晶体三极管及其基本放大电路-PPT课件.ppt
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1、第二章、三极管第二章、三极管及基本放大电路及基本放大电路 重点重点:掌握三极管的结构和基:掌握三极管的结构和基本特性、工作状态和极性判别本特性、工作状态和极性判别方法;方法;掌握三极管基本放大电掌握三极管基本放大电路性能指标的计算;路性能指标的计算;Ma Liming Electronic Technique22.12.1、双极型三极管的结构和分类、双极型三极管的结构和分类 发射区掺杂浓度最高发射区掺杂浓度最高,基区基区掺杂浓度最低且掺杂浓度最低且很很薄薄,集电极掺杂浓度介于两者之间,体积最大。这集电极掺杂浓度介于两者之间,体积最大。这样三极管就表现出单个样三极管就表现出单个PNPN结不是有功
2、能结不是有功能电流放大电流放大作用作用。根据结构来分可分为根据结构来分可分为PNPPNP和和NPNNPN管,由两个管,由两个PNPN结的三层半导体制成结的三层半导体制成,分别引出三个电极分别引出三个电极发射极发射极E E(emitter)(emitter)、基极、基极B B(base)(base)和集电极和集电极C C(collector)(collector)。Ma Liming Electronic Technique3 三极管的组成与符号三极管的组成与符号 (a)NPN型型;(b)PNP型型Ma Liming Electronic Technique4PNP型三极管的组成与符号型三极管的
3、组成与符号PNPcbeebcceb PNP型三极管的结构和型三极管的结构和NPN型三极管类似,型三极管类似,两者几乎具有两者几乎具有相同的特性,只不过各电极端的电相同的特性,只不过各电极端的电压极性和电流的方向不同。压极性和电流的方向不同。Ma Liming Electronic Technique5常见三极管(用途)常见三极管(用途)Ma Liming Electronic Technique6 为使三极管具有电流放大作用,在制造过程中必须满为使三极管具有电流放大作用,在制造过程中必须满足实现放大的足实现放大的内部结构条件内部结构条件,即:,即:(1)发射区掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度,以便
4、于有足够的)发射区掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度,以便于有足够的载流子供载流子供“发射发射”。(2)基区很薄,)基区很薄,只有只有1微米至几十微米厚,掺杂浓度很低,以微米至几十微米厚,掺杂浓度很低,以减少载流子在基区的复合机会,这是三极管具有放大作用的关减少载流子在基区的复合机会,这是三极管具有放大作用的关键所在。键所在。(3)集电区比发射区体积大且掺杂少,以利于收集载流子。)集电区比发射区体积大且掺杂少,以利于收集载流子。由此可见,三极管并非两个由此可见,三极管并非两个PN结的简单组合,不能用两个二结的简单组合,不能用两个二极管来代替;在放大电路中也不可将发射极和集电极对调使用。极管来代替;在
5、放大电路中也不可将发射极和集电极对调使用。Ma Liming Electronic Technique7NNPCBII电流放大系数,反映了三极管的放大能力.CBII 在放大状态下在放大状态下I IC C与与I IB B成正比成正比Ma Liming Electronic Technique81、输入特性曲线 根据输入回路可知根据输入回路可知,只只有一有一PN结参与输入回路结参与输入回路,其其输入特性的函数式为输入特性的函数式为:()CEBBEuif u常数我们知道我们知道U UBEBE加在发射结上,就相加在发射结上,就相当于加在一个二极管上当于加在一个二极管上,输入特输入特性和二极管的特性曲线
6、相似性和二极管的特性曲线相似()BE onU 导通电压导通电压:Si 0.60.8V,一般取一般取0.7V;Ge 0.2V0.3V,一般取一般取0.2Vi)i)死区电压死区电压:Si:0.5V;Ge:0.1V:Si:0.5V;Ge:0.1VvBEiBovONvBEVCE=1VVCE=10VMa Liming Electronic Technique9ii)时时,为什么特性曲线向右偏移?为什么特性曲线向右偏移?CEU1V 由于由于UCE的加入使集电结反偏,必然要导致发的加入使集电结反偏,必然要导致发射极的一部分载流子参与输出回路的流通射极的一部分载流子参与输出回路的流通 在相在相同的同的U UB
7、EBE情况下,流向基极电流情况下,流向基极电流I IB B减小。减小。vBEiBovONvBEIB1IB2VCE=1VVCE=10VMa Liming Electronic Technique10对于对于NPN型三极管型三极管,工作在放大区工作在放大区时时,有有:VCVBVE对于对于PNP型三极管型三极管,工作在放大区工作在放大区时时,有有:VCVBVEVB对于对于PNP型三极管型三极管,工作在截止区工作在截止区时时,有有:VCVEVCVE对于对于PNP型三极管型三极管,工作在饱和区工作在饱和区时时,有有:VBVC ICM时时,三极管不一定会损坏三极管不一定会损坏,但但明显下降。明显下降。ii
8、i)反向击穿电压反向击穿电压U(BR)CEO、U(BR)CBO、U(BR)EBO。一般一般U(BR)CEO U(BR)CBO U(BR)EBO ii)集电极最大允许功率集电极最大允许功率PCM三极管工作时三极管工作时,uCE大部分降在集电结上,所以集电大部分降在集电结上,所以集电极功率损耗极功率损耗PC=uCEiC,会使集电结温度升高,会使集电结温度升高,PCM就是允许的最高集电结温度决定的最大集电极功耗。就是允许的最高集电结温度决定的最大集电极功耗。工作时工作时PC UWWQ(、2mA、6V)20 A1.静态工作点+VCC直 流 通 路2BR1BRERcR所以假设成立.Ma Liming E
9、lectronic Technique762.交流分析/(/)35.635.61001301.5代入数值得:ocLCLCuib bebeui RRRRAui rrkkkkkWWWWWLR+-+-cR交 流 通 路SuSRERou微变等效电路+-+-berSuSRERLRcRouibibMa Liming Electronic Technique77/代入数值得:150015=15150015iiEiBebiuRRRRriWWWWW115代入数值得:1.5k=1+100ib bebeiebeeui rrRriiWW0,0,0,3ibb令u视为开路oCiiRRkWMa Liming Electro
10、nic Technique78 计算结果表明计算结果表明:共基、共射电路共基、共射电路元件参数相元件参数相同时同时,它们的它们的电压放大倍数数值电压放大倍数数值是相等的是相等的,但但是是共基极放大电路共基极放大电路输入电阻小输入电阻小,这类电路主这类电路主要用于要用于高频高频电压放大电路电压放大电路.151301.9115oiususisuRAAuRRkWWWMa Liming Electronic Technique79三极管放大电路三种基本组态的比较 共发射极电路共集电极电路共基极电路电路形式AuriroC1RcC2RL UCCUi.Rb2ReCeUo.Rb1RoriC1C2RL UCCU
11、SReUo.RbriRSUi.brocCbRcC2RL UCCRb2ReC1Uo.Rb1RiRoUi.LbeRrb-(1)1(1)LbeLRrRbb+LbeRrbbebbRRR/21大)()1(/LbebRrR小))(1/(beerRcR小)()1/(SbbeeRRrRcRMa Liming Electronic Technique80应应用用一般放大,多一般放大,多级放大器的中级放大器的中间级间级输入级、输出级输入级、输出级或阻抗变换、缓或阻抗变换、缓冲(隔离)级冲(隔离)级高频高频放大、宽频放大、宽频带放大震荡及恒带放大震荡及恒流电源流电源Ma Liming Electronic Tech
12、nique812.10、多级放大电路、多级放大电路 在实际的电子设备中,为了得到足够大的在实际的电子设备中,为了得到足够大的放大倍数或者使输入电阻和输出电阻达到指标放大倍数或者使输入电阻和输出电阻达到指标要求,一个放大电路往往由多级组成。要求,一个放大电路往往由多级组成。多级放大电路由输入级、中间级及输出级多级放大电路由输入级、中间级及输出级组成,如图所示。组成,如图所示。信号源输入级中间级输出级负载多级放大电路Ma Liming Electronic Technique82 可以分别考虑输入级如何与信号源配合,输可以分别考虑输入级如何与信号源配合,输出级一般为功率放大电路来实现,如何满足负载
13、出级一般为功率放大电路来实现,如何满足负载的要求,中间级如何保证放大倍数足够大。的要求,中间级如何保证放大倍数足够大。各级放大电路可以针对自己的任务来满足技各级放大电路可以针对自己的任务来满足技术指标的要求,本章只讨论由输入级到输出级术指标的要求,本章只讨论由输入级到输出级组成的多级小信号放大电路。组成的多级小信号放大电路。信号源输入级中间级输出级负载多级放大电路Ma Liming Electronic Technique83 2.10.1、级间耦合方式级间耦合方式 多级放大电路是将各单级放大电路连接起多级放大电路是将各单级放大电路连接起来,这种级间连接方式称为耦合。要求前级的来,这种级间连接
14、方式称为耦合。要求前级的输出信号通过耦合不失真地传输到后级的输入输出信号通过耦合不失真地传输到后级的输入端。常见的耦合方式有端。常见的耦合方式有阻容耦合阻容耦合、直接耦合直接耦合及及变压器耦合变压器耦合三种形式。三种形式。Ma Liming Electronic Technique841、阻容耦合阻容耦合 阻容耦合是利用电容器作为耦合元件将前级和后级连接起来。这个电容器称为耦合电容,如图所示。V1V2Ui.C1Rb1Rc1C2Rb2Rc2C3Uo.UCC(a)Ma Liming Electronic Technique85阻容耦合两级放大电路的直流通路V1V2Rb1Rc1Rb2Rc2 UCC(
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