固态相变基础知识讲解课件.ppt
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- 固态 相变 基础知识 讲解 课件
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1、固态相变初步晶体学热力学扩散界面固态相变扩散型相非扩散型相变共析相变调幅分解有序化转变块状转变马氏体相变上下贝氏体转变?脱溶相变?相相(phase)合金中具有同一聚集状态、同一结构,以及成分性质完合金中具有同一聚集状态、同一结构,以及成分性质完全相同的均匀组成部分。单相、多相全相同的均匀组成部分。单相、多相金相显微镜电子显微镜-FeFe3C晶体结构晶体结构外界条件(温度、压力、应力等)改外界条件(温度、压力、应力等)改变时,引起固体材料的组织、结构和变时,引起固体材料的组织、结构和性能发生的转变。性能发生的转变。固态相变:固态相变:晶体结构变化:纯金属的同素异构转变、固溶体的多形性转变、马氏体
2、相变 化学成分变化:只有成分转变而无相结构的变化 有序程度变化:合金的有序化转变,以及与电子结构变化相关的转变 固态相变的分类固态相变的分类ppTTTTpp1.按热力学分类按热力学分类 一级相变和二级相变一级相变和二级相变 一级相变一级相变:由由相转变为相转变为相时,相时,i i=i i ,但一阶偏,但一阶偏导数不相等,称为一级相变。导数不相等,称为一级相变。STpVpT因为因为 所以所以 S SSS,V,VVV一级相变有体积和熵的突变,一级相变有体积和熵的突变,V0V0,S0S0绝大多数的相变属于一级相变,如金属及合金的结晶、固溶体的脱溶、马氏体相变等。二级相变:二级相变:若相变时,若相变时
3、,i=i,并且其一阶偏导数也相,并且其一阶偏导数也相等,但二阶偏导数不相等,称为二级相变。等,但二阶偏导数不相等,称为二级相变。TTppppTTppTT2222TTpp2222pTpT22TcTSTppp22VpT22VpT2由于由于其中其中为材料的压缩系数,为材料的压缩系数,为材料的热膨胀系数为材料的热膨胀系数二级相变时无体积效应和热效应,材料的压缩二级相变时无体积效应和热效应,材料的压缩系数、热膨胀系数及比定压热容均有突变。系数、热膨胀系数及比定压热容均有突变。磁性转变、有序无序转变多为二级相变。磁性转变、有序无序转变多为二级相变。固态相变的分类固态相变的分类扩散型相变扩散型相变 脱溶沉淀
4、、调幅分解、共析转变等脱溶沉淀、调幅分解、共析转变等2.按原子迁移情况分类按原子迁移情况分类 扩散型相变扩散型相变,非扩散型相变非扩散型相变非扩散型相变非扩散型相变 原子(或离子)仅作有规则的迁移使点阵原子(或离子)仅作有规则的迁移使点阵发生改组。发生改组。马氏体转变马氏体转变 3.按相变方式分类按相变方式分类 有核相变和无核相变有核相变和无核相变无核相变无核相变通过扩散偏聚的方式进行的相变,为无核相变。通过扩散偏聚的方式进行的相变,为无核相变。调幅分解调幅分解固态相变的分类固态相变的分类6.1 6.1 各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征五种扩散型相变:1)沉淀(脱溶)相变沉淀(
5、脱溶)相变 新相从母相中沉淀析出 基本过程:形核、长大 与结晶过程相似。各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征Cu-Ni-Al合金 X100000Mg-2Nd合金100nm200nm2、共析分解共析分解 一个固相分解为结构不同的两个新相混合物的相变 典型实例:珠光体转变各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征3、调幅分解 12特征:1、1、2结构相同,点阵常数不同 2、没有形核过程 3、成分分布呈调幅波形成条件:GX曲线的拐点内(化学调幅)各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基
6、本特征4、有序化转变有序化转变固溶体组元原子从无序排列到有序排列的转变过程分两种类型:一种有形核(有序畴)长大过程属一级相变,另一种没有形核长大过程,属二级相变各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征5、块状转变块状转变新相的成分与母相相同,但晶体结构不同,不同于脱溶 晶界形核,快速长大,形貌无规则 如:纯铁或低碳钢在一定的冷却速度下相转变为成分相同而形貌呈块状的相。纯铁、Cu-Zn等合金中各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征块状转
7、变脱溶各种扩散型相变的基本特征各种扩散型相变的基本特征6.2 脱溶(沉淀、析出)相变沉淀相变的分类按工艺分类按组织分类冷却过程中沉淀时效过程中沉淀自然时效人工时效连续沉淀非连续沉淀稳态组织亚稳态组织脱溶(沉淀、析出)相变6.2.1 连续沉淀和非连续沉淀(1)连续沉淀 一般情况下 连续沉淀 可以为均匀形核或非均匀形核 非均匀形核的可能形核位置 晶界、位错、和空位高温合金中的相脱溶(沉淀、析出)相变(2)非连续沉淀 少数合金系出现非连续沉淀,典型特例Mg合金特征:晶界形核 垂直于晶界生长 和母相晶界一起迁移 非连续沉淀往往是有害相 脱溶(沉淀、析出)相变4m白色析出相白色析出相共晶共晶 相相脱溶(
8、沉淀、析出)相变6.2.2 形核(1)均匀形核:形核过程中的能量变化VSGVGV式中,V为晶核体积,S为晶核表面积,为单位面积界面能,为单位体积弹性应变能。其中:GV=GNGP为单位体积新旧两相化学自由能差(GN、GP分别为新、旧相的自由能).假定晶核为半径为r的球体,上式变为:相变驱动力:GV当GV0时,相变有可能发生。32334434rrGrGV脱溶(沉淀、析出)相变32334434rrGrGV脱溶(沉淀、析出)相变形核功:临界晶核的体积:临界半径:2333)(316)(3322VcVcVcGGGVGr,可得:令:0/rG从上面的三个表达式可见:GV(驱动力,绝对值)越大,则临界半径和临界
9、晶核的体积越小,形核功也越小;越大,则临界半径和临界晶核的体积越大,形核功也越大;越大,则临界半径和临界晶核的体积越大,形核功也越大。脱溶(沉淀、析出)相变32334434rrGrGV在固态相变中绝大多数是非均匀形核析出相呈均匀分布不一定是均匀形核例:Cu-Al-Ni三元系中的沉淀相NiAl和Cu9Al4(2)(2)非均匀形核脱溶(沉淀、析出)相变dVGVSGVG其中:Gd缺陷消失所引起的能量变化。作为形核位置的缺陷类型不同,则Gd也不同。形核过程中的吉布斯自由能变化:非均匀形核的形核位置晶体缺陷(界面、位错、空位)以晶界形核为例计算形核功:如果忽略弹性应变能,形核过程中吉布斯自由能变化:SS
10、GVGV晶界的界面能相界的界面能其中:cos2脱溶(沉淀、析出)相变晶核体积球冠高度形核后相界的面积积形核前晶界的面其中:)coscos32(32)cos1()cos1(4sin33222rVrhrSrS设晶核形状是两个球冠,则:代入式233)coscos32(382VcVcGGGr形核功:临界半径:,可得:令:0/rG脱溶(沉淀、析出)相变SSGVGV影响形核的主要内在因素:影响形核的主要内在因素:界面能界面能在什么形核位置上形核取决于:形成什么样的相界使系统的能量达到最小值。脱溶(沉淀、析出)相变共格界面半共格界面非共格界面脱溶(沉淀、析出)相变界面的类型:脱溶(沉淀、析出)相变 完全共格
11、界面只有在共格孪晶界上才能出现,除此而外的共格界面不可能是完全共格的。描述界面上原子的匹配程度错配度错配度aaa 非共格界面半共格界面共格界面 0.25 0.250.05 05.0 共格应变能:大 中 小 界面能:小 中 大共格界面半共格界面非共格界面脱溶(沉淀、析出)相变形核界面形核界面 相变时,形成何种界面取决于界面能界面能和共格应变能共格应变能这一对矛盾的因素。相变形核阶段形成的新相很细小,固引起的共格应变能较低,界面能的影响起主要作用,因此一般在形核阶段容易形成共一般在形核阶段容易形成共格界面格界面。脱溶(沉淀、析出)相变析出相形状析出相形状脱溶(沉淀、析出)相变 以盘状析出时,应变能
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