太阳能发电背带课件.ppt

1、太陽能發電背帶組員:蔡奇璋 陳重瑞 班級:微電四甲 指導教授:張文俊教授目錄一、前言二、太陽能板種類三、發電原理四、研究動機五、功能介紹六、準備材料七、製作過程八、Reference前言 1990年以後工業更加繁榮的全球各國，加重了對太陽能板的需求，使各國更可以節能減碳，對環境的負擔也可以降低。太陽能電池並不是非常新的產業，但因成本、結構一直未理想，使新技術的研究目標大多放在新結構以及材料的選擇來降低成本。太陽能板種類目前太陽能板可分為以矽為主要材料或以化合物為主要材料兩大類，目前太陽能板可分為以矽為主要材料或以化合物為主要材料兩大類，矽原料太陽能電池可分為單晶矽、多晶矽、非晶矽三種不同的結晶

2、矽原料太陽能電池可分為單晶矽、多晶矽、非晶矽三種不同的結晶方式。方式。a.b.c.a a、單晶矽太陽能板、單晶矽太陽能板b b、多晶矽太陽能板、多晶矽太陽能板c c、非晶矽太陽能板、非晶矽太陽能板發電原理 單晶矽和多晶矽主要是以單晶矽和多晶矽主要是以PNPN半導體結合在一起使接觸面會形成空乏區，半導體結合在一起使接觸面會形成空乏區，當光能進入空乏區時會形成電子電洞對，但受到當光能進入空乏區時會形成電子電洞對，但受到PNPN接面內部電場影響，造成接面內部電場影響，造成電子電洞被拉開，帶負電的電子會往電子電洞被拉開，帶負電的電子會往N N型半導體移，帶正電的電洞會往型半導體移，帶正電的電洞會往P

3、P型半型半導體移動，此時兩型半導體存在電位差而產生電流。導體移動，此時兩型半導體存在電位差而產生電流。非晶矽主要是在玻璃上製作的透明導電下電極、非晶矽主要是在玻璃上製作的透明導電下電極、p p型非晶矽層、本質非型非晶矽層、本質非晶矽層、晶矽層、n n型非晶矽層，以及一層上電極銀層。使用透明的導電下電極層主型非晶矽層，以及一層上電極銀層。使用透明的導電下電極層主要是為了增加光的穿透增加電子電洞對，把載子由內建電廠利用電極倒出。要是為了增加光的穿透增加電子電洞對，把載子由內建電廠利用電極倒出。發電原理 太陽能電池是利用光電的發電原理，吸收波長從太陽能電池是利用光電的發電原理，吸收波長從 0.3 0

4、.3 m m的紫外光到數微米的紅外光的紫外光到數微米的紅外光(圖三圖三)將光能直接轉換為將光能直接轉換為電能。電能。研究動機 許多外拍的攝影師所使用的單眼相機電池容量並不許多外拍的攝影師所使用的單眼相機電池容量並不大，連續拍攝的話大約兩三個小時就沒電，但許多攝影大，連續拍攝的話大約兩三個小時就沒電，但許多攝影師在外拍時動輒師在外拍時動輒8 8小時起跳。小時起跳。在不可能攜帶太多電池在身上以及電池成本的考量在不可能攜帶太多電池在身上以及電池成本的考量下，假若讓電池在戶外可以即時充電的，便可以省去攜下，假若讓電池在戶外可以即時充電的，便可以省去攜帶及環保的麻煩。帶及環保的麻煩。功能介紹 我們將太陽

5、能板縫紉在相機背帶上，讓我們我們將太陽能板縫紉在相機背帶上，讓我們可以一邊使用相機一邊充電。可以一邊使用相機一邊充電。準備材料LP-E8LP-E8副廠電池副廠電池.X1.X1顆顆美工刀美工刀.X1.X1支支電源導線電源導線.X1.X1條條電池盒電池盒(2(2顆串聯顆串聯).X1).X1個個電源接頭電源接頭(公公-母母).X1).X1對對太陽能板太陽能板.X4.X4片片相機背帶相機背帶.X1.X1對對1865018650電池電池.X2.X2顆顆電烙鐵與焊錫電烙鐵與焊錫製作過程 先將電池盒切開，用美工刀由邊緣的線痕慢先將電池盒切開，用美工刀由邊緣的線痕慢慢割開。慢割開。製作過程 切開後可以見一塊電

6、路板以及內部的鋰電池。切開後可以見一塊電路板以及內部的鋰電池。製作過程 開始焊接，將輸入電源的正負端接入，並拉開始焊接，將輸入電源的正負端接入，並拉出電源線的街頭。出電源線的街頭。製作過程 完成後將電池盒密封，並捨棄內部電池，改完成後將電池盒密封，並捨棄內部電池，改用外部充電電池來儲存太陽能發電後的電力。用外部充電電池來儲存太陽能發電後的電力。製作過程 採用外部電池的原因是其電量是原廠電池的採用外部電池的原因是其電量是原廠電池的五倍之多，並可當作蓄電池使用。五倍之多，並可當作蓄電池使用。製作過程 大功告成後，接著是背帶的部分。大功告成後，接著是背帶的部分。製作過程 首先先準備相機背帶首先先準備

7、相機背帶製作過程 再準備可饒是太陽能板並選好可匹配電壓再準備可饒是太陽能板並選好可匹配電壓製作過程 將其結合並驅使相機運作將其結合並驅使相機運作Reference1.Del Alamo,J.,S.Swirhun,and R.M.Swanson.Simultaneous measurement of hole lifetime,hole mobility and bandgap narrowing in heavily doped n-type silicon.Electron Devices Meeting,1985 International.Vol.31.IEEE,1985.2.Yan,B

8、aojie,et al.High efficiency amorphous and nanocrystalline silicon thin film solar cells on flexible substrates.Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices(AM-FPD),2012 19th International Workshop on.IEEE,2012.3.Voigt,A.,et al.Localization and identification of microscopic defects leading to locally

9、 enhanced currents across pn-junctions of solar cells.Photovoltaic Specialists Conference,1996.,Conference Record of the Twenty Fifth IEEE.IEEE,1996.4.Halpin,Gabriel,et al.Study of GaN LED ITO Nano-Gratings With Standing Wave Analysis.Photonics Journal,IEEE 6.3(2014):1-10.5.Kabir,M.Ikbal,Norhayati M

10、ohd Zainee,and Nowshad Amin.Analysis of high efficiency amorphous silicon single and multijunction solar cells.Developments in Renewable Energy Technology(ICDRET),2009 1st International Conference on the.IEEE,2009.6.Solar Cell PN Junction:http:/www.liv.ac.uk/renewable-energy/about/staff/ken-durose/7.工業電子學,張勁燕,五南圖書公司8.微控制器原理與實作,李齊雄/鄭顏雄,儒林圖書公司9.太陽電池技術入門/林明獻著.全華圖書公司謝謝教授的聆聽報告完畢