第05章-存储器及其与CPU接口0课件.ppt
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- 05 存储器 及其 CPU 接口 课件
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1、 5.1 半导体存储器的分类半导体存储器的分类 5.2 随机读随机读/写存储器写存储器 5.3 只读存储器只读存储器ROM 5.4 存储器与存储器与CPU的基本技术的基本技术 5.5 存储器的管理存储器的管理 5.6 高速缓冲存储器高速缓冲存储器 5.7 外部存储器简介外部存储器简介一、主要功能:存放系统工作时的信息(程序和数据)二、组成:由具有记忆功能的两态物理器件组成(电容、双稳态电路等)三、两种基本操作:读和写四、分类:1、按在微机系统中的位置分类:内存:内存:存放当前运行所需要的程序和数据外存:外存:存放当前暂不运行的程序和数据以及需要永久保存的数据又又(主存主存储器储器)(内部存储器
2、内部存储器)相对于外存,容量小,速度快,价格高在主板上(辅助存储器辅助存储器)(外部存储器外部存储器)在外部,通过I/O接口(适配器)与CPU相连,成批与CPU交换数据相对于内存,容量大,速度低,价格低2、按存储介质分磁存储器:磁存储器:磁芯、磁盘、磁带磁芯、磁盘、磁带半导体存储器:半导体存储器:光存储器:光存储器:光盘光盘1)按半导按半导体存储器体存储器制造工艺制造工艺2)按半导按半导体存储器体存储器工作方式工作方式和应用角和应用角度度(1)双极型双极型TTL(2)MOS型存储器型存储器(1)RAM(Random Acess Memory)(2)ROM(Read Only Memory)选择
3、存储器件的考虑因素选择存储器件的考虑因素(1)易失性 (2)只读性(3)位容量 (4)功耗(5)速度 (6)价格(7)可靠性 X地址译码线 D0 DO(I/O)接Y地址译码器 (I/O)T6 T5 VCC(+5V)A B T1 T2 T3 T4 T7 T8 CELL行选择线XD位线D 位线单管动态存储电路 3、NVRAM(Non Volatile RAM)非易失性RAM 掉电时,将SRAM信息写入E2PROM4、PSRAM(Pseudo Static RAM)伪静态RAM 片内集成了动态刷新电路5、MPRAM(Multiport RAM)多端口RAM (1)双口RAM (2)VRAM(Vide
4、o RAM)视频动态读写存储器 (3)双向FIFO,高速图形图像处理 (4)MPRAM:三口、四口等6、FPRAM(Ferroelectic RAM)铁介质读写存储器二、ROM(Read Only Memory)正常工作时,只读不可写,掉电不丢失 VDD 字线 0 字线 1 字线 2 字线 3 位线 1 位线 2 位线 3 位线 4 D3 D2 D1 D0 A0 A1 字 线 地 址 译 码 器 字线 4 1 2 32 I/O A5 A6 A7 A8 A9 1 2 32 A0 A1 A2 A3 A4 X地址译码器 Y 地址译码器 SSiO2浮栅 PPN衬底(a)行线位线输出位线DS浮栅管(b)
5、VCC A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O0 O1 O2 GND VCC A8 A9 VPP OE A10 CE O7 O6 O5 O4 O3 1 24 2 23 3 22 4 21 5 20 6 19 7 18 8 17 9 16 10 15 11 14 12 13 2716引脚引脚5、电可擦除可编程ROM(Electronic Erasible Programmable ROM,EEPROM)EEPROM内资料的写入要用专用的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压(1224V,随不同的芯片型号而定)。EEPROM在写入数据时,仍要利用一定的编程电压,此时,只需用
6、厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容,所以,它属于双电压芯片。借助于EPROM芯片的双电压特性,可以使BIOS具有良好的防毒功能,在升级时,把跳线开关打至“ON”的位置,即给芯片加上相应的编程电压,就可以方便地升级;平时使用时,则把跳线开关打至“OFF”的位置,防止病毒对BIOS芯片的非法修改。1Intel 2817的基本特点 R/BNC A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND VCC WE NC A8 A9 NC OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 1 28 2 27 3 26 4 25 5 24 6 23 7 22 8 21 9 2
7、0 10 19 11 18 12 17 13 16 14 15 Intel 2817的工作方式6、Flash Memory(闪存):(闪存):快擦型存储器是不用电池供电的、高速耐用的非易失性半导体快擦型存储器是不用电池供电的、高速耐用的非易失性半导体存储器,它以性能好、功耗低、体积小、重量轻等特点活跃于便携存储器,它以性能好、功耗低、体积小、重量轻等特点活跃于便携机存储器市场。机存储器市场。快擦型存储器具有快擦型存储器具有EEPROM的特点,可在计算机内进行擦除的特点,可在计算机内进行擦除和编程,它的读取时间与和编程,它的读取时间与DRAM相似,而写时间与磁盘驱动器相当。相似,而写时间与磁盘驱
8、动器相当。快擦型存储器有快擦型存储器有5V或或12V两种供电方式。对于便携机来讲,用两种供电方式。对于便携机来讲,用5V电电源更为合适。快擦型存储器操作简便,编程、擦除、校验等工作均源更为合适。快擦型存储器操作简便,编程、擦除、校验等工作均已编成程序,可由配有快擦型存储器系统的中央处理机予以控制。已编成程序,可由配有快擦型存储器系统的中央处理机予以控制。快擦型存储器可替代快擦型存储器可替代EEPROM,在某些应用场合还可取代,在某些应用场合还可取代SRAM,尤其是对于需要配备电池后援的,尤其是对于需要配备电池后援的SRAM系统,使用快擦型系统,使用快擦型存储器后可省去电池。快擦型存储器的非易失
9、性和快速读取的特点,存储器后可省去电池。快擦型存储器的非易失性和快速读取的特点,能满足固态盘驱动器的要求,同时,可替代便携机中的能满足固态盘驱动器的要求,同时,可替代便携机中的ROM,以,以便随时写入最新版本的操作系统。快擦型存储器还可应用于激光打便随时写入最新版本的操作系统。快擦型存储器还可应用于激光打印机、条形码阅读器、各种仪器设备以及计算机的外部设备中。印机、条形码阅读器、各种仪器设备以及计算机的外部设备中。半导体半导体存储器存储器只读存储器只读存储器(ROM)随机存取存储器随机存取存储器(RAM)静态静态RAM(SRAM)动态动态RAM(DRAM)非易失非易失RAM(NVRAM)PSR
10、AMMPRAMFPRAM掩膜式掩膜式ROM一次性可编程一次性可编程ROM(PROM)紫外线擦除可编程紫外线擦除可编程ROM(EPROM)OTPROM电擦除可编程电擦除可编程ROM(EEPROM)FLASH ROM 1、存储容量 2、速度:分存取时间TA和存取周期TAC 3、功耗:分维持功耗和操作功耗 4、可靠性:平均无故障时间MTBF 5、性价比(1)用字数用字数 位数表示,以位为单位。常用来表示存储芯位数表示,以位为单位。常用来表示存储芯片的容量,如片的容量,如1K 4位,表示该芯片有位,表示该芯片有1K个单元个单元(1K=1024),每个存储单元的长度为,每个存储单元的长度为4位。位。(2
11、)用字节数表示容量,以字节为单位,如用字节数表示容量,以字节为单位,如128B,表示,表示该芯片有该芯片有 128个单元,每个存储单元的长度为个单元,每个存储单元的长度为8位。现位。现代计算机存储容量很大,常用代计算机存储容量很大,常用KB、MB、GB和和TB为单为单位表示存储容量的大小。其中,位表示存储容量的大小。其中,1KB210B1024B;1MB220B1024KB;1GB230Bl024MB;1 TB240B1024GB。显然,存储容量越大,所能存储的信息越多,计算。显然,存储容量越大,所能存储的信息越多,计算机系统的功能便越强机系统的功能便越强。1 1存储容量存储容量返回上一张 2
12、存取时间存取时间 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。例如,读出时间是指从历的时间。例如,读出时间是指从CPU向存储器发出有向存储器发出有效地址和读命令开始,直到将被选单元的内容读出为止效地址和读命令开始,直到将被选单元的内容读出为止所用的时间。显然,存取时间越小,存取速度越快。所用的时间。显然,存取时间越小,存取速度越快。3存储周期存储周期 连续启动两次独立的存储器操作连续启动两次独立的存储器操作(如连续两次读操作如连续两次读操作)所所需要的最短间隔时间称为存储周期。它是衡量主存储器需要的最短间隔时间称为存储周期。它是衡量
13、主存储器工作速度的重要指标。一般情况下,存储周期略大于存工作速度的重要指标。一般情况下,存储周期略大于存取时间。取时间。4功耗功耗 功耗反映了存储器耗电的多少,同时也反映了其发热的功耗反映了存储器耗电的多少,同时也反映了其发热的程度。程度。返回上一张5可靠性可靠性 可靠性一般指存储器对外界电磁场及温度等变可靠性一般指存储器对外界电磁场及温度等变化的抗干扰能力。存储器的可靠性用平均故障化的抗干扰能力。存储器的可靠性用平均故障间隔时间间隔时间MTBF(Mean Time Between Failures)来衡量。来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。时间
14、间隔。MTBF越长,可靠性越高,存储器正越长,可靠性越高,存储器正常工作能力越强。常工作能力越强。6集成度集成度集成度指在一块存储芯片内能集成多少集成度指在一块存储芯片内能集成多少个基本存储电路,每个基本存储电路存放一位二进制信个基本存储电路,每个基本存储电路存放一位二进制信息,所以集成度常用位息,所以集成度常用位/片来表示。片来表示。返回上一张7性能性能/价格比价格比 性能性能/价格比价格比(简称性价比简称性价比)是衡量存储器经济性是衡量存储器经济性能好坏的综合指标,它关系到存储器的实用价能好坏的综合指标,它关系到存储器的实用价值。其中性能包括前述的各项指标,而价格是值。其中性能包括前述的各
15、项指标,而价格是指存储单元本身和外围电路的总价格。指存储单元本身和外围电路的总价格。X地址译码线 D0 DO(I/O)接Y地址译码器 (I/O)T6 T5 VCC(+5V)A B T1 T2 T3 T4 T7 T8 CELL行选择线XD位线D 位线5.2 RAM5.2.1 SRAM一、SRAM的内部结构X0CELLDD CELLDD CELLDD CELLDD CELLDD CELLDD 行地址译码CELLDD CELLDD CELLDD X0X1X15Y0Y1Y15行地址译码A3A2A1A0A7A6A5A4CEOEWED0D1D7 1、单译码结构 2、双译码结构 3、作用 4、优点:不用刷新
16、,速度快 缺点:功耗大,集成度低 CE三、SRAM芯片实例常用典型的SRAM芯片有6116、6264、62256等 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND VCC A8 A9 WE OE A10 CS D7 D6 D5 D4 D3 1 24 2 23 3 22 4 21 5 20 6 19 7 18 8 17 9 16 10 15 11 14 12 13 6116 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND VCC WE CS2A8 A9 A11 OE A10 CS D7 D6 D5 D4 D3 1 28 2 27
17、3 26 4 25 5 24 6 23 7 22 8 21 9 20 10 19 11 18 12 17 13 16 14 15 6264半导体存储器半导体存储器存储矩阵存储矩阵地址总线地址总线I/O缓冲器缓冲器数据总线数据总线读写控制读写控制/动态刷新电路动态刷新电路RAS#DRAM芯片的结构芯片的结构地址锁存器地址锁存器CAS#WE#半导体存储器半导体存储器FDRAM的特点的特点所用管子少,芯片位密度高所用管子少,芯片位密度高功耗小功耗小需要刷新需要刷新存取速度慢存取速度慢DRAM主要用来做内存主要用来做内存FDRAM的种类的种类FPM DRAM存取时间存取时间80100nsEDO DRA
18、M存取时间存取时间5070ns SDRAM存取时间存取时间610nsSIMMSingle Inline Memory Module单列直插式内存模块单列直插式内存模块72线:线:32位数据、位数据、12位行列公用地址、位行列公用地址、RAS#、CAS#等等在在Pentium微型机中必须成对使用微型机中必须成对使用FPM/EDO半导体存储器半导体存储器FDRAM内存条内存条的种类的种类DIMMDual Inline Memory Module双列直插式内存模块双列直插式内存模块168线:线:64位数据、位数据、14位行列公用地址、位行列公用地址、RAS#、CAS#等等可单数使用可单数使用FPM/
19、EDO/SDRAMFDRAM内存条内存条的种类的种类 5.4.1 CPU与存储器的连接时应注意的问题 5.4.2 存储器片选信号的产生方式和译码电路 5.4.3 CPU(8088系列)与存储器的连接 返回本章首页返回本章首页译码器存储器CPU及其配置芯片MEMWMEMR1CPU总线的带负载能力 8086和8088本身可带5个14LS或74HC(CMOS)系统较大时用AB、CB采用单向缓冲 DB采用双向缓冲2CPU的时序与存储器的存取速度之间的配合 CPU发出命令后,存储器必须在规定的时间内译码完成读写操作。3、存储器的组织、地址分配与片选问题返回本节返回本节 1片选信号的产生方式(1)线选方式
20、(线选法)(2)局部译码选择方式(部分地址译码法)(3)全局译码选择方式(全地址译码法)RESETREADYRESETREADY8284RESETREADYX1X2GNDVCCXMMN/ALEBHE8282*3STBDI0 DI7T OE DENDT/RM/IO WRINTA RDHOLDINTRHLDA8286*2NMI一、存储器基本模型译码器存储器A0AnD0D7 CEA0AnD0D7 An+1AxCPU及其配置芯片地址线的位数:地址线的位数决定了存储器芯片内可寻址的单元数地址线的位数:地址线的位数决定了存储器芯片内可寻址的单元数目,如目,如Intel6264(8K8)有有13条地址线,则
21、可寻址的单元数为条地址线,则可寻址的单元数为8K个个.数据线的根数:决定一次输入输出的数据的宽度,如数据线的根数:决定一次输入输出的数据的宽度,如Intel6264(8K8)有有8条数据线,则每次可操作数据为条数据线,则每次可操作数据为8位位综上,综上,6264总的容量为总的容量为8KB=8K8bit=64Kbit控制线:控制线:RAM芯片的控制引脚信号一般有:芯片选择信号、读芯片的控制引脚信号一般有:芯片选择信号、读/写写控制信号,对动态控制信号,对动态RAM(DRAM)还有行、列地址选通信号。)还有行、列地址选通信号。译码器存储器A0AnD0D7 CEA0AnD0D7 An+1AxCPU及
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