数电第三章逻辑门电路课件.ppt

1、教教 学学 基基 本本 要要 求求1、了解半导体器件的开关特性。、了解半导体器件的开关特性。2、掌握基本逻辑门、三态门、集电极开路门的逻、掌握基本逻辑门、三态门、集电极开路门的逻辑功能。辑功能。3、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。0 概述概述1.逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。非门、与或非门和异或门等。本章重点介绍逻辑运算的物理实现电路。

2、本章重点介绍逻辑运算的物理实现电路。2.逻辑逻辑0和逻辑和逻辑1：0和和1在逻辑代数中代表的两种不同的状态。在逻辑代数中代表的两种不同的状态。在电子电路中用高、低电平来表示。在电子电路中用高、低电平来表示。正逻辑：正逻辑：1 1表示高电平，表示高电平，0 0表示低电平表示低电平 负逻辑：负逻辑：0 0表示高电平，表示高电平，1 1表示低电平表示低电平高高/低电平都允许有一定的变化范围低电平都允许有一定的变化范围3.3.获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。截止（即开、关）两种工作状态。1 二极管逻辑

3、门电路二极管逻辑门电路1.1 二极管的开关特性二极管的开关特性1.2 二极管与门二极管与门1.3 二极管或门二极管或门1.4 二极管门电路的优、缺点二极管门电路的优、缺点1.1 二极管的开关特性二极管的开关特性1.二极管符号：二极管符号：2.二极管的伏安特性：二极管的伏安特性：当电压当电压ui0.7V 二极管导通后，二极管导通后，uD=0.7V iD=（ui-0.7）/R当电压当电压ui0.7V 二极管截止，处于断开状态二极管截止，处于断开状态 iD=0V正极负极 uD D iD iD +ui +uD R D 开关电路 限流电阻限流电阻 +ui RL +uo D开关电路3.二极管的开关电路的等

4、效电路二极管的开关电路的等效电路 RL +ui=0V +uo D ui=0V 时的等效电路 ui0V时，二极管截止，如时，二极管截止，如同开关断开，同开关断开，uo0V。ui5V时，二极管导通，如同时，二极管导通，如同0.7V的电压源，的电压源，uo5-0.7=4.3V。+RL +ui=5V +uo D 0.7V ui=5V 时的等效电路 v当当ui为低电平时为低电平时 D截止，截止，uo为低电平为低电平v当当ui为高电平时为高电平时 D导通，导通，uo为高电平为高电平1.2 二极管与门二极管与门+VCC(+5V)R 3k Y D1 A D2 B 5V 0V 思考：思考：Y如何和如何和A、B构

5、成与逻辑构成与逻辑关系？关系？ABY0V0V +5V 3k Y D1 A D2 B 0V 0V 5V0.7V0.7V+VCC(+5V)R 3k Y D1 A D2 B 5V 0V ABY0V0V0.7V5V0V +5V 3k Y D1 A D2 B 5V 0V 5V0.7V0.7V0V5V0.7V+VCC(+5V)R 3k Y D1 A D2 B 5V 0V ABY0V0V0.7V5V0V0.7V0V5V0.7V5V5V +5V 3k Y D1 A D2 B 5V 5V 5V5V+VCC(+5V)R 3k Y D1 A D2 B 5V 0V ABY&Y=AB根据真值表，可以根据真值表，可以判断

6、该电路为与门判断该电路为与门A D1B D2 5V 0V YR3kABY 1A BY0 00 11 01 10111Y=A+B1.3 二极管或门二极管或门ABD1D2Y0V0V0V5V5V0V5V5V截止截止截止截止0V导通导通截止截止4.3V截止截止导通导通4.3V导通导通导通导通4.3V1.4 二极管门电路的缺点二极管门电路的缺点v电平有偏移，带负载能力差电平有偏移，带负载能力差因此，二极管门电路通常只用于因此，二极管门电路通常只用于集成电路集成电路内部电路内部电路2 TTL逻辑门电路逻辑门电路2.1 三极管的开关特性三极管的开关特性2.2 三极管非门三极管非门2.3 TTL反相器、与非门

7、、或非门反相器、与非门、或非门2.4 其他类型其他类型的的TTL逻辑门逻辑门 （三态门、集电极开路门）（三态门、集电极开路门）2.5 TTL电路常识电路常识2.6 小结小结由三极管和若干电阻由三极管和若干电阻构成的逻辑门构成的逻辑门它有两种类型它有两种类型:NPN型和型和PNP型。型。在半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成在半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体型半导体在半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成在半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成P型半导体型半导体 NPN型和型和PNP型三极管型三极管e-b间的间的PN结称为结称为发射结发射结(Je)c-b间的间

8、的PN结称为结称为集电结集电结(Jc)中间部分称为基区，连上电极称为中间部分称为基区，连上电极称为基极基极，用用B或或b表示（表示（Base）；）；一侧称为发射区，电极称为一侧称为发射区，电极称为发射极发射极，用用E或或e表示（表示（Emitter）；）；另一侧称为集电区和另一侧称为集电区和集电极集电极，用用C或或c表示（表示（Collector）。）。1.三极管的结构三极管的结构2.1三极管的开关特性三极管的开关特性2.以以NPN三极管为例，说明三极管的的工作原理及特性曲线三极管为例，说明三极管的的工作原理及特性曲线ui iB e Rb b+VCCiC u Rc co发射结可以发射结可以看成

9、二极管看成二极管RbRc+VCCbce截止状态截止状态ui=UIL0.7VuoRbRc+VCCbce0.7ViB饱和区饱和区条件：条件：ui大于大于0.7V发射结导通发射结导通此时集电极和发射极可以看成短路此时集电极和发射极可以看成短路ic=Ics=(VCC-UCES)/RC uo=UCES=0.2-0.3Vui iB e Rb b+VCCiC u Rc co饱和状态饱和状态iBUi0.7Vuo=0.3VRbRc+VCCbce0.7V0.3V如何判断工作在饱和区还是放大区？如何判断工作在饱和区还是放大区？可以通过可以通过UCES计算出临界集电极饱和电流计算出临界集电极饱和电流ICS=(VCC-

10、UCES)/RC 则临界基极饱和电流则临界基极饱和电流IBS=(VCC-UCES)/RC 当当iB IBS 工作在饱和区，否则工作在放大区。工作在饱和区，否则工作在放大区。biBRui/)7.0(10k ui iB e Rb b+VCC=+5V iC uo Rc 1k c=100 ui=0.3V时，因为时，因为uBE0.7V，iB=0，三极管工作在三极管工作在截止截止状态，状态，ic=0。因为。因为ic=0，所以输出电压：，所以输出电压：ui=1V时，三极管导通，基极电流：时，三极管导通，基极电流：因为因为0iBIBS，三极管工作在，三极管工作在饱和饱和状状态。输出电压：态。输出电压：uoUC

11、ES0.3V3.以典型电路为例来分析开关特性以典型电路为例来分析开关特性通常在数电中，三极管主要工作在截止或饱和两个区内。通常在数电中，三极管主要工作在截止或饱和两个区内。截止状态截止状态cbe饱和状态饱和状态Vb=0.7v,Vc=0.3vebc2.2 三极管非门三极管非门(反相器反相器)uA0V时，三极管截止，时，三极管截止，iB0，iC0，输出电压，输出电压uYVCC5VuA5V时，三极管饱和导通。时，三极管饱和导通。输出电压输出电压uYUCES0.3V。AY0110AY 真值表真值表A =100+5V Y电路图1逻辑符号AY1k10kRBRCbecuA性性 能能 分分 析析 vccRcT

12、CL输入输入输出输出T状态状态电容电容高电平高电平(3.6v)低电平低电平(0.2V)饱和饱和导通导通少量电荷少量电荷(0.2V)低电平低电平(0.2v)高电平高电平(5V)截止截止状态状态大量电荷大量电荷(5V)电容电容充电充电电容电容放电放电2.3 TTL反相器、与非门、或非门反相器、与非门、或非门2.3.1 TTL反相器反相器 Rb1 4k W Rc2 1.6k W Rc4 130 W T4 D T2 T1+vI T3+vO 负载 Re2 1K W VCC(5V)输入级输入级 中间级中间级 输出级输出级 采用输入采用输入级以提高级以提高工作速度工作速度采用推拉式输采用推拉式输出级以提高开

13、出级以提高开关速度和带负关速度和带负载能力载能力2.2.电路功能分析电路功能分析 Rb1 4kW Rc2 1.6kW Rc4 130W T4 D T2 T1+vI T3+vO 负载 Re2 1KW VCC(5V)VB1（1）当输入为低电平）当输入为低电平（I=0.2 V）0.5V 0.2V OVCCVBE4VD 50.70.7=3.6V I低电平低电平(0.2V)T1深饱和深饱和T2截止截止T3截止截止T4放大放大 O高电平高电平（3.6V）（2）当输入为高电平当输入为高电平 （I=3.6 V）I全为高电平全为高电平(3.6V)T1倒置放大倒置放大T2饱和饱和T3饱和饱和T4截止截止 O低电平

14、低电平(0.2V)Rb1 4kW Rc2 1.6kW Rc4 130W T4 D T2 T1+vI T3+vO 负载 Re2 1KW VCC(5V)VB1 3.6V 4.3V 2.1V 1.4V 0.2V 2vO/V 5 4 3 2 1 0 3.6V.48 V 0.2V 1 2 E D C B A 0.4V 1.1V 1.2V vI/V Rb1 4kW Rc2 1.6kW Rc4 130W T4 D T2 T1+vI T3+vO 负载 Re2 1KW VCC(5V)VB1 AB段段：I很低，很低，T1深深度饱和度饱和，T2、T3截止，截止，同时同时T4和和D导通。导通。O=3.6V。CD段：当

15、段：当 I的值继续增加的值继续增加C点后，点后，使使T3饱和导通，饱和导通，O 0.2V I(D)=BE3+BE2 CES1 =(0.7+0.70.2)V=1.2V DE段：当段：当 I的值从的值从D点再继续增点再继续增加时，加时，T1将进入倒置放大状态，将进入倒置放大状态，T2、T3饱和导通，保持饱和导通，保持 O=0.2V BC段：段：T1仍保持为饱和仍保持为饱和状态。在状态。在BC段内，段内，T2处处于放大状态，此时输出于放大状态，此时输出电压随输入电压的增加电压随输入电压的增加而减小，但处于线性关而减小，但处于线性关系。系。I(D)=BE2 CES1 =(0.70.3)V=0.4V 3

16、.3.电压的传输特性电压的传输特性 14 13 12 11 10 9 874LS04 1 2 3 4 5 6 7VCC 4A 4Y 5A 5Y 6A 6Y 1A 1Y 2 A 2Y 3 A 3Y GND6反相器74LS04的引脚排列图4.4.常用常用TTL反相器芯片反相器芯片AY 逻辑函数表达式：逻辑函数表达式：2.3.2 TTL与非门与非门1.TTL与非门电路与非门电路多发射极多发射极BJT VCC(5V)Rc4 130W Rc2 1.6kW Rb2 1.6kW T4 T2 T3 T1 A B Re2 1kW D A B&BAL T1 A B B A b b c c 只要只要A、B中有一个为

17、低电中有一个为低电平，则显示低电平的特性，平，则显示低电平的特性，若全部为高电平，则显示若全部为高电平，则显示出高电平的特性；于是实出高电平的特性；于是实现与的逻辑功能。现与的逻辑功能。2.TTL与非门电路的工作原理与非门电路的工作原理 VCC(5V)Rc 4 130 W W Rc2 1.6k W W Rb 2 1.6k W W T4 T2 T3 T1 A B Re 2 1k W W D IT1T2T3T4 O输入全为高输入全为高电平电平(3.6V)放大状态放大状态饱和饱和饱和饱和截止截止低电平低电平 (0.2V)输入有低电输入有低电平平(0.2V)深饱和深饱和截止截止截止截止放大放大高电平高

18、电平(3.6V)74LS00 的引脚排列图 VCC 3A 3B 3Y 4A 4B 4Y 1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND 14 13 12 11 10 9 8 74LS20 1 2 3 4 5 6 7 VCC 2A 2B NC 2C 2D 2Y 1A 1B NC 1C 1D 1Y GND 74LS20 的引脚排列图 14 13 12 11 10 9 8 74LS00 1 2 3 4 5 6 7 74LS00内含内含4个个2输入与非门输入与非门3.常用常用TTL与非门芯片与非门芯片74LS20内含内含2个个4输入与非门输入与非门2.3.3 TTL或非门或非门 A B 1 BAL R1A

19、 R1 R1B R4 VCC T1A T2A T2B B D T3 R3 T4 AT1BL R1A R1 R1B R4 VCC A T1A T2A T2B T1B B D L T3 R3 T4 TTL或非门的逻辑电路或非门的逻辑电路若二输入端为低电平若二输入端为低电平 0.5 v0.2 v0.2 v0.5 v3.6V 若若A、B两输入端都为高电平两输入端都为高电平 R1A R1 R1B R4 VCC A T1A T2A T2B T1B B D L T3 R3 T4 2.1 v3.6 v3.6v2.1 v0.3V 问题：若问题：若A、B两输入端中有一个为高电平，输出两输入端中有一个为高电平，输出

20、L=?LABA B 14 13 12 11 10 9 874LS02 1 2 3 4 5 6 7VCC 3Y 3B 3A 4Y 4B 4A 1Y 1B 1 A 2Y 2 B 2A GND74LS02的引脚排列图2.常用芯片常用芯片74LS02内含内含4个个2输入或非门输入或非门BAY逻辑表达式：逻辑表达式：vO/V 5 4 3 2 1 0 3.6V 2.48 V 0.2V 1 2 E D CB A 0.4V 1.1V 1.2V vI/V 各种类型的各种类型的TTL门电路，门电路，其传输特性大同小异。其传输特性大同小异。VOHVO(A)3.6V VOLVCES 0.2VVIL VI(B)0.4V

21、VIH VI(D)1.2V1、TTL与非门传输特性与非门传输特性2、输入、输出的高、低、输入、输出的高、低电压电压 2.3.4 TTL与非门的特征与参数与非门的特征与参数典型典型参数参数实际参数见附录实际参数见附录C P4633.TTL与非门噪声容限与非门噪声容限 噪声容限噪声容限:高电平的噪声容限为高电平的噪声容限为 VNH=VOH(min)VIH(min)1 驱动门驱动门 vo 1 负载门负载门 vI 噪声噪声 1输出输出 1输入输入 0输入输入 0输出输出 vo vI+VDD 0 VNH VOH(min)VIH(min)VNL VOL(max)VIL(max)+VDD 0 低电平的噪声容

22、限为低电平的噪声容限为 VNL=VIL(max)VOL(max)当电路受到干扰时，在保证输出高、低电平基本不变当电路受到干扰时，在保证输出高、低电平基本不变的条件下，输入电平的允许波动范围。的条件下，输入电平的允许波动范围。4.扇入与扇出系数扇入与扇出系数 扇入数扇入数:取决于门的输入端的个数取决于门的输入端的个数 扇出数扇出数:带同类门的个数。带同类门的个数。有带灌电流负载和拉电流负载有带灌电流负载和拉电流负载两种情况两种情况:负载门负载门驱动门驱动门0 VCC(5V)Rb1 4kW T1 IIL T4 T3 Rc4 130W D 当负载门的个数增加时，总的当负载门的个数增加时，总的灌电流灌

23、电流IIL将增加将增加,引起输出低引起输出低电压电压VOL的升高。的升高。NIIOLOLIL()()驱动门负载门灌电流负载：输出低电平时。灌电流负载：输出低电平时。IILIOL101&1&4.扇入与扇出系数扇入与扇出系数 扇入数扇入数:取决于门的输入端的个数取决于门的输入端的个数 扇出数扇出数:带同类门的个数。带同类门的个数。有带灌电流负载和拉电流负载有带灌电流负载和拉电流负载两种情况两种情况:负载门负载门驱动门驱动门1 VCC(5V)Rb1 4kW T1 IIL T4 T3 Rc4 130W D 01拉电流负载：门输出高电平时拉电流负载：门输出高电平时当负载门的个数增多时，必将当负载门的个数

24、增多时，必将引起输出高电压的降低。引起输出高电压的降低。OHOHIH()()INI驱动门负载门IIHIOH例例 查得基本的查得基本的TTL与非门与非门7410的参数如下：的参数如下：IOL16mA，IIL1.6mA，IOH0.4mA，IIH0.04mA.试计算其带同类门时的试计算其带同类门时的扇出数。扇出数。解：解：(1)低电平输出时的扇出数低电平输出时的扇出数OL16mA101.6mAN (2)高电平输出时的扇出数高电平输出时的扇出数OH0.4mA100.04mAN若若NOLNOH，则取较小的作为电路的扇出数。，则取较小的作为电路的扇出数。例题：例题：扇出数计算举例扇出数计算举例 电路在输入

25、脉冲波形的作用下，其输出波形相对于电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长的时间。输入波形延迟了多长的时间。5.传输延迟时间传输延迟时间 输入输入 同相同相 输出输出 反相反相 输出输出 50%tPLH 50%90%10%tr tPHL 90%50%10%tf 50%tPHL tPLH 90%50%10%tf 90%50%10%tr VOL VOH VOL VOH 0V VCC 平均传输延迟时间平均传输延迟时间 tPdtPLH 为门电路输出由低电平转换到高电平所经历的时间为门电路输出由低电平转换到高电平所经历的时间;tPHL为由高电平转换到低电平所经历的时间。为由高电平转

26、换到低电平所经历的时间。(tPLHtPHL)/2 表征门电路开关速度的参数表征门电路开关速度的参数6.功耗与延时功耗与延时 功耗积功耗积1 1、功耗分为、功耗分为:静态功耗：静态功耗：动态功耗：动态功耗：对于对于TTL门电路来说，静态功耗是主要的。门电路来说，静态功耗是主要的。2 2、延时、延时 功耗积功耗积DP=tpdPD指的是当电路没有状态转换时的功耗指的是当电路没有状态转换时的功耗是在门的状态转换的瞬间的功耗。是在门的状态转换的瞬间的功耗。是一综合性的指标，是一综合性的指标，用用DP表示，其单位为焦耳。表示，其单位为焦耳。DP的值愈小，表明它的特性愈接于理想情况。的值愈小，表明它的特性愈

27、接于理想情况。2.4 其他类型的其他类型的TTL逻辑门逻辑门2.4.1 集电极开路门集电极开路门(Open Collector，OC)？1.问题的提出问题的提出 工程中常常将两个门电路并联工程中常常将两个门电路并联起来实现与的逻辑功能，称为起来实现与的逻辑功能，称为线线与与。ABY1+5VT1T2DT4T3R1R2R3R44k1.6k130W1kABY2+5VT1T2DT4T3R1R2R3R44k1.6k130W1k这两个逻辑门是否可以直接并联？这两个逻辑门是否可以直接并联？2.问题的解决问题的解决AB&Y1OC门的逻辑符号去掉低阻通道，将集电极开路，去掉低阻通道，将集电极开路，称为称为集电极

28、开路门集电极开路门出现问题：当输出为低电平时出现问题：当输出为低电平时正常，但是如果输出应为高电正常，但是如果输出应为高电平时，平时，此时此时T3截止截止，无法输出，无法输出高电平，因此在工作时，必须高电平，因此在工作时，必须接入外接电阻和电源。接入外接电阻和电源。VCC(5V)Rc 4 130 W Rc2 1.6k W Rb2 1.6k W T4 T2 T3 T1 A B Re 2 1k W D OC与非门的电路结构AB+VCCYR T1 T2 T3 uB1OC门实现的线与门实现的线与CDABCDABYYYYYYY 2121才为高才为高，即为低，只有两者同高即为低，只有两者同高有一个低有一个

29、低、T3T3L写出逻辑函数表达式：写出逻辑函数表达式：EDBCABL线与：实现与的线与：实现与的逻辑功能逻辑功能DBCABL 集电极开路门上拉电阻集电极开路门上拉电阻Rp 的计算的计算 TTL 电路 TTL 电路 D C B A T 1 T 2 VCCL R P 在极限情况，上拉电阻在极限情况，上拉电阻Rp具有限具有限制电流的作用。以保证制电流的作用。以保证IOL不超过额不超过额定值定值IOL(max)，故必须合理选用，故必须合理选用Rp的值。的值。另一方面，另一方面，Rp的大小影响的大小影响OC门门的开关速度，的开关速度，Rp的值愈大，因而的值愈大，因而开关速度愈慢开关速度愈慢，故在满足要求

30、的前提，故在满足要求的前提下，下，Rp越小越好。越小越好。Rp(min)OL(max)OL(max)IL(total)CCVVII CCIH(min)p(max)IH(total)VVRIRp(min)OL(max)OL(max)IL(total)CCVVIICCIH(min)p(max)IH(total)VVRI例例2.4.2 设设TTL与非门与非门74LS01(OC)驱动八个驱动八个74LS04(反相器反相器)，试确定一合适大小的上拉电阻试确定一合适大小的上拉电阻Rp，设，设VCC5V。解：从器件手册查出得：解：从器件手册查出得：VCC=5V，VOL(max)=0.4V，IOL(max)=

31、8mA，IIL=400 A，VIH(min)=2V，IIH=20 A。IIL(total)=400 A8=3.2mA得得 p(min)5V0.4V9588mA3.2mARW VCC=5V，IIH(total)=20 A8=0.16mA。Rp的值可在的值可在985W W至至18.75kW W,之间选择之间选择,可选可选1kW W的电阻器为宜。的电阻器为宜。所以所以 WKmAVVRP75.1816.025(max)三态钳位电路三态钳位电路 R1 R2 R4 VCC T4L T3 R3T1与非门A B CS T5 T6 T7 R5 R6 VCC D3.6V1.4V0.7V当当CS=1时时CS数据输入

32、端数据输入端输出端输出端LAB10010111011100三态与非门真值表三态与非门真值表=AB2.4.2 三态门（三态门（Three state Output Gate,TS）R1 R2 R4 VCC T4L T3 R3T1与非门A B CS T5 T6 T7 R5 R6 VCC D当当CS=0时时0.2V0.5V低电平低电平0.5V开路开路CS数据输入端数据输入端输出端输出端LAB10010111011100高阻三态与非门真值表三态与非门真值表 AB CS&L 高电平使能高电平使能高阻状态高阻状态与非功能与非功能 ZL ABLCS=0_CS=1结论：电路的输出有高阻态、高电平和低电平结论：

33、电路的输出有高阻态、高电平和低电平3种状态。种状态。AB CS&L 区别？区别？CS数据输入端数据输入端输出端输出端LAB10010111011100高阻高阻CS数据输入端数据输入端输出端输出端LAB00010111011101高阻高阻高电平高电平有效有效 AB CS&L 低电平低电平有效有效 G1 总线 A B E 1 EN Y 2 EN 1 A E 1 EN B 2 EN 1 1 EN E1 A1 2 EN E2 A2 n EN En An (a)多路开关(b)双向传输(c)单向总线 G1 G2 G1 G2 G2 Gn 作多路开关作多路开关：E=0时，门时，门G1导通，导通，G2禁止，禁止

34、，Y=A；E=1时，门时，门G2导通，导通，G1禁止，禁止，Y=B。信号双向传输信号双向传输：E=0时信号向右传时信号向右传送，送，B=A；E=1时时信号向左传送，信号向左传送，A=B。构成数据总线构成数据总线：让各门的控制：让各门的控制端轮流处于低电平，即任何时刻端轮流处于低电平，即任何时刻只让一个只让一个TS门处于工作状态，而门处于工作状态，而其余其余TS门均处于高阻状态，这样门均处于高阻状态，这样总线就会轮流接受各总线就会轮流接受各TS门的输出门的输出。2.5 TTL电路常识电路常识74：标准系列，其典型电路与非门的平均传输时间：标准系列，其典型电路与非门的平均传输时间tpd10ns，平

35、均功耗平均功耗P10mW。74H：高速系列，是在：高速系列，是在74系列基础上改进得到的，其典型电系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间路与非门的平均传输时间tpd6ns，平均功耗，平均功耗P22mW。74S：肖特基系列，是在：肖特基系列，是在74H系列基础上改进得到的，其典系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间型电路与非门的平均传输时间tpd3ns，平均功耗，平均功耗P19mW。74LS：低功耗肖特基系列，是在：低功耗肖特基系列，是在74S系列基础上改进得到的，系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间其典型电路与非门的平均传输时间tpd9ns，平均功耗

36、，平均功耗P2mW。74LS系列产品具有最佳的综合性能，是系列产品具有最佳的综合性能，是TTL集成电路集成电路的主流，是应用最广的系列。的主流，是应用最广的系列。74AS,74ALS（Advanced Low-Power Schottky TTL）:性能进一步提高。性能进一步提高。2.6 小结小结2.1 三极管非门三极管非门：分析了最简单的三极管非门，并分析了其优缺点。分析了最简单的三极管非门，并分析了其优缺点。2.2 TTL反相器、与非门、或非门反相器、与非门、或非门 2.2.1 TTL反相器：电路结构、传输特性及常用芯片反相器：电路结构、传输特性及常用芯片7404 2.2.2 TTL与非门

37、：电路结构及常用芯片与非门：电路结构及常用芯片7400 7420 2.2.3 TTL或非门：电路结构及常用芯片或非门：电路结构及常用芯片7402 2.2.4 TTL逻辑门的参数及特性：传输特性；输入输出高低电压及逻辑门的参数及特性：传输特性；输入输出高低电压及噪声容限；输入输出高低电流及扇入扇出数；平均延迟时间；功耗噪声容限；输入输出高低电流及扇入扇出数；平均延迟时间；功耗2.3 其他类型其他类型的的TTL逻辑门逻辑门 2.3.1 集电极开路门：线与的概念；外接电阻的计算集电极开路门：线与的概念；外接电阻的计算 2.3.2 三态门：三态门的功能分析；三态门的用途三态门：三态门的功能分析；三态门

38、的用途2.4 TTL电路常识电路常识 大规模集成芯片集成度高，所以要求体积小，而大规模集成芯片集成度高，所以要求体积小，而TTL系列不可能做得很小，但系列不可能做得很小，但MOS管的结构和制造管的结构和制造工艺对高密度制作较之工艺对高密度制作较之TTL相对容易，下面我们介绍相对容易，下面我们介绍MOS器件。器件。与与TTL逻辑电路比较，逻辑电路比较，MOS管的优点是功耗低，管的优点是功耗低，可达可达0.01mw，缺点是开关速度稍低。在大规模的，缺点是开关速度稍低。在大规模的集成电路中，主要采用的集成电路中，主要采用的CMOS电路。电路。3 CMOS逻辑门电路逻辑门电路3.1 场效应管的开关特性

39、场效应管的开关特性3.2 CMOS反相器及反相器及其他其他逻辑门逻辑门3.3 CMOS逻辑门的特点逻辑门的特点3.1 场效应管的开关特性场效应管的开关特性1.概述概述 场效应管是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。场效应管是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道场沟道场效应管效应管和空穴作为载流子的和空穴作为载流子的P沟道沟道场效应管场效应管。N沟道场效应管沟道场效应管P沟道沟道场效应管场效应管栅极栅极源极源极漏极漏极ui=VILuo=VDDGDSRD+VDD截止状态等效电路ui=VIH

40、uo=0GDSRD+VDD导通状态等效电路0)(当导通 OLOTGSIHiVuthVVu2.N沟道场效应沟道场效应管的开关特性管的开关特性uiuoGDSRD+VDDDDOHOTGSILiVVuthVVu 截止)(当MOS管的管的D-S极可以看成是受极可以看成是受ui控制的开关控制的开关。VGS(th)通常通常左右左右3.P沟道场效应沟道场效应管的开关特性管的开关特性uiuoGSDRS+VDDDDOHOTGSGSGSIHiVVuthVUVUVu 截止)(0当VVuthVUVUVuOLOTGSGSDDGSILi0)(当 导通ui=VIHuo=VDDGSDRS+VDD截止状态等效电路ui=VILuo

41、=0GSDRS+VDD导通状态等效电路VGS(th)通常通常左右左右3.2 CMOS反相器及其他逻辑门反相器及其他逻辑门3.2.1 CMOS反相器反相器 VDD TP TN vO vI 当当vI I=0 V=0 V时时 VGSN=0 VTNTN管截止；管截止；|VGSP|=VDDVTP TP管导通。管导通。VO VDD VDD TP TN vO vI 当当vI I =VDD 时时 VO 0VGSN=VDD VTNTN管导通；管导通；|VGSP|=0 107，导通电，导通电阻阻+3V3V+3V一管导通程度愈深，另一管导通一管导通程度愈深，另一管导通愈浅，导通电阻近似为一常数。愈浅，导通电阻近似为

42、一常数。3.3 CMOS逻辑门的特点逻辑门的特点（1）CMOS电路的工作速度比电路的工作速度比TTL电路的低。电路的低。（2）CMOS带负载的能力比带负载的能力比TTL电路强。电路强。（3）CMOS电路的电源电压允许范围较大，约在电路的电源电压允许范围较大，约在318V，抗干扰能力比，抗干扰能力比TTL电路强。电路强。（4）CMOS电路的功耗比电路的功耗比TTL电路小得多。门电路的功耗只有几个电路小得多。门电路的功耗只有几个W，中，中规模集成电路的功耗也不会超过规模集成电路的功耗也不会超过100W。（5）CMOS集成电路的集成度比集成电路的集成度比TTL电路高。电路高。（6）CMOS电路适合于

43、特殊环境下工作。电路适合于特殊环境下工作。（7）CMOS电路容易受静电感应而击穿，在使用和存放时应注意静电屏蔽，电路容易受静电感应而击穿，在使用和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地良好，尤其是焊接时电烙铁应接地良好，尤其是CMOS电路多余不用的输入端不能悬空，电路多余不用的输入端不能悬空，应根据需要接地或接高电平。应根据需要接地或接高电平。使用集成电路时的注意事项使用集成电路时的注意事项（1）对于各种集成电路，使用时一定要在推荐的工作条件范围内，否则将）对于各种集成电路，使用时一定要在推荐的工作条件范围内，否则将导致性能下降或损坏器件。导致性能下降或损坏器件。（2）数字集成电路中多余的输

44、入端在不改变逻辑关系的前提下可以并联起）数字集成电路中多余的输入端在不改变逻辑关系的前提下可以并联起来使用，也可根据逻辑关系的要求接地或接高电平（最好接入限流电阻）。来使用，也可根据逻辑关系的要求接地或接高电平（最好接入限流电阻）。TTL电路多余的输入端悬空表示输入为高电平电路多余的输入端悬空表示输入为高电平；但；但CMOS电路，多余的输入电路，多余的输入端不允许悬空端不允许悬空，否则电路将不能正常工作。，否则电路将不能正常工作。（3）TTL电路和电路和CMOS电路之间一般不能直接连接，而需利用接口电路进行电路之间一般不能直接连接，而需利用接口电路进行电平转换或电流变换才可进行连接，使前级器件

45、的输出电平及电流满足后级电平转换或电流变换才可进行连接，使前级器件的输出电平及电流满足后级器件对输入电平及电流的要求，并不得对器件造成损害。器件对输入电平及电流的要求，并不得对器件造成损害。利用半导体器件的开关特性，可以构成与门、或门、非门、与非利用半导体器件的开关特性，可以构成与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等各种逻辑门电路，也可以构成在电路门、或非门、与或非门、异或门等各种逻辑门电路，也可以构成在电路结构和特性两方面都别具特色的三态门、结构和特性两方面都别具特色的三态门、OC门和传输门。门和传输门。TTL电路的优点是电路的优点是。CMOS电路具有电路具有，但随着集成工艺，但随着集成工艺的不断改进，的不断改进，CMOS电路的工作速度已有了大幅度的提高。电路的工作速度已有了大幅度的提高。总总 结结