模拟电子第八章7～8学时课件.ppt

1、课前提问课前提问 单相半控桥式可控整流电路和单相半波可控整流单相半控桥式可控整流电路和单相半波可控整流电路的移相范围各是多少？各有什么优点？电路的移相范围各是多少？各有什么优点？第三节第三节 单结晶体管电路单结晶体管电路（7 78 8节）节）一、单结晶体管一、单结晶体管二、单结晶体管振荡电路二、单结晶体管振荡电路一、单结晶体管一、单结晶体管1.单结晶体管的结构、符号单结晶体管的结构、符号EB2B1a)b)图8-22a)结构 b)符号内部有一个PN结单结晶体管三个电极发射极和两个基极双基极二极管 图8-24a 单结晶体管的外形图8-24b 单结晶体管的等效电路UURRURRRUBBBBBBBBB

2、BBBA1211EB2RB2RB1VDB1A-称为分压比，其值一般在0.3-0.9之间。2.单结晶体管的伏安特性单结晶体管的伏安特性图824 单结晶体管的伏安特性 （1）当UEUA时，PN结反向截止，单结晶体管也截止。对应曲线中P点以前的区域称为截止区截止区。（2）当UEUA 时，PN结正向偏置，当UE=UBB+UD时，PN结导通，IE显著增加，RB1阻值迅速减小，UE相应下降。电压随电流增加反而下降的特性，称为“负负阻特性阻特性”。管子由截止区进入负阻区的临界点P，称为“峰点”，与其对应的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Up和峰点电流Ip，Up=UBB+UD，其中UD为二极管正向压降（约为

3、0.7伏）。（3）随着IE上升，UE下降，当降到V点后，UE不再降了，V点称为“谷点”，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压UV和谷点电流IV。（4）过了V点后，单结晶体管又恢复正阻特性，即UE随IE增加便缓慢地上升，但变化很小，所以谷点右边的区域称为饱和区。显然Uv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果UEUv，管子重新截止。小小 结结 单结晶体管具有如下特点：当发射极电压等于峰点电压Up时，单结晶体管导通。导通后，发射极电压UE减小，当发射极电压UE减小到谷点电压UV时，管子又由导通转变为截止。一般单结晶体管的谷点电压在25V。单结晶体管的型号有BT31、BT33、BT35等，其中

4、“B”表示半导体，“T”表示特种管，“3”表示3个电极，第四个数字表示耗散功率为100mW、300mW、500mW。二、单结晶体管振荡电路二、单结晶体管振荡电路图825 单结晶体管振荡电路及波形a)电路 b)射极电压 c)输出电压 （1）接通电源VBB后，电源通过R1、R2加在单结晶体管的两个基极上，同时，电源通过RP、Re给电容C充电，电容两端电压uc按指数规律增加。（2）当ucUP时，单结晶体管截止，R1上没有电压输出。当uc达到峰点电压UP时，单结晶体管导通，RB1迅速减小，电容C通过RB1、R1迅速放电，在R1上形成脉冲电压。（3）随着电容C的放电，uE迅速下降，当uEUV时单结晶体管

5、截止，放电结束，输出电压又降到零，完成一次振荡。电源对电容再次充电，重复上述过程。于是在电容C上形成锯齿波脉冲，在R1上产生一系列的尖脉冲电压，如图825b所示。振荡过程的形成是利用了单结晶体管的负阻特性和RC的充放电特性实现的。改变RP的阻值（或电容C的大小），便可改变电容充放电的快慢，使输出脉冲波形前移或后移，从而控制晶闸管的触发导通时刻。显然=RC大时，充电过程较慢，触发脉冲后移，触发延迟角增大；小时，放电过程较快，触发脉冲前移，触发延迟角减小。1.单结晶体管的结构如何？表示符号？2.单结晶体管的具有什么特性？3.单结晶体管振荡电路是根据什么特性工作的？4.UBB20V，UD0.7V，单结晶体管的分压上比0.6，试问发射极电压升高到多少伏单结晶体管才能导通？UBB12V，情况又如何？