电路第-8-章-半导体二极管及应用-课件1.ppt

1、第八章 半导体二极管及其应用学习目的：、了解半导体的基本知识。、理解PN结的形成及特点。、理解二极管的伏安特性及主要参数。、了解二极管的主要应用。第八章 半导体二极管及其应用 半导体的基本知识半导体的基本知识 8.1半导体二极管半导体二极管8.2半导体二极管的应用半导体二极管的应用 8.31.1.半导体半导体：导电性能介于导体与绝缘体之间的物体导电性能介于导体与绝缘体之间的物体8.1 8.1 半导体基础半导体基础2.2.半导体材料半导体材料：硅（硅（SiSi）和锗（）和锗（GeGe）Si Si Si Si共价健共价健8.1 8.1 半导体基础半导体基础3.3.半导体导电特性半导体导电特性：热敏

2、性、光敏性、掺杂性热敏性、光敏性、掺杂性 半导体种类半导体种类：N N型半导体和型半导体和P P型半导体型半导体8.1 8.1 半导体基础半导体基础N N型半导体型半导体 Si Si Si Sip+多余电多余电子子磷原子磷原子半导体种类半导体种类：N N型半导体和型半导体和P P型半导体型半导体8.1 8.1 半导体基础半导体基础P P型半导体型半导体 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴PNPN结定义结定义8.1 8.1 半导体基础半导体基础定义：将定义：将P P型半导体和型半导体和N N型半导体紧密结合在一起型半导体紧密结合在一起 在交界面处会产生一种特殊的导电层。在交界面处会产生

3、一种特殊的导电层。P PNPNPN结结IIP PN8.1 8.1 半导体基础半导体基础P PNPNPN结正向导通结正向导通PNPN结反向截止结反向截止PNPN结特性结特性特性：单向导电性特性：单向导电性P PN正极正极负极负极外壳外壳符号：-+VD1.1.定义定义：用：用PNPN结做成的器件就是半导体二极管。结做成的器件就是半导体二极管。8.2 8.2 半导体二极管半导体二极管2.2.结构与符号结构与符号：结构：3、类型按半导体材料不同，可分为锗二极管和硅二极管；按照管芯结构不同，可分为点接触型、面接触型8.2 8.2 半导体二极管半导体二极管4 4、特性、特性：单向导电性：单向导电性 图图1

4、 1 图图2 28.2 8.2 半导体二极管半导体二极管8.2 8.2 半导体二极管半导体二极管伏安特性曲线伏安特性曲线反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+IsIs 导通状态 截止状态8.2 8.2 半导体二极管半导体二极管二极管的测量二极管的测量PN+主要参数主要参数 最大整流电流最大整流电流IF：指长期运行时，二极管允许通过的：指长期运行时，二极管允许通过的最大正向平均电流。最大正向平均电流。最大反向工作电压最大反向工作电压URM：指正常工作时，二极管所能：指正常工作时，二极管所能承受的反向电压的最大值。承受的反向电压的最大值。反向击穿电压反向击穿电压UBR：

5、指反向电流明显增大，超过某规：指反向电流明显增大，超过某规定值时的反向电压。定值时的反向电压。最高工作频率最高工作频率fM：是由：是由PN结的结电容大小决定的参数。结的结电容大小决定的参数。当工作频率当工作频率ffM，结电容的容抗减小到可以和反向交流，结电容的容抗减小到可以和反向交流电阻相比时，二极管将逐渐失去它的单向导电性。电阻相比时，二极管将逐渐失去它的单向导电性。8.2 8.2 半导体二极管半导体二极管8.38.3半导体二极管的应用半导体二极管的应用整流二极管整流二极管有波纹的有波纹的直流电压直流电压稳压稳压直流直流电压电压交流交流电压电压脉动脉动直流电压直流电压整流整流稳压二极管稳压二极管8.3 8.3 半导体二极管的应用半导体二极管的应用发光二极管发光二极管半导体器件型号命名方法 半导体件器型号的命名方法半导体件器型号的命名方法