放大电路基础知识整套课件完整版电子教案最全ppt整本书课件全套教学教程.ppt
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1、第一章放大电路基础知识第一章放大电路基础知识第一节第一节 半导体二极管半导体二极管第二节第二节 半导体三极管半导体三极管第三节第三节 基本放大电路及放大电路的分析基本放大电路及放大电路的分析方法方法第四节第四节 放大电路静态工作点的稳定性放大电路静态工作点的稳定性第五节第五节 共集电极放大电路及多级放大电共集电极放大电路及多级放大电路路第一节第一节 半导体二极管半导体二极管一、半导体及一、半导体及PN结结1半导体半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。纯净的、导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。具有晶体结构的半导体称为本征半导体
2、。半导体的导电能力受外界影响很大,主要表现在以下几方面。半导体的导电能力受外界影响很大,主要表现在以下几方面。(1)光敏性半导体的导电能力随光照的不同而不同,当光照光敏性半导体的导电能力随光照的不同而不同,当光照加强时,其导电能力增强。加强时,其导电能力增强。(2)掺杂特性如果在纯净的半导体中掺入微量的某些有用杂掺杂特性如果在纯净的半导体中掺入微量的某些有用杂质,其导电能力将大大增加,可以增加几十万倍甚至几百万质,其导电能力将大大增加,可以增加几十万倍甚至几百万倍。倍。(3)热敏性半导体的导电能力对温度很敏感。热敏性半导体的导电能力对温度很敏感。下-页 返回第一节第一节 半导体二极管半导体二极
3、管本征半导体掺人微量元素后就成为杂质半导体。由于掺人的本征半导体掺人微量元素后就成为杂质半导体。由于掺人的杂质不同,杂质半导体可分为杂质不同,杂质半导体可分为N型半导体和型半导体和P型半导体。型半导体。2PN结结在一块纯净的本征半导体中,通过不同的掺杂工艺,使其一在一块纯净的本征半导体中,通过不同的掺杂工艺,使其一边成为边成为N型半导体,另一边成为型半导体,另一边成为P型半导体,那么就会在这两型半导体,那么就会在这两种半导体的交界处形成种半导体的交界处形成PN结,如结,如图图1-1所示。所示。PN结具有单向导电性。当结具有单向导电性。当P区接电源正极、区接电源正极、N区接电源负极区接电源负极时
4、,时,PN结处于正向偏置。结处于正向偏置。一、二极管的类型一、二极管的类型半导体二极管也叫做晶体二极管,简称二极管。它是由一个半导体二极管也叫做晶体二极管,简称二极管。它是由一个PN结加上电极和引线用管壳封装而成的。结加上电极和引线用管壳封装而成的。上-页 下-页 返回第一节第一节 半导体二极管半导体二极管 1点接触型二极管点接触型二极管点接触型二极管的结构如点接触型二极管的结构如图图1-3(a)所示。所示。2面接触型二极管面接触型二极管面接触型二极管的结构如图面接触型二极管的结构如图1.3(b)所示。所示。三、二极管的开关特性三、二极管的开关特性在数字电路中,二极管和三极管大多工作于开关状态
5、。它们在数字电路中,二极管和三极管大多工作于开关状态。它们在脉冲信号的作用下,时而导通,时而截止,相当于开关的在脉冲信号的作用下,时而导通,时而截止,相当于开关的“接通接通”和和“断开断开”。二极管的主要特性是单向导电性。当二极管两端加的正向电二极管的主要特性是单向导电性。当二极管两端加的正向电压大于一定值时,二极管就导通,如同一个闭合的开关。压大于一定值时,二极管就导通,如同一个闭合的开关。上-页 下-页 返回第一节第一节 半导体二极管半导体二极管二极管在电路中具有开关作用。但是,它不是一个理想的开二极管在电路中具有开关作用。但是,它不是一个理想的开关。关。四、二极管的伏安特性四、二极管的伏
6、安特性半导体二极管本质上就是一个半导体二极管本质上就是一个PN结,因此它具有单向导电性,结,因此它具有单向导电性,这一特性可用伏安特性表示。所谓二极管的伏安特性曲线,这一特性可用伏安特性表示。所谓二极管的伏安特性曲线,就是指加在二极管两端的电压就是指加在二极管两端的电压U与流过二极管的电流,之间与流过二极管的电流,之间的关系曲线。的关系曲线。1击穿特性击穿特性在在图图1-6中,当二极管的反向电压增大到一定数值后,其反中,当二极管的反向电压增大到一定数值后,其反向电流会突然增大,这种现象称为反向击穿。发生击穿时的向电流会突然增大,这种现象称为反向击穿。发生击穿时的电压称为反向击穿电压,用电压称为
7、反向击穿电压,用UBR表示。二极管的击穿现象有表示。二极管的击穿现象有电击穿与热击穿之分。电击穿与热击穿之分。上-页 下-页 返回第一节第一节 半导体二极管半导体二极管 2正向特征正向特征在二极管两端加以正向电压,就会产生正向电流。但是,当在二极管两端加以正向电压,就会产生正向电流。但是,当起始电压很低时,正向电流很小,几乎为零,管子呈高阻状起始电压很低时,正向电流很小,几乎为零,管子呈高阻状态,这段区域称为死区。正向电压增大,使二极管导通的临态,这段区域称为死区。正向电压增大,使二极管导通的临界电压称为死区电压(又称门坎电压)。在常温下,硅管的界电压称为死区电压(又称门坎电压)。在常温下,硅
8、管的死区电压一般约为死区电压一般约为0.5 V,而锗管则约为,而锗管则约为0.2 V。3反向特性反向特性在二极管两端加以反向电压,由于在二极管两端加以反向电压,由于PN结的反向电阻很高,因结的反向电阻很高,因而反向电压在一定范围内变化时,反向电流非常小,且基本而反向电压在一定范围内变化时,反向电流非常小,且基本不随反向电压的变化而变化,这个电流称为反向饱和电流不随反向电压的变化而变化,这个电流称为反向饱和电流(正常情况下可忽略不计)。此时管子处于截止状态。(正常情况下可忽略不计)。此时管子处于截止状态。上-页 下-页 返回第一节第一节 半导体二极管半导体二极管反向饱和电流是二极管的一个重要参数
9、,反向饱和电流愈大,反向饱和电流是二极管的一个重要参数,反向饱和电流愈大,说明管子的单向导电性能愈差。说明管子的单向导电性能愈差。4温度对特性的影响温度对特性的影响由于半导体的导电性能与温度有关,所以二极管对温度很敏由于半导体的导电性能与温度有关,所以二极管对温度很敏感,温度升高时,二极管正向特性曲线向左移动,反向特性感,温度升高时,二极管正向特性曲线向左移动,反向特性曲线向右移动。曲线向右移动。五、二极管的主要参数五、二极管的主要参数二极管的主要参数有以下几个。二极管的主要参数有以下几个。1最大整流电流最大整流电流最大整流电流是指二极管长期运行时,允许通过二极管的最最大整流电流是指二极管长期
10、运行时,允许通过二极管的最大正向平均电流。在使用二极管时不能超过此值,否则将使大正向平均电流。在使用二极管时不能超过此值,否则将使二极管过热而损坏。二极管过热而损坏。上-页 下-页 返回第一节第一节 半导体二极管半导体二极管 2最大反向工作电压最大反向工作电压URM最大反向工作电压最大反向工作电压URM是指二极管工作时两端所允许加的最是指二极管工作时两端所允许加的最大反向电压。为保证二极管安全工作、不被击穿,通常大反向电压。为保证二极管安全工作、不被击穿,通常URM约为反向击穿电压约为反向击穿电压UR的一半。的一半。3反向电流反向电流反向电流是指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反反向电流
11、是指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流越小,管子的单向导电性能越好。常温下,硅管的反向电流越小,管子的单向导电性能越好。常温下,硅管的反向电流一般只有几微安;锗管的反向电流较大,一般在几十向电流一般只有几微安;锗管的反向电流较大,一般在几十至几百微安之间。至几百微安之间。4最高工作频率最高工作频率 上-页 下-页 返回第一节第一节 半导体二极管半导体二极管由于由于PN结存在结电容,它的存在限制了二极管的工作频率,结存在结电容,它的存在限制了二极管的工作频率,因此如果通过二极管的信号频率超过管子的最高工作频率,因此如果通过二极管的信号频率超过管子的最高工作频率,则结电容的容抗变小高频
12、电流将直接从结电容上通过,管则结电容的容抗变小高频电流将直接从结电容上通过,管子的单向导电性变差。子的单向导电性变差。上-页 返回第二节第二节 半导体三极管半导体三极管 一、三极管的结构及符号一、三极管的结构及符号与二极管相比,三极管是由两个与二极管相比,三极管是由两个PN结构成的,其基本特性是结构成的,其基本特性是具有电流放大作用。三极管按其结构不同,分为具有电流放大作用。三极管按其结构不同,分为NPN型和型和PNP型两种。相应的结构示意图及电路符号如型两种。相应的结构示意图及电路符号如图图1-8所示。所示。在制作三极管时,其内部的结构特点是:在制作三极管时,其内部的结构特点是:发射区掺杂浓
13、度高;发射区掺杂浓度高;基区很薄,且掺杂浓度低;基区很薄,且掺杂浓度低;集电结面积大于发射结面积。集电结面积大于发射结面积。以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。另外,三极管按其所用半导体材料不同,分为硅管和锗管;另外,三极管按其所用半导体材料不同,分为硅管和锗管;按用途不同,分为放大管、开关管和功率管;按工作频率不按用途不同,分为放大管、开关管和功率管;按工作频率不同,分为低频管和高频管;按耗散功率大小不同,分为小功同,分为低频管和高频管;按耗散功率大小不同,分为小功下-页 返回第二节第二节 半导体三极管半导体三极管 率管和大功率管等。率管和大功率管
14、等。一、三极管的放大条件一、三极管的放大条件三极管要实现电流放大除要满足内部条件外,还应满足外部三极管要实现电流放大除要满足内部条件外,还应满足外部偏置条件,即发射结正偏,集电结反偏,如偏置条件,即发射结正偏,集电结反偏,如图图1-9所示。所示。三、电流分配关系三、电流分配关系NPN管的放大实验电路如管的放大实验电路如图图1-10所示。电路中三极管的偏所示。电路中三极管的偏置满足发射结正偏、集电结反偏的条件。置满足发射结正偏、集电结反偏的条件。由表由表1-1中的数据可知:中的数据可知:(1)三极管的基极电流、集电极电流和发射极电流之间符合三极管的基极电流、集电极电流和发射极电流之间符合基尔霍夫
15、定律,即基尔霍夫定律,即EBCIII上-页 下-页 返回第二节第二节 半导体三极管半导体三极管(2)晶体管具有电流放大作用从晶体管具有电流放大作用从表表1-1可看出,可看出,IB与与IC的比的比值近似为常数。值近似为常数。四、三极管的开关特性四、三极管的开关特性 三极管有三种工作状态:截止状态、放大状态、饱和状态。三极管有三种工作状态:截止状态、放大状态、饱和状态。在放大电路中,三极管作为放大元件,主要工作在放大区。在放大电路中,三极管作为放大元件,主要工作在放大区。在数字电路中,三极管作为开关元件,主要工作在截止状态在数字电路中,三极管作为开关元件,主要工作在截止状态或饱和状态,并在截止状态
16、和饱和状态之间经过短促的放大或饱和状态,并在截止状态和饱和状态之间经过短促的放大状态进行快速转换和过渡。状态进行快速转换和过渡。1CBEBIIII上-页 下-页 返回第二节第二节 半导体三极管半导体三极管(1)截止状态截止状态 当开关当开关S接位置接位置1时,三极管发射结电压时,三极管发射结电压UBEQ,PQ和和PN)提前提前清零,使计数器模值变为清零,使计数器模值变为N。2反馈置数法反馈置数法反馈置数法是通过在置数端置入某数(并行输入),使反馈置数法是通过在置数端置入某数(并行输入),使M进进制计数器在顺序计数过程中提前返回置数状态,构成制计数器在顺序计数过程中提前返回置数状态,构成N进制。
17、进制。上-页 下-页 返回第三节第三节 计计 数数 器器 1计数器用作分频器计数器用作分频器在数字系统中,常常需要获得不同频率的时钟或基准信号。在数字系统中,常常需要获得不同频率的时钟或基准信号。获得不同频率的时钟或基准信号的方法,一般都是对系统主获得不同频率的时钟或基准信号的方法,一般都是对系统主时钟信号进行分频。分频器可以降低信号的频率,是数字系时钟信号进行分频。分频器可以降低信号的频率,是数字系统中常用的器件。计数器可以作为分频器使用,一个统中常用的器件。计数器可以作为分频器使用,一个N进制进制的计数器同时又是一个的计数器同时又是一个N分频器。例如,在数字钟中,因为分频器。例如,在数字钟
18、中,因为需要一个精确的时钟信号,这一般均由石英晶体振荡器产生,需要一个精确的时钟信号,这一般均由石英晶体振荡器产生,而石英晶体振荡器产生的时钟信号频率通常都很高,所以需而石英晶体振荡器产生的时钟信号频率通常都很高,所以需要进行分频,使高频脉冲信号变成适合于计时的低频脉冲信要进行分频,使高频脉冲信号变成适合于计时的低频脉冲信号,即号,即“秒脉冲信号秒脉冲信号”(频率为(频率为1 Hz)。)。上-页 下-页 返回第三节第三节 计计 数数 器器 2计数器用于测量脉冲频率和周期计数器用于测量脉冲频率和周期(1)测量脉冲频率如测量脉冲频率如图图8-29所示,将待测频率的脉冲信号和所示,将待测频率的脉冲信
19、号和取样脉冲信号一起加到与门取样脉冲信号一起加到与门G,在取样脉冲为,在取样脉冲为Z的的t1 t2,期间,与门开启,输出待测频率的脉冲,由计数器计数,计期间,与门开启,输出待测频率的脉冲,由计数器计数,计数器值就是数器值就是t1 t2,期间的脉冲数,期间的脉冲数N,不难得到待测脉冲频,不难得到待测脉冲频率为率为f=N/(t1 t2)。(2)测量脉冲周期(宽度)测量脉冲周期(宽度)将上述测量脉冲频率的原理稍将上述测量脉冲频率的原理稍加改变,就可用来测量脉冲周期加改变,就可用来测量脉冲周期将基准频率为将基准频率为1MHz的脉冲信号经与门的脉冲信号经与门G加到计数器输入端,加到计数器输入端,在待测时
20、间间隔在待测时间间隔Tx内计数器对此信号进行计数。显然,计数内计数器对此信号进行计数。显然,计数器显示的值就是以器显示的值就是以s表示的脉冲周期表示的脉冲周期Tx。例如,脉冲周期为。例如,脉冲周期为26s,则计数器显示的值应为,则计数器显示的值应为26。上-页 返回图图8-2几种几种JK触发器的逻辑符号触发器的逻辑符号返回图图8-3由与非门构成的基本由与非门构成的基本RS触发器触发器返回表表8-2基本基本RS触发器状杰转换真值表触发器状杰转换真值表返回图图8-4基本基本RS触发器状态转换图触发器状态转换图返回图图8-7主从主从RS触发器逻辑符号触发器逻辑符号返回图图8-8 4位数码寄存器位数码
21、寄存器返回图图8-9 74L5173逻辑符号图逻辑符号图返回表表8一一4 74L5173功能表功能表返回图图8-10 4位左移寄存器位左移寄存器返回图图8-11 74L5194新标准逻辑符号图新标准逻辑符号图返回表表8-5 74L5194功能表功能表返回图图8-12移存型序列信号发生器移存型序列信号发生器返回图图8-14双双4位右移寄存器位右移寄存器cc4015用作分用作分频器频器返回图图8-15状态图及输出波形状态图及输出波形返回表表8一一6 74L5161功能表功能表返回图图8一一17 74L5161逻辑图逻辑图返回图图8-18 4位二讲制异未加法计数器位二讲制异未加法计数器74LS93返
22、回表表8-7 74L5192功能表功能表返回图图8-19 74L5192时序图时序图返回图图8-29 测量脉冲频率的框图测量脉冲频率的框图返回第九章数字电路在脉冲电路中的应用第九章数字电路在脉冲电路中的应用第一节第一节 脉冲的基本概念脉冲的基本概念第二节第二节 施密特电路施密特电路第三节第三节 单稳态电路单稳态电路第四节第四节 多谐振荡器多谐振荡器第五节第五节 555时基电路及应用时基电路及应用第一节第一节 脉冲的基本概念脉冲的基本概念一、什么叫脉冲一、什么叫脉冲“脉冲脉冲”从字面意义上是指脉动和持续时间短促的意思。在从字面意义上是指脉动和持续时间短促的意思。在本书中我们对电路中的脉冲(电脉冲
23、)进行讨论,电脉冲通本书中我们对电路中的脉冲(电脉冲)进行讨论,电脉冲通常是指非正弦规律变化的电压或电流,它有变化不连续、跳常是指非正弦规律变化的电压或电流,它有变化不连续、跳变的特征,在现代电子技术中有广泛的应用,常见的脉冲有变的特征,在现代电子技术中有广泛的应用,常见的脉冲有矩形波、方波、尖脉冲、三角波、阶梯波、锯齿波等,如矩形波、方波、尖脉冲、三角波、阶梯波、锯齿波等,如图图9-1所示。所示。二、脉冲的主要参数二、脉冲的主要参数在脉冲技术中,最常应用的是矩形脉冲波,如在脉冲技术中,最常应用的是矩形脉冲波,如图图9-2所示。所示。以下仅以矩形脉冲为例,介绍主要的脉冲参数。以下仅以矩形脉冲为
24、例,介绍主要的脉冲参数。脉冲幅度表示脉冲强弱,在数值上等于脉冲电压变化的最大脉冲幅度表示脉冲强弱,在数值上等于脉冲电压变化的最大值。值。下-页 返回第一节第一节 脉冲的基本概念脉冲的基本概念脉冲前沿指脉冲幅度从脉冲前沿指脉冲幅度从0.1Um上升到上升到0.9Um时所需的时间,时所需的时间,它表征脉冲幅度上升的快慢。它表征脉冲幅度上升的快慢。脉冲后沿指脉冲幅度从脉冲后沿指脉冲幅度从0.9Um下降到下降到0.1Um时所需的时间,时所需的时间,它表征幅度下降的快慢。它表征幅度下降的快慢。脉冲宽度脉冲宽度(。)指脉冲持续时间为有效宽度,它是脉冲前后指脉冲持续时间为有效宽度,它是脉冲前后沿的幅度各为沿的
25、幅度各为0.5 Um间的时间。间的时间。脉冲周期脉冲周期(T)指周期性重复的脉冲信号中,两个相邻脉冲之指周期性重复的脉冲信号中,两个相邻脉冲之间的时间间隔。间的时间间隔。三、三、RC充放电规律充放电规律 图图9-3是是RC充放电实验电路。当开关充放电实验电路。当开关S由由“2”转向转向“1”时,时,电源电源E要对电容要对电容C充电,充电时间的长短和充电电流的大小与充电,充电时间的长短和充电电流的大小与上-页 下-页 返回第一节第一节 脉冲的基本概念脉冲的基本概念 R、C的参数有关。由于电容的非线性特性,所以流过电容的的参数有关。由于电容的非线性特性,所以流过电容的电流、电压的变化也不是线性的。
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