晶硅太阳能电池常规工艺简介课件.pptx

1、单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版副标题样式晶硅太阳能电池常规工艺简晶硅太阳能电池常规工艺简介介常规晶硅电池工艺流程常规晶硅电池工艺流程电池片生产流程电池片生产流程剖面图剖面图制绒扩散刻蚀+去PSGn+发射极P型衬底PECVD镀膜氮化硅减反层P型衬底烧结氮化硅减反层n+发射极背电场铝背接触P型衬底背面银电极正银栅线金属电极印刷背面银电极正银栅线P型衬底铝背接触清洗制绒（清洗制绒（texturetexture）目的）目的1、清洗表面油污及金属杂质；2、去除表面损伤层；3、形成表面织构化，减少光反射。硅片机械损伤层（410微米）硅表面损伤层去除单晶硅绒面减反射示意图单晶制绒原理：单晶制绒原理

2、：Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2 eOSSi4H3iOOH62-23-2H244eH总反应方程式为：面晶体硅在碱性溶液中由于各向异性腐蚀，形成金字塔结构：单晶硅槽式制绒设备单晶硅槽式制绒设备单晶制绒工艺流程图单晶制绒工艺流程图多晶硅片在HF-HNO3溶液中，由于反应的不均匀形成大小不等的腐蚀坑；反应如下：Si+2HNO3+6HF=H2SiF6+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF=3H2SiF6+2NO+4H2O+3H2 5Si+6HNO3+30HF=5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3

3、H2 多晶硅片制绒原理多晶硅片制绒原理多晶硅绒面形貌图多晶硅绒面形貌图多晶硅制绒工艺流程多晶硅制绒工艺流程刻蚀/制绒干燥漂洗碱洗漂洗酸洗漂洗干燥在线式制绒设备在线式制绒设备在线式制（在线式制（RENARENA）在线式制绒内部结构（在线式制绒内部结构（SchmidSchmid）制绒工序检验内容制绒工序检验内容 减薄量 反射率 外观均匀性硅片制绒前后的反射率对比扩散制结（扩散制结（diffusiondiffusion）在P型硅衬底扩散N型杂质，在衬底表层形成PN结。一般硅太阳能电池中衬底杂质为硼（B），扩散杂质为磷（P）为什么有一面没有结？扩散制结基础（扩散制结基础（diffusiondiffus

4、ion）制结过程是在一块半导体基体材料上生成导电类型不同的半导体层。制结方法有热扩散，离子注入，外延，激光及高频电注入法等。扩散是物质分子或原子运动引起的一种自然现象，热扩散制pn结法为用加热方法使V族杂质掺入P型或族杂质掺入N型硅而制成。硅太阳电池中最常用的V族杂质元素为磷，族杂质元素为硼。制结方法为使磷元素在扩散进硼掺杂的半导体，在两种掺杂的半导体交界处形成PN结。P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴；N型半导体（N指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形

5、成带负电的自由电子。PNPN结（结（PN junctionPN junction）N N型型P P型型空间电荷区空间电荷区（P-NP-N结）结）电 子空 穴P 型硅片N 型在N型和P型半导体的交界面处存在有电子和空穴浓度梯度，N区中的电子就向P区渗透扩散，扩散的结果是N型区域中邻近P型区域一边的薄层内有一部分电子扩散到N型中去了。由于这个薄层失去了一些电子，在N区就形成带正电荷的区域。同样，P型区域中邻近N型区域一边的薄层内有一部分空穴扩散到N型区域一边去了。由于这个薄层失去了一空穴，在P区就形成了带负电荷的区域。这样在N型区和P型区交界面的两侧形成了带正、负电荷的区域，叫做空间电荷区，也叫P

6、N结。太阳能电池扩散方法太阳能电池扩散方法扩散工艺的掺杂源各不相同，基本的扩散有:固态源：磷纸，硼纸，磷酸二氢铵(结晶状),用于管式扩散。丝网印刷磷浆料后(链式)扩散液态源：POCL3，BBr3，用于管式扩散。喷涂磷酸二氢铵水溶液后(链式)扩散。其中POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的。因此目前国内使用最多的是POCl3液态源扩散法。热扩散反应热扩散反应POCl3在高温下（600）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下：生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（Si

7、O2）和磷原子，其反应式如下：POCl3热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下：5253OP3PClC6005POCl4P5SiO5SiO2P2522522510ClO2P5O4PCl2过量O 生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为：POCl3

8、分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。252236ClO2POPOCl扩散设备及扩散间设备操作扩散设备及扩散间设备操作扩散管路原理图扩散管路原理图扩散基本步骤扩散基本步骤扩散工序检测内容扩散工序检测内容 方块电阻（四探针测试仪）少子寿命（semilab WT1000)方块电阻的意义及测量扩散层的薄层电阻也称方块电阻，即表面为正方形的半导体薄层在电流方向（电流方向平行于正方形的边）所呈现的电阻。用Rs和R表示，sheet resistance。一般用四探针法测量。Rs=/t(其中为块材的电阻率,t为块材厚

9、度）方块电阻的大小直大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量接反映了扩散入硅内部的净杂质总量对于太阳能电池扩散工艺，可以认为硅片周围的杂质浓度是恒定的，不随时间而改变，硅片的表面浓度Ns保持不变。杂质在硅中的分布近似为余误差分布。)/(),(DtxerfcNstxN高浓度磷原子分布示意图QqxNqxxRjjjs_11/1/刻蚀去边或腐蚀去背结刻蚀去边或腐蚀去背结扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。去边的方法有干法刻蚀和湿法腐蚀两种刻蚀原理刻蚀原理干法刻蚀原理：等离子体刻蚀

10、是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。CO22SiFOSi22CF424湿法腐蚀原理：在硝酸、氢氟酸、硫酸组成的腐蚀液中腐蚀秒钟左右，去除硅片背面结及周边结部分，一般使用的设备为在线式腐蚀设备。等离子刻蚀机等离子刻蚀机去磷硅玻璃去磷硅玻璃硅片在经过等离子体刻蚀后，在前表面尚存在一层磷硅玻璃层（PSG层，含磷的二氧化硅），PSG层具有亲水性，易潮解，必须在PECVD镀膜之前去掉。去PSG在HF溶液中进行，反应如下：SiO2+6HF=

11、H2SiF6+2H2O为什么只有一面消失？等离子刻蚀基本步骤等离子刻蚀基本步骤去磷硅玻璃清洗机去磷硅玻璃清洗机刻蚀刻蚀+去去PSGPSG检测内容检测内容边缘P-N型（冷热探针法）外观 （目测）PECVDPECVD镀膜镀膜PECVDPECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等离子增强化学 气相沉积等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态,这种形态就称为等离子态，等离子体从宏观来也是电中性但是在局部可以为非电中性。PECVDPECVD镀膜镀膜工艺目的工艺目的P型衬底氮化

12、硅减反层n+发射极 在扩散后的硅片上形成一层致密的氮化硅（SiNx）层，进一步降低反射率。富H的氮化硅在经过一定的高温后（烧结过程）能够对硅体材料形成很好的钝化作用。阻挡金属离子和水蒸汽的扩散。形成良好的绝缘层。PECVDPECVD原理原理 PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法的特点是等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过

13、程，生成活性很高的各种化学基团，能显著降低薄膜沉积的温度范围。反应方程式：235034HH:iN xSNHSiH等离子体PECVDPECVD等离子产生方式：等离子产生方式：直接式直接式基片位于一个电极上，直接接触等离子体（低频放电10-500kHz 或高频13、56MHz),在射频激发的等离子的腔体内，高速运动的 电子激发反应气体NH3和SiH4产生等离子，沉积在硅片表面。间接式间接式基片不接触激发电极（如2、45GHz微波激发等离子),在微波激 发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管 导入反应腔中。在这种设备里微波只激发NH3，而SiH4直接进 入反应腔。间接PECVD的沉积

14、速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。直接式直接式PECVDPECVD间接式间接式PECVDPECVD等离子的两种产生方式比较等离子的两种产生方式比较PECVDPECVD设备结构设备结构平板式平板式PECVDPECVD设备设备平板式平板式PECVDPECVD工艺过程工艺过程管式管式PECVDPECVD镀膜设备镀膜设备管式管式PECVDPECVD工艺控制过程工艺控制过程boatheating cassetteplasma generatorCESARloadingmachinegas supplyN2SiH4NH3vacuumpumpscrubberExhaust管式管式PECVDPEC

15、VD的基本工艺步骤的基本工艺步骤PECVDPECVD检测内容检测内容 膜厚、折射率（椭偏仪）反射率（D8反射仪）外观均匀性、颜色（目测）制备电极制备电极制备电极的目的：1、收集电流2、引出电流3、将单体电池焊接成串制备电极的方法制备电极的方法丝网印刷法：丝网印刷法：在网版上制作特定电极图形，通过刮刀的运动将网版上的金属浆料挤出网版，落在网版下面的硅片上，形成电极图形。丝网印刷方法制作电极图形成本低，产量高，是目前规模化生产中普遍采用的一种制备电极的方法。刻槽埋栅法：刻槽埋栅法：用激光或者机械的方法在电池表面划出电极槽，在电极槽内重掺之后将不同的金属按照不同的顺序叫住的电极槽内，这种方法制作成本

16、高，但电池效率高，一般用于高效电池的制作。喷墨打印法：喷墨打印法：使用气体带动金属浆料从特制的喷嘴喷出，沉积到电池表面形成电极，这种方法制备的电极具有较好的高宽比，但目前设备尚不成熟，规模化应用较少。丝网印刷的原理丝网印刷的原理印刷基材（硅片）刮刀挤压印刷油墨，并借助刮刀面和网版网结的阻拦，使印刷油墨呈现出逆向滚动状态，当油墨行至网版未被乳胶膜阻挡的电极图形区时即向下穿透网孔接触印刷基材(硅片)，刮刀继续往前推移是，则因网版张力及离版间距，使油墨脱离网版，附着于印刷基材上，达到印刷的目的。网网 框框印印 刷刷 网网 粘着剂粘着剂刮刮 刀刀印印 墨墨版版 膜膜印印 刷刷基基 材材丝网印刷流程丝网

17、印刷流程P型衬底背电极印刷烘干背电场印刷烘干正电极印刷烘干+烧结测试分选电池的正背面电极图形电池的正背面电极图形栅线（银浆）背电场：铝浆背电极：铝浆或银铝浆电池片正面电池片正面电池片反面电池片反面丝网印刷的设备丝网印刷的设备(Baccini)(Baccini)PrintDryLoad丝网印刷检测内容丝网印刷检测内容 副栅线宽度、高度（晶相显微镜）印刷湿重（电子天平）印刷图形完整性（目测）烧结的目的烧结的目的燃尽金属浆料中的有机成分；烧穿绝缘的氮化硅膜，使浆料中的金属和硅熔融合金，形成欧姆接触；对经过等离子轰击的硅片退火，激活掺杂的原子，消除晶格损伤；激活氮化硅膜()中的氢离子，使之钝化硅片内部

18、晶格缺陷。H:iNxS烧结的原理烧结的原理v 烧结可看作是原子从系统中不稳定的高能位置迁移至自由能最低位置的过程。浆料中的固体颗粒系统是高度分散的粉末系统，具有很高的表面自由能。因为系统总是力求达到最低的表面自由能状态，所以在烧结过程中，粉末系统总的表面自由能必然要降低，这就是烧结的动力学原理。v 固体颗粒具有很大的比表面积，具有极不规则的复杂表面状态以及在颗粒的制造、细化处理等加工过程中，受到的机械、化学、热作用所造成的严重结晶缺陷等，系统具有很高自由能.烧结时，颗粒由接触到结合，自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能降低，系统转变为热力学中更稳定的状态。这是粉末系统

19、在高温下能烧结成密实结构的原因。烧结的设备烧结的设备烧结炉烧结炉despatchdespatch烧结炉（烧结炉（centrothermcentrotherm）烧结炉内部机构及工艺图烧结炉内部机构及工艺图测试分选测试分选&包装入库包装入库测试目的：通过模拟太阳光对太阳能电池进行参数测试和分析，并将电池片按照电性能和外观等要求进行分类，包装入库。标准太阳光功率密度：1kW/m2=100mW/m2，以此作为测试仪器的入射光的功率密度即：Pin=1kW/m2=100mW/m2 测试环境温度：25 电池参数的定义电池参数的定义 短路电流Isc：电池短路（Uoc=0)时的电流，即最大电流；开路电压Uoc：

20、电池开路（Isc=0）时的电压，即最大电压;最大功率Pmax:电池在光照下输出的最大功率值；填充因子FF：最大功率/(最大电压*最大电流)=Pmax/(Isc*Uoc)转换效率：电池输出功率与太阳 光入射功率的比值测试分选设备测试分选设备(台达）台达）电池片的包装入库洁净室标准 目前世界各国虽有自订规格，但普遍还是采用美国联邦标准 209 为多，今就209D 及209E 和世界上其他各国之所订标准再做更进一步之介绍与相互比较。美国联邦标准Fed-Sta-209E为洁净室洁净等级，一个历史阶段以来，为世界各国所采用，在规范设计行为方面，发挥了巨大的作用，随着科学技术的发展，它完成了其历史使命。美

21、国环境科学委员会，于2001年11月24日正式宣布，由即日起取消并废除洁净室的美国联邦标准Fed-Sta-209E，在美国等效使用“ISO14644-1”洁净室等级的国际标准。在以后的文件中，再出现美国联邦标准Fed-Sta-209E的等级内容的字样，该文件可视之无效文件，或劣质文件或不合格文件。我国修订后的“洁净厂房设计规范GB50073-2001”，已经在2002年开始实行，其中，关于洁净室洁净等级，等效采用“ISO14644-1”洁净室等级的国际标准，实现了与国际接轨。晶硅太阳能电池车间洁净度晶硅太阳能电池车间洁净度制绒制绒万级（万级（ISO class7）扩散前清洗、扩散扩散前清洗、扩

22、散千级（千级（ISO class6）刻蚀、去刻蚀、去PSG万级（万级（ISO class7）PECVD、丝网印刷、烧结、测试分选、丝网印刷、烧结、测试分选十万级（十万级（ISO class8）车间洁净度测试方法：激光粒子计数仪习题1.制作晶硅太阳能电池的主要 步骤有哪些？答：制绒，扩散，刻蚀，去磷硅玻璃，镀膜，印刷电极，烧结，测试。2.液态扩散源三氯氧磷在有氧气的扩散条件下的反应式(不是方程式)252236ClO2POPOCl答：3.简述PECVD的原理的特点，并写出反应式答：PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法的特点是等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，能显著降低薄膜沉积的温度范围。反应方程式：235034HH:iNxSNHSiH等离子体