材料显微结构分析08电子显微镜课件.ppt
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1、材料显微结构分析方法材料显微结构分析方法清华大学研究生课程清华大学研究生课程VII.扫扫 描描 电电 子显子显 微微 镜镜Scanning Electron Microscopy(SEM)特点:特点:分辨率比较高,二次电子象分辨率比较高,二次电子象5060 放大倍数连续可调,几十倍到二十万倍放大倍数连续可调,几十倍到二十万倍 景深大,立体感强景深大,立体感强 试样制备简单试样制备简单 一机多用一机多用 VII.扫扫 描描 电电 子显子显 微微 镜镜 一一.SEM结构结构及成象原理及成象原理 扫扫描描线线圈圈镜镜筒筒SEM屏屏幕幕BCRTe样样品品BeSEM器器换换变变大大放放描描扫扫步步同同栅
2、栅极极CRT器器大大放放频频视视BeSEiSCiTiBSiRayX TE EDS)(LiSi扫扫描描线线圈圈中中的的CRT)/(成成份份形形貌貌信信号号)(亮亮度度位位置置信信号号*电子束参数:电子束参数:束流束流i :1012106A 束斑直径束斑直径d:501 m 发发 散散 度度:(立体角立体角)2222)(rDASr(距距离离束束斑斑发发射射面面积积球球面面度度241010 2224 diKTeEJC 电子束亮度:电子束亮度:亮度方程:亮度方程:*扫描系统:扫描系统:X-Y *扫描方式扫描方式 线扫描,线扫描,X扫描,扫描,Y调制调制 方方向向高高度度中中检检测测器器获获得得信信号号调
3、调制制屏屏幕幕中中电电子子束束试试样样电电子子束束同同步步扫扫描描YCRTCRTCS制备陶瓷涂层制备陶瓷涂层与基体的界面与基体的界面形貌及元素分布形貌及元素分布 陶瓷陶瓷涂层涂层金属金属*扫描系统:扫描系统:X-Y *扫描方式扫描方式 线扫描,线扫描,X扫描,扫描,Y调制调制面扫描:面扫描:用用CRTCRT上相应点上相应点的亮度显示试样上的亮度显示试样上对应点的显微结构对应点的显微结构信号信号.PMN陶瓷中的陶瓷中的Mg分布分布ACBDYS涂层显微组织涂层显微组织SEM照片照片 AElement Weight%Atomic%O K 53.03 65.56Al K 46.97 34.44Tota
4、ls 100.00DElement Weight%Atomic%O K 49.22 63.65Al K 43.22 33.14Fe K 6.70 2.48Si K 0.77 0.57Totals 100.00D:铁铝尖晶石相:铁铝尖晶石相 (FeOAl2O3)莫来石相莫来石相 (3Al2O32SiO2)A:Al2O3 点扫描:点扫描:*放大倍数:放大倍数:L:l:M由调节线圏的偏转控制由调节线圏的偏转控制 S 大小实现,大小实现,lLM 不必改变透镜的聚焦的激磁电流。不必改变透镜的聚焦的激磁电流。mmlXM1.01000 时,当当上的扫描面积上的扫描面积Sample201.0mmS 通常通常即
5、在某一即在某一M下,下,CRT可分辨的最小尺寸可分辨的最小尺寸,图象元素图象元素:mdCRT 100min MPdeCRT 所以所以Pe与与M之关系之关系:mPe 1.0 当当M=1000X时时:MdPCRTe直径)直径)(min CRT荧光屏尺寸荧光屏尺寸100mm电子束在样品上的扫描长度电子束在样品上的扫描长度 有效放大倍数:有效放大倍数:即即Pe 与束斑与束斑dsamp 必须相适应必须相适应:esampPd esampPd 当当:虚放大,不可分辨虚放大,不可分辨 mdddMBBeeCRT 2101 有效有效MdPCRTe直径)直径)(min 景深景深 D:即试样有一定起伏时,能使上下各即
6、试样有一定起伏时,能使上下各 部都获得同时聚焦的深度部都获得同时聚焦的深度。rD 21MmmrD /2.02MmmPe/.10,图像清晰,图像清晰即应有即应有M/mm.r10 rDD.WR2光光学学聚聚焦焦面面扫扫描描方方向向Be图图像像有有效效聚聚焦焦范范围围RM/D.Wmm.D 20DWR 又又:工工作作距距离离D.W:发散角:发散角:束斑半径:束斑半径r对一定对一定M,RM/D.Wmm.D 20景深景深 DR,一定时一定时,当当DW 对一定对一定R,DM,(1)景深模式景深模式:(2)高分辨率模式:高分辨率模式:DD.W,R 大大小小两种操作模式:两种操作模式:W.D50mmW.D10m
7、m选用由球差等因素选用由球差等因素决定的最佳发散角,决定的最佳发散角,降低降低W.D。二二.检测器检测器 三三个个重重要要参参量量 2rA 1.take-off Angle:试样表面与信号探测器的夹角试样表面与信号探测器的夹角2.探测器立体角:探测器立体角:A:探测器立体角:探测器立体角 r:Sample与探测器之间的距离与探测器之间的距离 3.转换率:转换率:探测器响应值与接受信号的百分比探测器响应值与接受信号的百分比 1.1.闪烁晶体光电倍增系统闪烁晶体光电倍增系统 )1010()(852增益增益光导纤维光导纤维光子光子的的掺杂掺杂PMLGCaFESuBeBSeSEe法法拉拉第第罩罩F光光
8、导导管管LG)Eu(CaFS2闪闪烁烁晶晶体体Kv1210)(收集栅收集栅试样试样V25050 法法拉拉第第罩罩FBSSEee或或PM光光电电倍倍增增管管 法拉第罩法拉第罩F 作用:作用:F为为-50V偏压:偏压:F为为+250V偏压:偏压:避免避免S上的上的10KV影响影响eB方向。方向。cmrcmDSrrD4105.0/4122 ,的的 take-off Angle:=30 BSeBSeSEe()a.b.c.无影灯效应无影灯效应立体感强立体感强装卸式可贴近试样,置于试样上方。装卸式可贴近试样,置于试样上方。表面有前置电极,表面有前置电极,可控入射可控入射e 阈值,阈值,仅接收高能仅接收高能
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