[工程科技]第2章基本放大电路课件.ppt

1、模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）第六讲第六讲 基本共射放大电路的基本共射放大电路的 工作原理工作原理 教学基本要求：教学基本要求：1、如何组成基本放大电路、如何组成基本放大电路2、如何分析放大电路、如何分析放大电路一、放大的概念与放大电路的性能指标一、放大的概念与放大电路的性能指标二、基本共射放大电路的组成及各元件的作用二、基本共射放大电路的组成及各元件的作用三、设置静态工作点的必要性三、设置静态工作点的必要性四、基本共射放大电路的工作原理四、基本共射放大电路的工作原理五、放大电路的组成原则五、放大电路的组成原则模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）一、放大的

2、概念及放大电路的性能指标一、放大的概念及放大电路的性能指标1 1、放大的概念、放大的概念u放大的对象：变化量放大的对象：变化量u放大的本质：能量的控制放大的本质：能量的控制u放大的特征：功率放大放大的特征：功率放大u放大的基本要求：不失真，放大的前提放大的基本要求：不失真，放大的前提判断电路能否放判断电路能否放大的基本出发点大的基本出发点模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）2 2、性能指标、性能指标ioUUAAuuuioIIAAiiiioIUAuiioUIAiu1)1)放大倍数：输出量与输入量之比放大倍数：输出量与输入量之比电压放大倍数是最常研究和测试的参数电压放大倍数是最常研

3、究和测试的参数信号源信号源信号源信号源内阻内阻输入电压输入电压输出电压输出电压输入电流输入电流输出电流输出电流任何放大电路均可看成为两端口网络。任何放大电路均可看成为两端口网络。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）2)2)输入电阻和输出电阻输入电阻和输出电阻iiiIUR LooLoooo)1(RUURUUUR 将输出等效将输出等效成有内阻的电成有内阻的电压源，内阻就压源，内阻就是输出电阻。是输出电阻。空载时输出空载时输出电压有效值电压有效值带带RL时的输出电时的输出电压有效值压有效值输入电压与输入电压与输入电流有输入电流有效值之比。效值之比。从输入端看进去的从输入端看进去的等效

4、电阻等效电阻模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）3)3)通频带通频带4)最大不失真输出电压最大不失真输出电压Uom：交流有效值。交流有效值。由于电容、电感及半导体器件由于电容、电感及半导体器件PN结的电容效应，使放大电结的电容效应，使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降，并产生相路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降，并产生相移。移。衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。下限频率下限频率下限频率下限频率LHbwfff模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）二、基本共射放大电路的组成及各元件的作用二、基本共射放

5、大电路的组成及各元件的作用VBB、Rb：使：使UBE Uon，且有，且有合适的合适的IB。VCC：使：使UCEUon，同时作为负，同时作为负载的能源载的能源。Rc：将：将iC转换成转换成uCE(uo)。)(oCEcbicuuiiiuR动态信号作用时：动态信号作用时：输入电压输入电压Ui为零时，晶体管各极的电流、为零时，晶体管各极的电流、b-e间电压、管间电压、管压降，称为静态工作点压降，称为静态工作点Q。记作。记作IBQ、ICQ（IEQ）、）、UBEQ、UCEQ。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）三、设置静态工作点的必要性三、设置静态工作点的必要性 输出电压必然失真！输出电压

6、必然失真！设置合适的静态工作点，首先要解决失真问题；但设置合适的静态工作点，首先要解决失真问题；但Q点点几乎影响着所有的动态参数！几乎影响着所有的动态参数！为什么放大的对象是动态信号，却要晶体管在信号为零为什么放大的对象是动态信号，却要晶体管在信号为零时有合适的直流电流和极间电压？时有合适的直流电流和极间电压？模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）四、基本共射放大电路的工作原理四、基本共射放大电路的工作原理t tuCEUCEQVCC0t tuCEUCEQVCC0饱和失真饱和失真截止失真截止失真底部失真底部失真顶部失真顶部失真动态信号动态信号驮载在静驮载在静态之上态之上输出和输入反

7、相！输出和输入反相！要想不失真，就要想不失真，就要在信号的整个周期要在信号的整个周期内保证晶体管始终工内保证晶体管始终工作在放大区！作在放大区！波形分析波形分析模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）五、放大电路的组成原则五、放大电路的组成原则n静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电路参数。路参数。n动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。载上能够获得放大了的动态信号。n对实用放大电路的要求：对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流

8、分量。尽可能少、负载上无直流分量。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）两种实用放大电路两种实用放大电路直接耦合放大电路直接耦合放大电路问题：问题：1、两种电源、两种电源2、信号源与放大电路不、信号源与放大电路不“共地共地”将两个电源将两个电源合二而一合二而一共地，且要使信号共地，且要使信号驮载在静态之上驮载在静态之上静态时，静态时，b1BEQRUU动态时，动态时，b-e间电压是间电压是uI与与Rb1上电压之和。上电压之和。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）两种实用放大电路两种实用放大电路阻容耦合放大电路阻容耦合放大电路 耦合电容的容量应足够耦合电容的容量应足够

9、大，即对于交流信号近似大，即对于交流信号近似为短路。其作用是为短路。其作用是“隔离隔离直流、通过交流直流、通过交流”。静态时，静态时，C1、C2上电压？上电压？CEQC2BEQC1UUUU，动态时，动态时，C1、C2为耦合电容！为耦合电容！UBEQUCEQuBEuIUBEQ，信号驮载在静态之上。，信号驮载在静态之上。负载上只有交流信号。负载上只有交流信号。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）讨论1、用、用NPN型管组成一个在本节课中未见过的共型管组成一个在本节课中未见过的共射放大电路。射放大电路。2、用、用PNP型管组成一个共射放大电路。型管组成一个共射放大电路。照葫芦画瓢！照

10、葫芦画瓢！模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）第七讲 放大电路的分析方法一、放大电路的直流通路和交流通路二、图解法三、等效电路法模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）一、直流通路和交流通路一、直流通路和交流通路1.直流通路：直流通路：Us=0，保留，保留Rs；电容开路；电容开路；电感相当于短路（线圈电阻近似为电感相当于短路（线圈电阻近似为0）。）。2.交流通路：交流通路：大容量电容相当于短路；大容量电容相当于短路；直流电源相当于短路（内阻为直流电源相当于短路（内阻为0）。）。通常，放大电路中直流电源的作用和交流信号的通常，放大电路中直流电源的作用和交流信号的作用共

11、存，这使得电路的分析复杂化。为简化分析，作用共存，这使得电路的分析复杂化。为简化分析，将它们分开作用，引入直流通路和交流通路。将它们分开作用，引入直流通路和交流通路。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）cCQCEQBQCQbBEQBBBQ RIVUIIRUVICC VBB越大，越大，UBEQ取不同的取不同的值所引起的值所引起的IBQ的误差越小。的误差越小。基本共射放大电路的直流通路和交流通路基本共射放大电路的直流通路和交流通路 列晶体管输入、输出回路方程，将列晶体管输入、输出回路方程，将UBEQ作为已知条件，作为已知条件，令令ICQIBQ，可估算出静态工作点。，可估算出静态工作

12、点。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）cCQCCCEQBQCQbBEQCCBQ RIVUIIRUVI当当VCCUBEQ时，时，bCCBQRVI已知：已知：VCC12V，Rb600k，Rc3k，100。Q？直流通路直流通路阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）讨论一讨论一画图示电路的直流通路和交流通路。画图示电路的直流通路和交流通路。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）二、图解法二、图解法1.1.静态分析：图解二元方程静态分析：图解二元方程bBBBBERiVuc

13、CCCCERiVu输入回路输入回路负载线负载线QIBQUBEQQIBQICQUCEQ负载线负载线模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）符号为“”。反相，与给定uuAuuuuAuuiiuIOIOOCECBI)(bBIBBBERiuVuIuBBQBiIICiCEu斜率不变斜率不变模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）3、失真分析、失真分析n截止失真截止失真消除方法：增大消除方法：增大VBB，即向上平移输入回路负载线。，即向上平移输入回路负载线。t截止失真是在输入回路首先产生失真！截止失真是在输入回路首先产生失真！Q减小减小Rb能消除截止失真吗？能消除截止失真吗？模拟电子

14、技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）饱和失真饱和失真饱和失真产生于晶体管的输出回路！饱和失真产生于晶体管的输出回路！模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）消除饱和失真的方法消除饱和失真的方法n消除方法：增大消除方法：增大Rb，减小，减小VBB，减小，减小Rc，减小，减小，增大，增大VCC。Q QRb或或或或VBB Rc或或VCC2 最大不失真输出电压最大不失真输出电压Uom：比较：比较UCEQ与（与（VCC UCEQ），），取其小者，除以取其小者，除以 。这可不是这可不是好办法！好办法！模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）4、图解法的特点、图解法的特点n形

15、象直观；形象直观；n适应于适应于Q点点分析分析、失真分析、最大不失真、失真分析、最大不失真输出电压的分析；输出电压的分析；n能够用于大信号分析；能够用于大信号分析；n不易准确求解；不易准确求解；n不能求解输入电阻、输出电阻、频带等等不能求解输入电阻、输出电阻、频带等等参数。参数。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）直流负载线和交流负载线直流负载线和交流负载线Uom=?Q点在什么位置点在什么位置Uom最大？最大？交流负载线应过交流负载线应过Q点，且点，且斜率决定于（斜率决定于（RcRL）BRILCQ模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）讨论二讨论二1、在什么参数、如

16、何变化时、在什么参数、如何变化时Q1 Q2 Q3 Q4？2、从输出电压上看，哪个、从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪点下最易产生截止失真？哪个个Q点下最易产生饱和失真？哪个点下最易产生饱和失真？哪个Q点下点下Uom最大？最大？模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）讨论三讨论三2、空载和带载两种情况下、空载和带载两种情况下Uom分别为多少？分别为多少？3、在图示电路中，有无可能在空载时输出电压失真，、在图示电路中，有无可能在空载时输出电压失真，而带上负载后这种失真消除？而带上负载后这种失真消除？已知已知ICQ2mA，UCES0.7V。1、在空载情况下，当输、在空载情况下

17、，当输入信号增大时，电路首先出入信号增大时，电路首先出现饱和失真还是截止失真？现饱和失真还是截止失真？若带负载情况呢？若带负载情况呢？模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）12V9V6V2mA1、在空载情况下，当输入信号增大时，、在空载情况下，当输入信号增大时，UCEQ-UCES与与（VCC UCEQ）相比，）相比，电路首先出现饱和失真电路首先出现饱和失真.若带负载情况若带负载情况,UCEQ-UCES与与ICQRL电路首先出现截止失真电路首先出现截止失真空载情况下空载情况下Uom=6-0.7=5.3V带载情况下带载情况下Uom=2*（3/3）=3V不可能不可能模拟电子技术基础（第

18、二章）模拟电子技术基础（第二章）图解分析法图解分析法分分析析思思路路biivcicev输入特性曲线输入特性曲线cbii输出特性曲输出特性曲线线交流负载线交流负载线模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）三、等效电路法n半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化。半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化。利用线性元件建立模型，来描述非线性器件的特性。利用线性元件建立模型，来描述非线性器件的特性。cCQCEQBQCQbBEQBBBQ RIVUIIRUVICC输入回路等效为输入回路等效为恒压源恒压源输出回路等效为电流控制的电流源输出回路等效为电流控制的电流源1 1、直流模型：适于、

19、直流模型：适于Q Q点的分析点的分析理想二极管理想二极管利用估算法求解静态工作点，实质上利用了直流模型。利用估算法求解静态工作点，实质上利用了直流模型。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）2 2、晶体管的、晶体管的h参数等效模型（交流等效模型）参数等效模型（交流等效模型）n在交流通路中可将晶体管看成在交流通路中可将晶体管看成为一个两端口网络，输入回路、为一个两端口网络，输入回路、输出回路各为一个端口。输出回路各为一个端口。)()(CEBCCEBBEuifiuifu，模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）在低频、小信号作用下的关系式在低频、小信号作用下的关系式CEC

20、ECBBCCCECEBEBBBEBEddddddBCEBCEuuiiiiiuuuiiuuIUIUCE22b21CCE12b11be UhIhIUhIhU交流等效模型（按式子画模型）交流等效模型（按式子画模型）电阻电阻无量纲无量纲无量纲无量纲电导电导模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）h参数的物理意义参数的物理意义beBBE11CEriuhUBCEBE12IuuhCEBC21UiihceCEC221Bruihib-e间动态间动态电阻电阻内反馈内反馈系数系数电流放大系数电流放大系数c-e间电导间电导分清主次，合理近似！什么情况下分清主次，合理近似！什么情况下h12和和h22的作用可

21、忽略不计？的作用可忽略不计？模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）简化的简化的h h参数等效电路交流等效模型参数等效电路交流等效模型EQTbbebbbbbbbbebe)1()1(IUrrrIUUIUreb查阅手册查阅手册基区体电阻基区体电阻发射结电阻发射结电阻发射区体电阻发射区体电阻数值小可忽略数值小可忽略利用利用PN结的电流方程可求得结的电流方程可求得由由IEQ算出算出在输入特性曲线上，在输入特性曲线上，Q点越高，点越高，rbe越小！越小！模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）3 3、放大电路的动态分析、放大电路的动态分析)()(bebbbebiirRIrRIUc

22、coRIUbebcio rRRUUAubebiiirRIURcoRR bece放大电路的放大电路的交流等效电路交流等效电路0bI模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）阻容耦合共射放大电路的动态分析阻容耦合共射放大电路的动态分析ioUUAubebebirrRRiosisosUUUUUUAucoRR beLbebLcio)(rRrIRRIUUAcuuuARRRUUUUUUAisiiosisos模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）讨论四讨论四：基本共射放大电路的静态分析（：基本共射放大电路的静态分析（1）mAIIRUVI4.2 A30BQCQbBEQBBBQcCQCEQ

23、RIVUCCKRRRVVccRRRVVRIVUCLLCLLCCCC5.1/84.4cCQCEQ模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）讨论四讨论四：基本共射放大电路的静态分析（：基本共射放大电路的静态分析（2）QIBQ35AUBEQ0.65V20080bbrV8.3mA8.2cCQCCCEQBQCQRIVUII 为什么用为什么用图解法求解图解法求解IBQ和和UBEQ？模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）讨论四讨论四：基本共射放大电路的动态分析：基本共射放大电路的动态分析k3k1111)(cobebibebLcRRrRRrRRRAu952)1(EQTbbbeIUrr模

24、拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）讨论五讨论五：阻容耦合共射放大电路的静态分析：阻容耦合共射放大电路的静态分析k180ber，A200bBEQCCBQRUVI为什么可为什么可忽略？忽略？mA6.1BQCQIIV2.7cCQCCCEQRIVU模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）k180ber，60)(beLcisirRRRRRsisosbeLc120)(UUUUArRRAuuk1bebirRRk3coRR模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）例一例一在图所示电路中，已知晶体管在图所示电路中，已知晶体管的的 80，rbe1k 20mV；静态时静态时UB

25、EQ0.7V，UCEQ4V，IBQ20A。判断下列结论。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打是否正确，凡对的在括号内打“”，否则打，否则打“”。iUbeLc)(rRRAuk1bebirRRk5coRR20015.280sU60mV模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）1.画出直流通路和交流通路画出直流通路和交流通路2.分析分析RL和和RL3k时的时的Q点、点、Ri 和和Ro。(作业）作业）uA3k56k5k5k例二例二模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）例三故障判断例三故障判断电路如图电路如图P2.6所示，已知晶体管所示，已知晶体管 50，在下列情况下，用直流电

26、，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设分别为多少？设VCC12V，晶体，晶体管饱和管压降管饱和管压降UCES0.5V.（1）正常情况）正常情况解：设解：设UBE0.7V。则。则基基极静态电流极静态电流 V4.6mA022.0cCCCCb1BEb2BECCBRIVURURUVI模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）（2）Rb1短路短路 由于由于UBE0V，T截止，截止，UC12V。（3）Rb1开路开路临界饱和基极电流临界饱和基极电流 mA045.0 cCESCCBSRUVImA22.0 b2BECCBRUVI实际基极电流实际基

27、极电流 由于由于IBIBS，故，故T饱和，饱和，UCUCES0.5V。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）（4）T截止，截止，UC12V。（5）由于集电极直接接直流电源，）由于集电极直接接直流电源，UCVCC12V模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）第八讲第八讲 静态工作点的稳定静态工作点的稳定一、温度对静态工作点的影响二、静态工作点稳定的典型电路三、稳定静态工作点的方法模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）一、温度对一、温度对静态工作静态工作点的影响点的影响 所谓所谓Q点稳定，是指点稳定，是指ICQ和和UCEQ在温度变化时基本不变，在温度变化时基

28、本不变，这是靠这是靠IBQ的变化得来的。的变化得来的。T（）ICQQ 若温度升高时要若温度升高时要Q回到回到Q，则只有减小则只有减小IBQICEO若若UCEQ不变不变IBQQ模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）二、二、静态工作点稳定的静态工作点稳定的典型电路典型电路 1.电路组成电路组成直流通路？直流通路？Ce为旁路电容，在交流为旁路电容，在交流通路中可视为短路通路中可视为短路模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）CCb21b1bBQVRRRUeBEQBQEQ RUUI2.稳定原理稳定原理 为了稳定为了稳定Q点，通常点，通常I1 IB，即，即I1 I2；因此；因此

29、基本不随温度变化。基本不随温度变化。设设UBEQ UBEUBE，若，若UBEQ UBE UBE，则，则UEQ稳定。稳定。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）Re 的的作用作用T()ICUE UBE（UB基本不变）基本不变）IB IC Re起直流负反馈作用，其值越大，反馈越强，起直流负反馈作用，其值越大，反馈越强，Q点越稳定。点越稳定。关于反馈的一些概念：关于反馈的一些概念：将输出量通过一定的方式引回输入回路影响输入量的措将输出量通过一定的方式引回输入回路影响输入量的措施称为反馈。施称为反馈。直流通路中的反馈称为直流反馈。直流通路中的反馈称为直流反馈。反馈的结果使输出量的变化减小

30、的称为负反馈，反之称反馈的结果使输出量的变化减小的称为负反馈，反之称为正反馈。为正反馈。Re有上限值吗？有上限值吗？IC通过通过Re转换为转换为UE影响影响UBE温度升高温度升高IC增大，反馈的结果使之减小增大，反馈的结果使之减小模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）3.Q点分析点分析eBEQBQEQCCb21b1bBQRUUIVRRRU分压式电流负反馈工作点稳定电路分压式电流负反馈工作点稳定电路什条件下成立？什条件下成立？)(ecEQCCeEQcCQCCCEQRRIVRIRIVUEQBQII模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）b21bbCCb21b1bBBRRR

31、VRRRVeBQBEQBQeBQBEQbBQeEQBEQbBQBB)1()1(RIUURIURIRIURIV利用戴维宁定理等效变换后求解利用戴维宁定理等效变换后求解Q点点Rb上静态电压上静态电压可忽略不计！可忽略不计！CCb21b1bBQbe )1(VRRRURR，则若模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）4.动态分析动态分析beLio rRUUAubeb2b1irRRRcoRR ee)1()(beLebebLcbioRrRRIrIRRIUUAu)1(ebeb2b1iRrRRR利?弊?eLbee)1(RRArRu，则若无旁路电容无旁路电容Ce时：时：利:Ri较大，静态工作电点稳定

32、弊：Au较小)1(fbeb2b1iRrRRRfe)1()(beLebebLcbioRrRRIrIRRIUUAuRf模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）三、稳定静态工作点的方法三、稳定静态工作点的方法n引入直流负反馈引入直流负反馈n温度补偿：利用对温度温度补偿：利用对温度敏感的元件，在温度变敏感的元件，在温度变化时直接影响输入回路。化时直接影响输入回路。例如，例如，Rb1或或Rb2采用热敏采用热敏电阻。电阻。Rb1应具有负温度应具有负温度系数，系数，Rb2应具有正温度应具有正温度系数。系数。Bb1CBBEEC )(URIIUUIT 模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二

33、章）讨论讨论图示两个电路中是否采用了措施来稳定静态工作点？图示两个电路中是否采用了措施来稳定静态工作点？若采用了措施，则是什么措施？若采用了措施，则是什么措施？模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）第九讲 晶体管放大电路的三种接法一、基本共集放大电路二、基本共基放大电路三、三种接法放大电路的比较四、三种接法的组合形式模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）一、基本共集放大电路一、基本共集放大电路 1.静态分析静态分析eEQCEQCCeEQBEQbBQBBRIUVRIURIVeEQCCCEQBQEQebBEQBBBQ)1()1(RIVUIIRRUVI模拟电子技术基础（第

34、二章）模拟电子技术基础（第二章）2.动态分析：电压放大倍数动态分析：电压放大倍数ebebeeebebbeeio)1()1()(RrRRRIrRIRIUUAu。，即，则）若（1 1iobebeUUArRRu故称之为射故称之为射极跟随器极跟随器Uo Ui模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）2.动态分析：输入电阻的分析动态分析：输入电阻的分析ebebbiiii)1(RrRIUIURRi与负载有关！与负载有关！RL)/)(1(LebebiRRrRR带负载电阻后带负载电阻后模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）2.动态分析：输出电阻的分析动态分析：输出电阻的分析 oooIU

35、RRo与信号源内阻有关！与信号源内阻有关！3.特点特点 输入电阻大，输出电阻小；只放大电流，不放大电压；输入电阻大，输出电阻小；只放大电流，不放大电压；在一定条件下有电压跟随作用！在一定条件下有电压跟随作用！oU令令Us为零，保留为零，保留Rs，在输出端加，在输出端加Uo，得：，得：eooooeIIUIURR )1(beboeooeooooerRURUUIIUIURR 1)1(bebebeboeooeooooerRRrRURUUIIUIURR模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）二、基本共基放大电路二、基本共基放大电路 1.静态分析静态分析eBEQBBEQRUVI1EQBQIIB

36、EQcEQCCCEQURIVUCCBEQCEQeCQBBeEQBEQVUURIVRIU模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）2.动态分析动态分析3.特点：特点：输入电阻小，频带宽！只放大电压，不放大电流！输入电阻小，频带宽！只放大电压，不放大电流！)1(beeirRRcoRR ebecbebeeccio)1(RrRrIRIRIUUAu模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）三、三种接法的比较：空载情况下三、三种接法的比较：空载情况下 接法接法 共射共射 共集共集 共基共基 Au 大大 小于小于1 大大 Ai 1 Ri 中中 大大 小小 Ro 大大 小小 大大 频带频带

37、 窄窄 中中 宽宽模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）四、三种接法的组合形式n为使单级放大电路具有多方面的优良性能，有时为使单级放大电路具有多方面的优良性能，有时采用组合接法。例如：采用组合接法。例如：n共射共基形式：输入电阻高、电压放大倍数较大、共射共基形式：输入电阻高、电压放大倍数较大、频带宽频带宽n共集共射形式：输入电阻高、电压放大倍数较大共集共射形式：输入电阻高、电压放大倍数较大模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）第十讲第十讲 场效应管放大电路场效应管放大电路一、场效应管放大电路静态工作点一、场效应管放大电路静态工作点的设置方法的设置方法二、场效应管放大

38、电路的动态分析二、场效应管放大电路的动态分析模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）夹断夹断电压电压漏极饱漏极饱和电流和电流2GS(off)GSDSSD)1(UuIi在恒流区时1.结型场效应管结型场效应管符号符号IDSS温故知新温故知新模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）2.MOS管的特性管的特性1)增强型增强型MOS管管2)耗尽型耗尽型MOS管管开启开启电压电压夹断夹断电压电压DGS(th)GSDO2GS(th)GSDOD2)1(iUuIUuIi时的为式中在恒流区时，模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）3.工作在恒流区时工作在恒流区时g-s、d-s

39、间的电压极性间的电压极性 )0(P)0(N)00(P)00(N)00(P)00(NDSGSDSGSDSGSDSGSDSGSDSGS极极性性任任意意，沟沟道道极极性性任任意意，沟沟道道耗耗尽尽型型，沟沟道道，沟沟道道增增强强型型绝绝缘缘栅栅型型，沟沟道道，沟沟道道结结型型场场效效应应管管uuuuuuuuuuuuuGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？可工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？才工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？才工作在恒流区的场效应管有哪几种？模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）一、场效

40、应管静态工作点的设置方法一、场效应管静态工作点的设置方法 1.基本共源放大电路基本共源放大电路 根据场效应管工作在恒流区的条件，在根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间间加极性合适的电源加极性合适的电源dDQDDDSQ2GS(th)GGDODQGGSQ)1(RIVUUVIIVUG模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）2.自给偏压电路自给偏压电路sDQSQGQGSQsDQSQGQ0RIUUURIUU，2GS(off)GSQDSSD)1(UUII)(sdDQDDDSQRRIVU由正电源获得负偏压由正电源获得负偏压称为自给偏压称为自给偏压模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技

41、术基础（第二章）哪种场效应管能够采用这种电路形式设置哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？点？耗尽型耗尽型N沟道沟道MOS管管3.分压式偏置电路分压式偏置电路sDQSQDDg2g1g1AQGQRIUVRRRUU2GS(th)GSQDOD)1(UUII)(sdDQDDDSQRRIVU为什么加为什么加Rg3?其数值应大些小些？其数值应大些小些？即典型的即典型的Q点稳定电路点稳定电路模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）三、场效应管放大电路的动态分析三、场效应管放大电路的动态分析 1.场效应管的交流等效模型场效应管的交流等效模型DSGSDmUuig近似分析时可认近似分析时可认为其为

42、无穷大！为其为无穷大！根据根据iD的表达式或转移特性可求得的表达式或转移特性可求得gm。与晶体管的与晶体管的h参数等效模型类比：参数等效模型类比：模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）GS(off)2GS(off)GS2DSSGS(off)GSGS(off)DSSGSDmDSDSDS1212UUuIUuUIuigUUU DDSSGS(off)2iIU 当小信号作用时，可以用来当小信号作用时，可以用来 近似近似id d，所以，所以 DQIDQDSSGS(off)m2IIUg同理，对于增强型同理，对于增强型MOS管管DQDOGS(th)m2IIUg模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技

43、术基础（第二章）例例2.7.1 已知图中所示电路已知图中所示电路 6VGGVV21DDV3kdR4VGS(th)V10mADOI解：（解：（1）求）求Q：6VGGGSVV2.5mA12GS(th)GSQDODQUUII试估算电路的试估算电路的Q点点 uAoRV4.5dDQDDDSQRIVU2.基本共源放大电路的动态分析基本共源放大电路的动态分析模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）5.7dmgsddio RgURIUUAu2.5mS2DQDOGS(th)mIIUgdoiRRR 模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）5)/(Ldmiou RRgUUA MRRRR1.2

44、/g2g1g3i kRR5dosDQSQDDg2g1g1AQGQRIUVRRRUU2GS(th)GSQDOD)1(UUII)(sdDQDDDSQRRIVUDQDOGS(th)m2IIUg 场效应管共源放大电的输入电阻远大于共射放大电路的输入电阻，场效应管共源放大电的输入电阻远大于共射放大电路的输入电阻，但它的电压放大能力不如共射电路，因此，只有在要求输入电阻但它的电压放大能力不如共射电路，因此，只有在要求输入电阻很高的情况下才应用。很高的情况下才应用。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）3.基本共漏放大电路的动态分析基本共漏放大电路的动态分析 ismsmsdgssdio899.

45、01RRgRgRIURIUUAu模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）基本共漏放大电路输出电阻的分析基本共漏放大电路输出电阻的分析 3021msomsooooogRUgRUUIUR优点：输入电阻高、噪声系数低、温度稳定性好、优点：输入电阻高、噪声系数低、温度稳定性好、抗辐射能力强、便于集成化。缺点：放大能力差。抗辐射能力强、便于集成化。缺点：放大能力差。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）输入输入ggs共源共源共漏共漏共栅共栅输出输出dsd公共极公共极sdguAdmRgsmsm1RgRgdmRg大 倒相几倍几十倍 小同相跟随 大 同相iR很大大小oR大几千欧 小几

46、百欧 大dR模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）第十一讲第十一讲复合管放大电路复合管放大电路 一一.等效管类型等效管类型 二二.构成原则构成原则模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）1.等效管类型等效管类型 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。21)1)(1(211BE ii 不同类型的管子复合不同类型的管子复合后，其类型决定于后，其类型决定于T1管。管。目的：增大目的：增大，减小前级驱动电流，改变管子的类型。，减小前级驱动电流，改变管子的类型。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术

47、基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）2.构成原则构成原则 1.在合适的外加电压下，每只管子的电流都有在合适的外加电压下，每只管子的电流都有合适的通路，才能组成复合管。合适的通路，才能组成复合管。2.每只管子均工作放大区或恒流区每只管子均工作放大区或恒流区 3.为实现放大，应将前一只管子的集电极为实现放大，应将前一只管子的集电极（漏极）或射极（源极）电流作为第二只管子（漏极）或射极（源极）电流作为第二只管子的基极电流。的基极电流。模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）判断下列各图是否能组成复合管判断下列各图是否能组成复合管模拟电子技术基础（第二章）模拟电子技术基础（第二章）Ri=?Ro=?)(1()1(Le2be21be1biRRrrRR21sbbe1be2eo11RRrrRR讨论讨论