏压电路 在场效应管放大器中,由于结型场效应管与耗尽型MOS场效应管的uGS=0时,iD0,故可以采用自偏压方式,如图所示:在静态时,场效应管栅极电流为零,因此栅极电压为零;而漏极电
2、流不为零,必然在源极电阻上产生压降,使栅源电压为负,获得合适的工作点。SDQSQSQGQGSQSDQSQRIUUUURIU0注意:该电路产生负的栅源电压,所以只能用于需注意:该电路产生负的栅源电压,所以只能用于需 要负栅源电压的电路。要负栅源电压的电路。2、混合偏压电路混合偏压电路 对于增强型MOSFET,由于uGS=0时,iD=0,故一定要采用分压式偏置或混合式偏置方式,如图所示:SDQDDgggSQGQGSQSDQSQDDgggAGQRIVRRRUUURIUVRRRUU211211注意:该电路产生的栅源电压可正可负,所以适注意:该电路产生的栅源电压可正可负,所以适 用于所有的场效应管电路。
3、用于所有的场效应管电路。二、场效应管静态工作点的确定 1、图解法、图解法 在场效应管的转移特性曲线上做出栅源回路直流负载线的方程,其交点即为工作点。混压偏压方式自偏压方式SDQDDgggGSQSDQGSQRIVRRRURIU211 对于(a)图,Q1为JFET的工作点,Q2为耗尽型MOSFET的工作点;对于(b)图,Q1为JFET的工作点,Q2为耗尽型MOSFET的工作点,Q3为增强型MOSFET的工作点。2、解析法、解析法 耗尽型场效应管的电流方程为:2)()1(offGSGSDSSDUuIiSDQGSQoffGSGSQDSSDQRIUUUII21)()(把它在静态时的表达式与栅源间静态电压
4、的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ:增强型场效应管的电流方程为:2)()1(thGSGSDODUuIiDDQDDgggGSQthGSGSQDODQRIVRRRUUUII2112)()1(把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ:把下式代入上式,解关于iD的二次方程,有两个根,舍去不合理的一个根,留下合理的一个根便是IDQ。)(SDDQDDDSQRRIVU三、场效应管的动态分析 1、场效应管的低频小信号等效模型 2、共源放大电路的分析 3、共漏放大电路的分析 4、共栅放大电路的分析1、场效应管的低频小信号等效模型 与晶体管模型的导出相类似,iD是uGS 和uDS
5、的函数:iD=f(uGS,uDS)研究动态信号时用全微分表示:DSUDSDGSUGSDDduuiduuidiGSDS 定义:dsdsgsmdUrUgI1dsUDSDmUGSDruiguiGSDS1,当信号较小时,管子的电压、电流仅在Q点附近变化,可以认为是线形的,gm与rds近似为常数,用有效值表示:由此式可画出场效应管的低频小信号等效模型:可见场效应管的低频小信号等效模型比晶体管还要简单。可以从场效应管的转移特性和输出特性曲线上求出gm与rds。由转移特性曲线可知,gm是uDS=UDSQ那条曲线上Q点处的斜率。由于gm是输出回路电流与输入回路电压之比,所以称为跨导。由输出特性曲线可知,rds
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