天搞定自考模拟、数字及电力电子技术课件.ppt
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1、模拟、数字电子及电力电子第一天目录第一章第一章 模拟电子基础知识模拟电子基础知识第二章第二章 直接耦合放大器及直接耦合放大器及 反馈反馈要点一:半导体第一章 基础知识杂质半导体分:电子型(N型)半导体空穴型(P型)半导体 N 型半导体:在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的五价元素。自由电子浓度大大增加的杂质半导体,也称为电子半导体。P 型半导体:在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的三价元素。空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为空穴半导体。型半导体中空穴是少子,电子是多子。型半导体中空穴是多子,电子是少子。1 空穴为少子的的半导体称为AP型半导体 BN型半导体C纯净半导体 D金属导体2 本征半导
2、体硅或者锗中掺入微量三价元素后,其中多数载流子是A自由电子 B空穴C正离子 D负离子3 N型半导体的多数载流子是A自由电子 B空穴C正离子 D负离子4 杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于A掺杂浓度 B制造工艺C晶体结构 D温度()()()()要点二:二极管多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动。()PN结的形成漂移运动和扩散运动的方向相反。二极管正向导通状态时,其两端电压:硅材料:0.6-0.8V锗材料:0.1-0.3V(2)PN结的单向导电性PN结外加正向电压:PN结P端接高电位,N端接低电位,称PN结外加正向电压,又称PN结正向偏置,简称为正偏。PN结外加反向电压:PN结P端接
3、低电位,N端接高电位,称PN结外加反向电压,又称PN结反向偏置,简称为反偏。结论:PN结外加正向电压导通,加反向电压截止,即PN结具有单向导电性电流二极管的结构及符号1.有关二极管单向导电性的说法正确的是()A.正偏时,通过的电流小,呈现的电阻大;反偏时,通过的电流大,呈现的电阻小B.正偏时,通过的电流大,呈现的电阻大;反偏时,通过的电流小,呈现的电阻小C.正偏时,通过的电流小,呈现的电阻小;反偏时,通过的电流大,呈现的电阻大D.正偏时,通过的电流大,呈现的电阻小;反偏时,通过的电流小,呈现的电阻大D2.图中二极管为理想器件,VD1、VD2的导通情况为()A.VD1截止,VD2导通B.VD1导
4、通,VD2导通C.VD1截止,VD2截止D.VD1导通,VD2截止A.二极管的最主要特征是 。.硅材料二极管导通时,其两端电压为 伏,锗材料二极管导通时,其两端电压为 伏。.半导体二极管的反向饱和电流越 ,说明该二 极管的单向导电性越好.硅二极管的死区电压约为 伏,锗二极管的死区电压约为 伏。全波及桥式整流情况下,输出电压平均值_8.限流电阻R的选择应满足两个条件,一是稳压管流过最小电流应_稳定电流,二是稳压管流过最大电流应_最大稳定电流。单向导电性0.6-0.80.1-0.3小0.50.122.1UuL大于等于小于要点三:半导体三极管及基本放大电路三极管实现放大的外部条件是:发射结必须加正向
5、电压(正偏),集电结必须加反向电压(反偏)。符号中发射极上的箭头方向,表示发射结正偏时电流的流向。BEIIICBCII一般把三极管的输出特性分为3个工作区域,分别介绍。截止区(a)发射结和集电结均反向偏置;(b)=0,近似为0;(c)三极管的集电极和发射极之间电阻很大,三极管相当于 一个开关断开。CIBI 放大区:输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。(a)三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置(b)集电极电流 几乎仅决定于基极电流 ,即 而与 无关。CIBIBCIIECU 饱和区(a)三极管的发射结和集电结均正向偏置;(b)三极管的电流放大能力下降,通常有 ;(c)UCE的值很小,称此时的电
6、压UCE为三极管的饱和 压降,用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为 0.4V,锗三极管的UCES约为0.2V;(d)三极管的集电极和发射极近似短接,三极管类似 于一个开关导通。CIBI放大电路静态工作点的分析估算法bRUVIBEQCCBQ)禇管(3.01.0(硅管)8.06.0因为VVUBEQb所以RVICCBQBQQIICCCQCCCEQRIVU三极管简化的微变等效电路EQbbbeIrrmV26)1(放大电路的动态分析/ib beocLbLLcLobLLuib bebeui rui Ri RRRRui RRAui rr iouuuA 电压放大倍数输入电阻ibbeiibbeii(/)/i
7、 RruRRrii输出电阻(将信号源短路,负载开路,在输出端加入测试电压u,产生电流i,由于ib=0,u=iRc)ocuRRi例.放大电路如图所示。已知VCC=12V,RC=5lK,Rb=400K,RL=2K,三极管=40,rbb=300(1)估算静态工作点IBQ,ICQ及UCEQ;(2)计算电压放大倍数Au。解解(1 1)I IBQBQ=(V=(VCCCCU UBEQBEQ)/R)/Rb b =12/400=12/400 =0.03mA =0.03mA I ICQ CQ=I=IBQBQ =40 =400.030.03 =1.2mA =1.2mA U UCEQCEQ=V=VCCCCI ICQC
8、QRRC C 12121.21.25.15.1 5.9V5.9V (2 2)R Rbe be=r=rbbbb+(1+)(26/I+(1+)(26/IEQEQ)=300+40 =300+40(26/1.2)(26/1.2)=1 =12K2K Au=Au=RRL L/r/rbebe =4040(5.1/2)/1.2(5.1/2)/1.2 =4848练习.设VCC=12V,Rb=300 k,Re=5 k,RL=2 k,UBEQ=0.7 V,=50,rbe=200,Rs=2 k。(1)求静态电流IBQ,ICQ,UCEQ;,(2)求电压放大倍数Au及输入电阻Ri的表达式。第二章 直接耦合放大器及反馈要点
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