传感器与检测技术第八章课件.ppt
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- 传感器 检测 技术 第八 课件
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1、2022年年8月月10日星期三日星期三第8章 光电式传感器2022年年8月月10日星期三日星期三8.2 光电元件的基本应用电路光电元件的基本应用电路28.1 光电效应与光电元件光电效应与光电元件18.3 光电式传感器的应用光电式传感器的应用32022年年8月月10日星期三日星期三知识目标:知识目标:(1)了解光电元件的结构和分类。)了解光电元件的结构和分类。(2)掌握光电式传感器的工作原理及光电元件的基)掌握光电式传感器的工作原理及光电元件的基本应用电路。本应用电路。(3)熟悉光电式传感器在工程上的应用。)熟悉光电式传感器在工程上的应用。教学目标教学目标技能目标:技能目标:(1)能够根据检测要
2、求选择合适的光电式传感器。)能够根据检测要求选择合适的光电式传感器。(2)能够根据被测信号的特点设计出简单合理的传)能够根据被测信号的特点设计出简单合理的传感器检测电路。感器检测电路。(3)能够正确维护常用电子检测设备。)能够正确维护常用电子检测设备。2022年年8月月10日星期三日星期三情感目标:情感目标:(1)养成良好的工作责任心、坚强的意志力和严谨)养成良好的工作责任心、坚强的意志力和严谨的工作作风。的工作作风。(2)具有工作与学习良好的交流与团队合作能力。)具有工作与学习良好的交流与团队合作能力。教学重难点教学重难点教学重点:教学重点:光电效应和光电元件。光电效应和光电元件。教学难点:
3、教学难点:光电元件的基本应用电路。光电元件的基本应用电路。2022年年8月月10日星期三日星期三8.1 光电效应与光电元件光电效应与光电元件 8.1.1 光电效应光电效应 1905 1905年德国物理年德国物理学家爱因斯坦用学家爱因斯坦用光量子学说解释光量子学说解释了光电发射效应,了光电发射效应,并为此而获得并为此而获得19211921年诺贝尔物年诺贝尔物理学奖。理学奖。2022年年8月月10日星期三日星期三光光电电效效应应外光电效应外光电效应内光电效应内光电效应光生伏特效应光生伏特效应光电管、光电倍增管光电管、光电倍增管光敏电阻、光敏二极管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管光敏三极管光电池光
4、电池2022年年8月月10日星期三日星期三 当用光照射在某一物体上时,可当用光照射在某一物体上时,可以看做是物体受到一连串能量为以看做是物体受到一连串能量为E E的光的光子轰击,组成这种物体的材料吸收了子轰击,组成这种物体的材料吸收了光子能量而发生相应电效应的现象光子能量而发生相应电效应的现象 (如发射光电子、电导率变化、产生(如发射光电子、电导率变化、产生电动势等),这种现象称为光电效应。电动势等),这种现象称为光电效应。光电效应光电效应2022年年8月月10日星期三日星期三 在光线作用下,电子逸出物体表面在光线作用下,电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。常见的基于的现象称为外光电效应。常
5、见的基于外光电效应的光电器件有光电管、光外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管、光电摄像管等。电倍增管、光电摄像管等。外光电效应外光电效应2022年年8月月10日星期三日星期三一束光是由一束以光速运动的粒子流组成的,这些粒子称为束光是由一束以光速运动的粒子流组成的,这些粒子称为光子。光子。光子具有能量,每个光子具有的能量由下式确定:光子具有能量,每个光子具有的能量由下式确定:E=h f(10-1)式中:式中:h普朗克常数普朗克常数=6.62610-34(Js)f光的频率(光的频率(s-1)。)。2022年年8月月10日星期三日星期三若物体中电子吸收的入射光子能量超过逸出功若物体中电子吸收的入
6、射光子能量超过逸出功A A0 0时,则电子时,则电子就会逸出物体表面,所以要使一个电子能够逸出,光子的能就会逸出物体表面,所以要使一个电子能够逸出,光子的能量量E E必须大于逸出功必须大于逸出功A A0 0,超出逸出功德能量表现为逸出电子的超出逸出功德能量表现为逸出电子的动能,即动能,即20012EhfmvA式中:式中:m电子质量;电子质量;v0电子逸出初速度。电子逸出初速度。2022年年8月月10日星期三日星期三式(式(8-28-2)为爱因斯坦光电效应方程式)为爱因斯坦光电效应方程式,由式可知:由式可知:1)1)光子能量必须超过逸出功光子能量必须超过逸出功A A0 0,才能产生光电子;,才能
7、产生光电子;2)2)入射光的频谱成分不变,产生的光电子与光强成正入射光的频谱成分不变,产生的光电子与光强成正比;比;3)3)光电子逸出物体表面时具有初始动能光电子逸出物体表面时具有初始动能 ,因,因此对于外光电效应器件,此对于外光电效应器件,即使不加初始阳极电压,也即使不加初始阳极电压,也会有光电流产生,为使光电流为零,会有光电流产生,为使光电流为零,必须加负的截止必须加负的截止电压。电压。2021mv2022年年8月月10日星期三日星期三内光电效应是指在光线的作用下使物体的电阻率发生改变的光电效应。常见的基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管和光敏晶闸管等。内光电效应内光
8、电效应2022年年8月月10日星期三日星期三光生伏特效应是指在光线照射下,半导体材料吸收光能后,引起PN结两端产生电动势的现象。常见的基于光生伏特效应的光电元件有光电池。光生伏特效应光生伏特效应图图8-1 PN8-1 PN结的光生伏特效应结的光生伏特效应2022年年8月月10日星期三日星期三8.1.2 光电元件光电元件1.基于外光电效应的光电元件基于外光电效应的光电元件1)光电管光电管(a)真空光电管真空光电管 (b)充气光电管充气光电管图图8-2 光电管的结构示意图光电管的结构示意图2022年年8月月10日星期三日星期三光电管的工作原理光电管的工作原理当阴极受到适当波长的光线(紫外线)照射时
9、会发射出电子,光当阴极受到适当波长的光线(紫外线)照射时会发射出电子,光电阳极吸收从光电阴极发射出的电子,从而在外围电路形成电流电阳极吸收从光电阴极发射出的电子,从而在外围电路形成电流。2022年年8月月10日星期三日星期三(a)真空光电管的伏安特性曲线真空光电管的伏安特性曲线(b)充气光电管的伏安特性曲线充气光电管的伏安特性曲线图图8-3 光电管的伏安特性曲线光电管的伏安特性曲线2022年年8月月10日星期三日星期三2)光电倍增管)光电倍增管在入射光极为微弱时,光电管能产生的光电流就很小。在入射光极为微弱时,光电管能产生的光电流就很小。光电倍增管:放大光电流光电倍增管:放大光电流组成:光电阴
10、极组成:光电阴极+若干倍增极若干倍增极+阳极阳极 2022年年8月月10日星期三日星期三2.基于内光电效应的光电元件基于内光电效应的光电元件1 1)光敏电阻)光敏电阻光敏电阻的工作原理光敏电阻的工作原理光敏电阻又称光导管光敏电阻又称光导管,是用半导体材料制成的光电器件。是用半导体材料制成的光电器件。它没它没有极性有极性,是一个纯粹的电阻器件是一个纯粹的电阻器件,使用时既可加直流电压使用时既可加直流电压,也可也可以加交流电压。以加交流电压。2022年年8月月10日星期三日星期三光敏电阻演示 暗电流(越小越好)暗电流(越小越好)当无光照时,光敏当无光照时,光敏电阻值电阻值(暗电阻暗电阻)很很大,电
11、路中电流大,电路中电流(暗电流)很小。(暗电流)很小。当光敏电阻受到光当光敏电阻受到光照时,光生电子照时,光生电子空穴对增加,阻值空穴对增加,阻值(亮电阻)减小,(亮电阻)减小,电流(亮电流)增电流(亮电流)增大。大。2022年年8月月10日星期三日星期三光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数(1 1)暗电阻和暗电流)暗电阻和暗电流 光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻,光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻,此时流过的电流此时流过的电流称为暗电流。称为暗电流。(2 2)亮电阻和亮电流)亮电阻和亮电流 光敏电阻在某一光照下的阻值,称为该光照下的亮电阻,此时流光敏电阻在某一光照下的阻值,称为该光
12、照下的亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。过的电流称为亮电流。(3 3)光电流)光电流 亮电流与暗电流之差,称为光电流。亮电流与暗电流之差,称为光电流。(4 4)响应时间。)响应时间。光敏电阻具有延时特性,上升响应的时间和下降响应的时间均为光敏电阻具有延时特性,上升响应的时间和下降响应的时间均为102102103 s103 s,可见光敏电阻不能用在要求快速响应的场合。,可见光敏电阻不能用在要求快速响应的场合。2022年年8月月10日星期三日星期三光敏电阻的内部结构光敏电阻的内部结构图8-6 光敏电阻的内部结构1玻璃;2光电导层;3电极;4绝缘衬底;5金属壳;6黑色绝缘玻璃;7引线2022年年8月
13、月10日星期三日星期三图图8-7 梳状光敏电阻梳状光敏电阻半导体吸收光子而产生光电效应只限于光照的表面层,所以光敏电阻半导体吸收光子而产生光电效应只限于光照的表面层,所以光敏电阻的电极一般采用梳状,这样可以提高光敏电阻的灵敏度。的电极一般采用梳状,这样可以提高光敏电阻的灵敏度。2022年年8月月10日星期三日星期三光敏电阻光敏电阻 当光敏电阻受到光照时,阻值减小。2022年年8月月10日星期三日星期三.结构原理结构原理 光敏二极管的结构与一般二极管相似。光敏二极管的结构与一般二极管相似。它装在透明玻璃外壳中它装在透明玻璃外壳中,其其PNPN结装在管的顶部结装在管的顶部,可以直接受到光照射。可以
14、直接受到光照射。2)光敏二极管)光敏二极管2022年年8月月10日星期三日星期三光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态,在没有光照射时在没有光照射时,反反向电阻很大向电阻很大,反向电流很小。反向电流很小。当光照射在当光照射在PNPN结上时结上时,PN,PN结附近产生光结附近产生光生电子生电子空穴对。从而使空穴对。从而使P P区和区和N N区的少数载流子的浓度增加,在外加区的少数载流子的浓度增加,在外加反向的电压和内电场的作用下作定向运动反向的电压和内电场的作用下作定向运动,形成光电流。光的照度越形成光电流。光的照度越大大,光电流越大。光电流越大。因此光
15、敏二极管在不受光照射时因此光敏二极管在不受光照射时,处于截止状态处于截止状态,受光照射时受光照射时,处于导通状态。处于导通状态。图图8-9 光敏二极管的工作原理光敏二极管的工作原理2022年年8月月10日星期三日星期三光敏二极管的反向偏置接法光敏二极管的反向偏置接法 在没有光照时,由于在没有光照时,由于二极管反向偏置,所二极管反向偏置,所以反向电流很小,这以反向电流很小,这时的电流称为暗电流,时的电流称为暗电流,相当于普通二极管的相当于普通二极管的反向饱和漏电流。当反向饱和漏电流。当光照射在二极管的光照射在二极管的PNPN结上时,电子结上时,电子-空穴对空穴对数量增加,光电流也数量增加,光电流
16、也相应增大,光电流与相应增大,光电流与照度成正比。照度成正比。2022年年8月月10日星期三日星期三光敏二极管的光谱特性光敏二极管的光谱特性硅光敏二极管的光谱响应波段为硅光敏二极管的光谱响应波段为0.40.4 1.5 1.5 mm范围,锗光范围,锗光敏二极管的光谱响应波段为敏二极管的光谱响应波段为0.60.6 2.5 2.5 mm范围。一种光敏范围。一种光敏二极管只对一定波长的入射光敏感,这是选择光敏二极管二极管只对一定波长的入射光敏感,这是选择光敏二极管的重要依据之一。的重要依据之一。图图8-10 8-10 光敏二极管的光谱特性光敏二极管的光谱特性2022年年8月月10日星期三日星期三光敏二
17、极管外形 光敏二极管阵列光敏二极管阵列包含包含1024个个InGaAs元件的线性光元件的线性光电二极管阵列,可用于分光镜。电二极管阵列,可用于分光镜。2022年年8月月10日星期三日星期三红外发射、接收对管外形 红外发射管红外发射管红外接收管红外接收管2022年年8月月10日星期三日星期三3 3)光敏三极管)光敏三极管 2022-8-1030 光敏三极管有两个光敏三极管有两个PNPN结。与普通三极管结。与普通三极管相似,有电流增益,灵敏度比光敏二极管相似,有电流增益,灵敏度比光敏二极管高。多数光敏三极管的基极没有引出线,高。多数光敏三极管的基极没有引出线,只有正负(只有正负(c c、e e)两
18、个引脚,所以其外型)两个引脚,所以其外型与光敏二极管相似,从外观上很难区别。与光敏二极管相似,从外观上很难区别。2022年年8月月10日星期三日星期三光敏三极管外形 2022年年8月月10日星期三日星期三光敏三极管内部结构 a)a)内部组成内部组成 b)b)管芯结构管芯结构 c c)结构简化图)结构简化图 11集电极引脚;集电极引脚;22管芯;管芯;33外壳;外壳;44玻璃聚光镜;玻璃聚光镜;55发射极引脚;发射极引脚;6N6N+衬底;衬底;7 7N N型集电区;型集电区;8 8SiOSiO2 2保护圈;保护圈;9 9集电结;集电结;1010P P型基区;型基区;11N11N型发射区;型发射区
19、;1212发射结发射结 2022年年8月月10日星期三日星期三光敏三极管的工作原理是当基极开路时,集电极与发射级光敏三极管的工作原理是当基极开路时,集电极与发射级之间加正电压。当光照射在集电结上时,就会在集电结附之间加正电压。当光照射在集电结上时,就会在集电结附近产生电子近产生电子空穴对,电子在结电场的作用下,将会由空穴对,电子在结电场的作用下,将会由P P区向区向N N区运动,从而形成基极电流,经放大区运动,从而形成基极电流,经放大倍后形成集倍后形成集电极电流电极电流,所以光敏三极管有放大作用。所以光敏三极管有放大作用。2022年年8月月10日星期三日星期三3.基于光生伏特效应的光电元件 在
20、在N N型衬底上制造一薄层型衬底上制造一薄层P P型层作为光照敏感面,就构成最简单型层作为光照敏感面,就构成最简单的光电池。当入射光子的能量足够大时,的光电池。当入射光子的能量足够大时,P P型区每吸收一个光子型区每吸收一个光子就产生一对光生电子就产生一对光生电子空穴对,空穴对,光生电子光生电子空穴对的的扩散运空穴对的的扩散运动使电子通过漂移运动被拉到动使电子通过漂移运动被拉到N N型区,空穴留在型区,空穴留在P P区,所以区,所以N N区带区带负电,负电,P P区带正电。如果光照是连续的,经短暂的时间,区带正电。如果光照是连续的,经短暂的时间,PNPN结两结两侧就有一个稳定的光生电动势输出。
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