二极管和三极管14660课件.ppt

1、电电 子子 技技 术术 新桥职业技术学校新桥职业技术学校第第1414章章 二极管和晶体管二极管和晶体管14.1 14.1 半导体的导电特性半导体的导电特性半导体：半导体：导电能力介乎于导体和绝缘体之导电能力介乎于导体和绝缘体之 间的间的 物质。物质。半导体特性：半导体特性：热敏特性、光敏特性、掺杂特性热敏特性、光敏特性、掺杂特性 本征半导体就是完全纯净的半导体。本征半导体就是完全纯净的半导体。应用最多的本征半应用最多的本征半导体为锗和硅，它们导体为锗和硅，它们各有四个价电子，都各有四个价电子，都是四价元素是四价元素.硅的原子结构硅的原子结构 纯净的半导体其所有的原子基本上整齐排列，形成晶体结构

2、，所以半导体也称为晶体 晶体管名称的由来 本征半导体晶体结构中的共价健结构本征半导体晶体结构中的共价健结构14.1.114.1.1 本征半导体本征半导体SiSiSiSi共价键共价键价电子价电子14.1.1 14.1.1 本征半导体本征半导体 共价键中的电子共价键中的电子在获得一定能量在获得一定能量后，即可挣脱原后，即可挣脱原子核的束缚，成子核的束缚，成为自由电子为自由电子同时在共价键中同时在共价键中留下一个空穴。留下一个空穴。空穴空穴SiSiSiSi自由自由电子电子热激发与复合现象热激发与复合现象 由于受热或光照由于受热或光照产生自由电子和产生自由电子和空穴的现象空穴的现象-热激发热激发14.

3、1.1 14.1.1 本征半导体本征半导体 自由电子在自由电子在运动中遇到空运动中遇到空穴后，两者同穴后，两者同时消失，称为时消失，称为复合现象复合现象SiSiSiSi自由电子空穴半导体导电方式半导体导电方式载流子载流子自由电子和空穴自由电子和空穴温度对半导体器件性温度对半导体器件性能的影响很大。能的影响很大。14.1.1 14.1.1 本征半导体本征半导体SiSiSiSi价电子空穴 当半导体两端当半导体两端加上外电压时，自加上外电压时，自由电子作定向运动由电子作定向运动形成电子电流；而形成电子电流；而空穴的运动相当于空穴的运动相当于正电荷的运动正电荷的运动14.1.2 N14.1.2 N型半

4、导体和型半导体和P P型半导体型半导体N型半导体型半导体在硅或锗的晶体中在硅或锗的晶体中掺入微量的磷（或掺入微量的磷（或其它五价元素）。其它五价元素）。自由电子是多数自由电子是多数载流子，空穴是载流子，空穴是少数载流子。少数载流子。电子型半导体电子型半导体或或N N型半导体型半导体SiSiP+Si多余电子14.1.2 N14.1.2 N型半导体和型半导体和P P型半导体型半导体P P型半导体型半导体 在硅或锗晶体中在硅或锗晶体中掺入硼（或其它掺入硼（或其它三价元素）。三价元素）。空穴是多数载流子，空穴是多数载流子，自由电子是少数载自由电子是少数载流子。流子。空穴型半导体空穴型半导体或或P P型

5、半导体。型半导体。SiSiB-Si空穴14.1.2 N14.1.2 N型半导体和型半导体和P P型半导体型半导体 不论不论N型半导体还是型半导体还是P型半导体，型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，虽然它们都有一种载流子占多数，但是整个晶体仍然是但是整个晶体仍然是不带电不带电的。的。返回 14.2 PN14.2 PN结结14.2.1 PN14.2.1 PN结的形成结的形成自由电子PN空穴PN结是由扩散运动形成的结是由扩散运动形成的14.2.114.2.1 PN结的形成结的形成自由电子PN 空间电荷区内电场方向空穴14.2.1 PN14.2.1 PN结的形成结的形成扩散运动和漂移运动的动态平衡

6、扩散运动和漂移运动的动态平衡扩散强扩散强漂移运动增强漂移运动增强内电场增强内电场增强两者平衡两者平衡PNPN结宽度基本稳定结宽度基本稳定外加外加电压电压平衡平衡破坏破坏扩散强扩散强漂移强漂移强PNPN结导通结导通PNPN结截止结截止(1)PN(1)PN结加正向电压时的导电情况结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有外加的正向电压有一部分降落在一部分降落在PNPN结区，结区，方向与方向与PNPN结内电场方向结内电场方向相反，削弱了内电场。相反，削弱了内电场。于是于是,内电场对多子扩散内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可

7、忽略大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，形成漂移电流的影响，形成较大的扩散电流，较大的扩散电流，PNPN结结呈现低阻性。呈现低阻性。PNPN结加正向电压时的导电情况如图所示。结加正向电压时的导电情况如图所示。14.2.2 PN结的单向导电性1 外加正向电压使PN结导通PNPN结呈现低阻导通状态，通过结呈现低阻导通状态，通过PNPN结的电流结的电流基本是多子的扩散电流基本是多子的扩散电流正向电流正向电流+变窄PN内电场 方向外电场方向RI(2)PN(2)PN结加反向电压时的导电情况结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在外加的反向电压有一部分降落在PNPN结区，方向与结区，方向与P

8、NPN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时扩散电流大大减小。此时PNPN结区的少子在内电场的结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散于扩散电流，可忽略扩散电流，形成较小的漂移电电流，形成较小的漂移电流，流，PNPN结呈现高阻性结呈现高阻性。在一定的温度条件下，在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大本上与

9、所加反向电压的大小无关小无关，这个电流也称为这个电流也称为反向饱和电流反向饱和电流。PNPN结加反向电压时的导电情况如图所示。结加反向电压时的导电情况如图所示。15.2.2 PN结的单向导电性2 外加反向电压使PN结截止 PNPN结呈现高阻状态，通过结呈现高阻状态，通过PNPN结的电流是少子的漂移电流结的电流是少子的漂移电流 -反向电流反向电流特点特点:受温度影响大受温度影响大原因原因:反向电流是靠热激发产生的少子形成的反向电流是靠热激发产生的少子形成的+-变 宽PN内电场 方向外电场方向RI=014.2.2 PN结的单向导电性结结 论论 PN结具有单向导电性结具有单向导电性 （1）PN结加正

10、向电压时，处在导通状态，结电阻很低，结加正向电压时，处在导通状态，结电阻很低，正向电流较大。正向电流较大。（2）PN结加反向电压时，处在截止状态，结电阻很高，结加反向电压时，处在截止状态，结电阻很高，反向电流很小。反向电流很小。返回14.3 14.3 半导体二极管半导体二极管14.3.1 基本结构基本结构14.3.2 伏安特性伏安特性14.3.3 伏安特性的折线化伏安特性的折线化14.3.4 二极管的主要参数二极管的主要参数PN结阴极引线铝合金小球金锑合金底座N型硅阳极引线面接触型面接触型引线外壳触丝N型锗片点接触型点接触型表示符号表示符号半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片半导体

11、二极管图片14.3.2 14.3.2 伏安特性伏安特性正向O 0.4 0.8 U/VI/mA80604020-50 -25I/A-20-40反向死区电压击穿电压 半导体二极半导体二极管的伏安特性管的伏安特性是非线性的。是非线性的。外电场不足以克服外电场不足以克服内电场内电场,电流很小电流很小外电场不足以克服外电场不足以克服内电场内电场,电流很小电流很小当外加电压大于当外加电压大于死区电压内电场死区电压内电场被大大减削弱被大大减削弱,电电流增加很快流增加很快。正向O 0.4 0.8 U/VI/mA80604020-50 -25I/A-20-40反向死区电压击穿电压 死区电压：死区电压：硅管：硅管

12、：0.5伏左右，锗管：伏左右，锗管：0.1伏左右。伏左右。正向压降：正向压降：硅管：硅管：0.7伏左右，锗管：伏左右，锗管：0.2 0.3伏。伏。14.3.2 14.3.2 伏安特性伏安特性1 正向特性正向特性反向电流：反向电流：反向饱和电流：反向饱和电流：反向击穿电压反向击穿电压U（BR）14.3.2 14.3.2 伏安特性伏安特性正向O 0.4 0.8 U/VI/mA80604020-50 -25I/A-20-40反向死区电压击穿电压2 反向特性反向特性 由于少子的漂移运由于少子的漂移运动形成很小的反向流动形成很小的反向流,且且U U(BR)时时,其反向电其反向电流突然增大流突然增大,反向

13、击穿。反向击穿。14.3.4 14.3.4 主要参数主要参数1 最大整流电流最大整流电流IOM：二极管长时间使用时，允许流过的最大正向平均电流。二极管长时间使用时，允许流过的最大正向平均电流。2 反向工作峰值电压反向工作峰值电压URWM:保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。3 反向峰值电流反向峰值电流IRM:二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。14.3.5 14.3.5 应用举例应用举例 主要利用二极管的单向导电性。可用于整流、检波、限主要利用二极管的单向导电性。可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数

14、字电路中作为开关元件。幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件。例例:图中电路，输入端图中电路，输入端A的电位的电位VA=+3V，B的电位的电位VB=0V，求输出端，求输出端Y的电位的电位VY。电阻。电阻R接负电源接负电源-12V。VY=+2.7V解：解：DA优先导通，优先导通，DA导通后，导通后，DB上加的是反向电压，上加的是反向电压，因而截止。因而截止。DA起钳位作用，起钳位作用，DB起隔离作用。起隔离作用。-12VAB+3V0VDBDAY返回14.4 14.4 稳压管稳压管 一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它在电路中一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它在电路中与适当数值的电阻配合后能起

15、稳定电压的作用。与适当数值的电阻配合后能起稳定电压的作用。1 1 稳压管表示符号稳压管表示符号：正向+-反向+-IZUZ2 2 稳压管的伏安特性：稳压管的伏安特性：3 稳压管稳压原理：稳压管稳压原理：稳压管工作于反向稳压管工作于反向击穿区。稳压管击穿时，击穿区。稳压管击穿时，电流虽然在很大范围内电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的变化，但稳压管两端的电压变化很小。利用这电压变化很小。利用这一特性，稳压管在电路一特性，稳压管在电路中能起稳压作用。中能起稳压作用。稳压管的反向特性曲线比较陡。稳压管的反向特性曲线比较陡。反向击穿 是可逆的。U/VI/mA0IZIZMUZ 稳压误差稳压误差14.4

16、 14.4 稳压管稳压管4 主要参数主要参数（2）电压温度系数）电压温度系数 U（1）稳定电压）稳定电压 UZ稳压管在正常工作下管子两端的电压。稳压管在正常工作下管子两端的电压。说明稳压管受温度变化影响的系数说明稳压管受温度变化影响的系数14.4 14.4 稳压管稳压管（3）动态电阻）动态电阻（4 4）稳定电流）稳定电流（5 5）最大允许耗散功率）最大允许耗散功率 rZ稳压管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值稳压管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值IZPZM管子不致发生热击穿的最大功率损耗。管子不致发生热击穿的最大功率损耗。PZM=UZIZM14.4 14.4 稳压管稳压管例题例题+_

17、UU0UZR稳压管的稳压作用稳压管的稳压作用当当UUZ大于时大于时,稳压管击穿稳压管击穿RUUIZZ此时此时选选R，使，使IZIZM返回二、稳压过程二、稳压过程RLIZ+uCCUOuRRLUOIZURUO三、稳压二极管的参数三、稳压二极管的参数（1）稳定电压）稳定电压 UZ（2）电压温度系数）电压温度系数 U（%/）稳压值受温度变化影响的系数。稳压值受温度变化影响的系数。（3）动态电阻）动态电阻ZZIUZr （4）稳定电流）稳定电流IZ（5）最大允许功耗）最大允许功耗maxZZZMIUP 14.5 14.5 半导体三极管半导体三极管14.5.1 14.5.1 基本结构基本结构14.5.2 14

18、.5.2 电流分配和放大原理电流分配和放大原理14.5.3 14.5.3 特性曲线特性曲线14.5.4 14.5.4 主要参数主要参数结构结构平面型平面型 合金型合金型 NPN PNP1-5 半导体三极管半导体三极管 一、三极管一、三极管 基本结构基本结构BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型14.5.1 14.5.1 基本结构基本结构发射结集电结BNNP发射区基区 集电区ECNNPBECCEB发射结集电结BPPN发射区基区 集电区ECPPNBECCEB14.5.1 14.5.1 基本结构基本结构BECNNP基极基极发射极发

19、射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：掺发射区：掺杂浓度较高杂浓度较高BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：掺发射区：掺杂浓度较高杂浓度较高14.5.2 14.5.2 电流分配和放大原理电流分配和放大原理AmAmAIBICIERBEC+_EBBCE3DG6共发射极接法14.5.2 14.5.2 电流分配和放大原理电流分配和放大原理晶体管电流测量数据晶体管电流测量数据IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10IC/mA 0.

20、001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95IE/mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05由此实验及测量结果可得出如下结论：由此实验及测量结果可得出如下结论：（1）IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律。符合基尔霍夫电流定律。（2）IE和和IC比比IB 大的多。大的多。（3）当）当IB=0（将基极开路）时，（将基极开路）时，IE=ICEO，ICEO0,UBC0,UBC=UBE-UCE,UBE1 14.5.3 14.5.3 特性曲线特性曲线2 输出特性曲线输出特性曲线CICECB|)U(If 晶体管的输晶体管的输出特性曲线是出特性曲线是一组曲线。一组曲线。U

21、CE/V13436912IC/mA10080604020AIB=00214.5.3 14.5.3 特性曲线特性曲线晶体管的输出特性曲线分为三个工作区晶体管的输出特性曲线分为三个工作区：（1）放大区）放大区（2）截止区）截止区（3）饱和区）饱和区（1）放大区（线性区）放大区（线性区）132436912IC/mA10080604020AIB=00放大区UCE/V 输出特性曲线的近似水平部分。输出特性曲线的近似水平部分。B_CII 发射结处于正向偏置；集电结处于反向偏置发射结处于正向偏置；集电结处于反向偏置14.5.3 14.5.3 特性曲线特性曲线（2）截止区）截止区IB=0曲线以下的区域为截止区

22、曲线以下的区域为截止区IB=0 时，时，IC=ICEO0.001mA 对对NPN型硅管而言，当型硅管而言，当UBE0.5V时，即已开时，即已开始截止，为了截止可靠，常使始截止，为了截止可靠，常使UBE小于等于零。小于等于零。132436912IC/mA10080604020AIB=00截止区UCE/V（3）饱和区）饱和区 当当U UCECEU UBEBE时，集电结处于正向偏置，晶体管工作处于饱时，集电结处于正向偏置，晶体管工作处于饱和状态和状态 在饱和区，在饱和区，I IB B的变化对的变化对I IC C的影响较小，两者不成比例的影响较小，两者不成比例13436912IC/mA10080604

23、020AIB=002饱和区UCE/V14.5.3 14.5.3 特性曲线特性曲线14.5.4 14.5.4 主要参数主要参数1 电流放大系数电流放大系数,_：静态电流（直流）放大系数BC_II：动态电流（交流）放大系数BCII注意：注意：,_两者的含义是不同的，但在特性曲线近于平行两者的含义是不同的，但在特性曲线近于平行等距并且等距并且ICEO较小的情况下，两者数值较为接较小的情况下，两者数值较为接近。在估算时，常用近。在估算时，常用_近似关系近似关系（1）（2）对于同一型号的晶体管，对于同一型号的晶体管，值有差别，常用晶体管的值有差别，常用晶体管的值在值在20-100之间。之间。14.5.4

24、 14.5.4 主要参数主要参数2 2 集集基极反向截止电流基极反向截止电流I ICBOCBOICBO=IC|IE=0 ICBO受温度的影响大。受温度的影响大。在室温下，小功率锗管的在室温下，小功率锗管的ICBO约为几微安到几十微安，约为几微安到几十微安，小功率硅管在一微安以下。小功率硅管在一微安以下。ICBO越小越好。越小越好。EC A+_T+_ICB014.5.4 14.5.4 主要参数主要参数3 集集射极反向截止电流射极反向截止电流ICEOICEO=IC|IB=0穿透电流穿透电流ICEO与与ICBO的关系：的关系：CEOB_CBOCBOB_CCBO_CBOCBO_CEOCBOCBOCEO

25、0ICBOBCBOCEBEC_III)I(II)I(1IIIIII|IIIIIIBICBO愈大，愈大，_愈高的管子，稳定性愈差。因此，在选管子愈高的管子，稳定性愈差。因此，在选管子时，要求时，要求ICBO尽可能小些，而尽可能小些，而_以不超过以不超过100100为宜。为宜。14.5.4 14.5.4 主要参数主要参数4 4 集电极最大允许电流集电极最大允许电流I ICMCM集电极电流集电极电流IC超过一定值时，晶体管的超过一定值时，晶体管的_值要下降。当值要下降。当_值下降到正常值的三分之二时的集电极电流。值下降到正常值的三分之二时的集电极电流。在使用晶体管时，在使用晶体管时，IC超过超过IC

26、M并不一定会使晶体管损坏，并不一定会使晶体管损坏，但以降低但以降低 为代价。为代价。_5 集集射极反向击穿电压射极反向击穿电压U（BR）CEO基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。14.5.4 14.5.4 主要参数主要参数6 集电极最大允许耗散功集电极最大允许耗散功PCM 由于集电极电流在流经集电结时将产生热量，使结温升由于集电极电流在流经集电结时将产生热量，使结温升高，从而会引起晶体管参数变化。当晶体管因受热而引起高，从而会引起晶体管参数变化。当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率。的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率。PCM=ICUCEIC/mA0UCE/VICMU(BR)CE0ICEOPCM安全工作区14.5.4 14.5.4 主要参数主要参数谢谢 谢谢!哈尔滨工业大学（威海）