计算机组成原理chap课件.ppt
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1、1第四章 存储系统南京大学计算机系多媒体技术研究所袁春风南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风2第四章 内部存储器n存储器的基本概念n半导体存储器n多模块存储器n高速缓冲存储器n辅助(外部)存储器n虚拟存储器南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风34.1 存储器的基本概念n基本术语n主要性能指标n存储器分类n存储器分级体系结构南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风44.1.1 基本术语n记忆单元(位元):具有两种稳态的能够表示二进制数码0和1的物理器件。n存储单元:主存中具有相同地址的那些位构成一个存储单元。n存储体:若干存储单元构成一个存储体。n编址方式:对存储体中各存储单元进行
2、编号的方式。按字节编址 按字编址 按半字编址n存储器地址寄存器(MAR):用于存放主存单元地址的寄存器。n存储器数据寄存器(MDR):用于存放主存单元中的数据的寄存器。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风54.1.1 基本术语n存储字、编址单位和传输单位 机器字长:运算器中参加运算的寄存器的位数。存储字:存储器按机器字长组织的一个“自然”单位。它的长度一般应等于一个数或指令的位数。但大多数机器并不是这样。存储芯片中的一个读写单位。编址单位:一个存储单元的位数。有的按字编址,有的按字节编址,等等。传输单位:对主存而言,指一次从存储器读出或写入的数的位数,它可以不等于存储字的长度,也可不等于
3、编址单位。对外存而言,数据通常按块传输。(例如:386/486等,其编址单位为字节、字长为32位,单字位数为16位,但传输单位可以是8/16/24/32位。)南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风64.1.2 主要性能指标n存储容量:存储器能够容纳的二进制信息量。存储器的存储容量越大,能存储的信息就越多。存储容量常用存储单元数与每个单元的位数的乘积表示,或用字节数表示。如PDP-11/23PDP-11/23计算机主存容量为64K字,字长为16位,则可表示为64K*16位,或128K字节,记为128KB(Byte)。现代计算机的主存容量要大得多,一般以字节为单位表示。如以Pentium为CP
4、U的微型计算机,主存的配置一般为32256MB。通常用2的整数幂来计算存储容量,计量单位有K,M,G,T等。这些计算单位之间的换算如下:1K=210=1024 1G=230=1024M 1M=220=1024K 1T=240=1024G南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风74.1.2 主要性能指标n存取速度 存取时间TA A;存储器接到读/写命令后到被读数据稳定在MDR的输出端或数据被写入某单元为止的时间间隔。也称读写时间。存储周期TMCMC:连读两次访问存储器所需的最小时间间隔,它应等于存取时间加上下一存取开始前所要求的附加时间(因为存储器由于读出放大器、驱动电路等都有一段稳定恢复时间
5、,所以读出后不能立即进行下一次访问。)。因此,TMC比TA大。最大数据传输率R:连续访问时每秒钟从存储器入出的信息量。单位:位/秒(bps)或 字节/秒(Bps)。RAM:R=W/TMCMC (假定存储周期是500ns,每次读写一个字(16位),则最大数据传输率为:16b/500ns=32Mbps。)磁表面:TN=TA+N/R (其中TN 为读写N位的平均时间;TA为平均存取时间;N为位数)速度计量单位:毫秒=10-3秒(m s),微秒=10-6秒(s),纳秒=10-9秒(ns)南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风84.1.2 主要性能指标n价格(每位成本)存储器的价格常用每位(bit)
6、的价格来衡量。它不仅包含了存储元件本身的价格,也包括为该存储器操作服务的外围电路的价格。一般来说,用来组成主存的存储器价格较高,如半导体存储器(双极型和MOS型存储器)。辅助存储器(如磁盘、磁带、光盘)的价格则低得多。速度很高的存储器往往价格较贵,容量也不可能很大。因此容量、速度、价格三个指标是互相制约的。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风94.1.2 主要性能指标n可靠性存储器可靠性用平均故障时间间隔MTBF(Mean Time Between Failures)来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。它的值越大表示存储器的可靠型越高,可连续运行时间就越长。与MTBF意
7、义相同的术语是平均无故障时间或平均无差错时间。MTBF的计算公式为:t存储器系统运行的一段时间N(t)系统在0,t时间段内的故障次数南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风104.1.2 主要性能指标n其他性能指标 集成度:每个芯片所含的二进制信息量。功耗:发热程度和耗电量。集成度和功耗是矛盾的两个方面。我们希望集成度大而功耗小,但一般集成度越大,功耗也越大。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风114.1.3 存储器分类(1)按工作性质/存取方式分类 随机存取存储器(RAM):每个单元的读写时间一样,且与各单元所在位置无关。如:内存。顺序存取存储器(SAM):数据按顺序从存储载体的始端
8、读出或写入,因而存取时间的长短与信息所在位置有关。例如:磁带。直接存取存储器:利用一个共享读写机制,直接定位到要读写的数据块,在读写某个数据块时按顺序进行。例如:磁盘。相联存取存储器:按内容检索到存储位置进行读写。例如:快表。依据不同的特性有多种分类方法南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风124.1.3 存储器分类(2)按存储介质分类半导体存储器双极型,静态MOS型,动态MOS型磁表面存储器磁盘,磁带,磁鼓光存储器CD,CD-ROM,MO,DVD磁芯存储器电荷耦合器件(CCD)磁泡存储器南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风134.1.3 存储器分类(3)按信息的可更改性分类读写存储
9、器(Read/Write Memory):可读可写。只读存储器(Read Only Memory):只能读不能写。(4)按断电后信息的可保存性分类 非易失性存储器:信息可一直保留,不需电源维持。如:ROM,磁表面存储器。易失性存储器:电源关闭时信息自动丢失。如:RAM。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风144.1.3 存储器分类(5)按功能/容量/速度/所在位置分类 寄存器:封装在CPU内,用于存放当前正在执行的指令和使用的数据。Cache:位于CPU内部或附近,用来存放当前要执行的局部程序段和数据。速度可与CPU匹配,容量小。内存储器(主存储器):位于CPU之外,用来存放已被启动的程
10、序及所用的数据。容量较大,速度较快。外存储器(辅助存储器):位于主机之外,用来存放暂不运行的程序和数据。容量大而速度慢。从使用和维护角度来说,计算机最好使用一个容量极大而速度极快的存储器。但往往做不到。因而采用一种分级体系结构,使各种不同功能/容量/速度/价格的存储器相互协调以构成最佳性能的存储系统。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风154.1.4 存储器分级体系结构五层金字塔形分五层金字塔形分层系统从上到下层系统从上到下的特点:的特点:1,每位价格降低,每位价格降低2,容量增大,容量增大3,存取时间增大,存取时间增大4,访问频度降低访问频度降低Traditional Memory H
11、ierarchy传统结构南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风164.1.4 存储器分级体系结构Contemporary Memory Hierarchy当代结构开辟一部分内存区,用作“Disk Cache”,用于存放将被送到磁盘上的数据。引入“Disk Cache”的好处:(1)写盘时按“簇”进行,以避免频繁地小块数据写盘。(2)有些中间结果数据在写回盘之前可被快速地再次使用。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风174.2 半导体随机存储器n记忆单元的基本原理n半导体RAM的组织n再生与刷新n只读存储器n存储器的数据检/纠错南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风184.2.1
12、记忆单元的基本原理n作为记忆材料的条件:有两种稳态,且是可逆的。在外部信号激励下,两种稳态能进行无限次相互转换。在外部信号激励下,能读出两种稳定状态。长期存储可靠n可用作记忆单元(位元)的材料:磁性材料(磁芯、磁泡、CCD等,用的很少)半导体材料(TTL,ECL,MOS管,大量使用)半导体记忆单元双极型MOS管静态MOS动态MOSSRAMDRAM目前的主流技术南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风194.2.1 记忆单元的基本原理(1)速度快,但集成度低、功耗大电路速度主要取决于射极电流“拨动”的速度,而电流变化的快慢,与管子的频率特性有关,晶体管的频率特性可以做得很高,所以双极型记忆单元
13、速度是很快的。(2)非破坏性读出,也无需刷新。信息读出后,原来的信息状态不变,而且稳定。主要用作高速小容量的Cache。对于大容量的主存储器一般用功耗小、集成度高,但速度较慢的MOS管电路。双极型记忆单元电路的特点南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风204.2.1 记忆单元的基本原理静态六管MOS有以下三个特点:非破坏性读出,不需重写或刷新;结构简单,可靠性高,具有一定速度;电路元件较多,占硅片面积大,故功耗大,集成度不高。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风21动态单管MOS记忆单元电路图南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风22动态单管记忆单元读出电压MOS电路中,数据线本
14、身存在分布电容C0,故在读出时,读出线上的电荷在串接的两电容C0和CS中间分配,使得读出电压下降,如果原存储在CS上的电压为VS则读出电压VR为:一般C0CS般,故读出电压信号很微弱,通常需用放大电路。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风234.2.2 半导体RAM的组织存储器芯片:存储体+外围电路(地址译码和读写控制)记忆单元的组织:位元字线W位线S0位线S1 读写控制Din DoutR/W 位元选择线(字线)数据线(位线)读写控制Din DoutR/W存储体:由记忆单元(位元)构成的存储阵列记忆单元存储器芯片内存条(存储器模块)南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风244.2.2
15、 半导体RAM的组织n存储器芯片的种类(由存储体结构来分)字片式(单方向译码,一维地址驱动)阵列中的位元排列与存储器中字的逻辑排列相同。存储体的每一行构成多位的一个存储字,一起被读写。每列由相同位构成,共用一个读写电路,有多个读写电路。在位方向上便于扩充。位片式(双方向译码,二位地址驱动)芯片阵列由行和列排列而成,每次只能读写行、列交叉处的一位数据。每个芯片只有一位读写电路。在字和位方向上都能扩充,但需有片选信号。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风25字片式存储体阵列组织X向译码器一维地址译码系统地址驱动线南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风26位片式存储体阵列组织南京大学计算机
16、系 多媒体技术研究所 袁春风27位片式芯片框图南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风28字扩展为芯片字数的4倍位扩展为芯片位数的16倍南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风29半导体随机存储器基本结构图主存储器南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风304.2.2 半导体RAM的组织n地址译码(驱动)器用于将总线上传输过来的地址信息进行译码,在所有字线中选择一根字线,使其驱动为高电平。地址线有n条时,译码器输出2n条字线,能驱动2n个存储单元中任一个。问题:对于一个具有2n个单元的位片式芯片(即:采用二维地址译码的存储器芯片),其地址驱动(选择)线的条数为多少?2n/2+2n/2南京
17、大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风31地址译码器电路示意图南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风324.2.2 半导体RAM的组织n读写控制 存储器的基本操作是读操作和写操作。读写控制电路用于接收总线送来的读/写控制信号,控制数据写入记忆单元,或将数据从记忆单元读出。下图是一个二进制位的读写与I/O电路示意图。读写控制电路由门电路1、2组成,“读写命令R/W”接受总线传送过来的读/写命令。当R/W=1时是读操作命令,R/W=0时是写操作。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风33n16M位=4Mb x 4=2048 x 2048 x 4=211x211x4(1)地址线:11根 分时
18、复用,由RAS和CAS提供控制时序。采用分时复用技术使得每出现新一代存储器芯片,容量至少 提高四倍。(因为每增加一根地址线,行和列各扩大2倍,总的扩大4倍)(2)这个DRAM芯片的存储字是4位,所以还需将多个这样的芯 片连接到DRAM控制器,才能在总线上读写相应的位数。(3)所有DRAM芯片都同时刷新,由刷新计数器自动计数、按行 刷新(只产生行地址),对CPU透明。举例2:典型的16M位DRAM(4M*4)南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风34举例2:典型的16M位DRAM(4M*4)南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风35举例3:256K字节存储器组织n256KB=256Kb
19、x 8=512 x 512 x 8=29 x 29 x 8 所以要8个512 x 512的位片式芯片 每个芯片的地址线为9+9=18。n存储器容量等于芯片的字数,所以只需在位方向上进行扩充。而字方向不需扩充。字:512 x 512=256K(未扩充)位:1位8位。n若需要更大容量的存储器时,则需一个芯片阵列。即芯片在字和位方向都要扩充。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风36举例3:256K字节存储器组织南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风374.2.3 DRAM的刷新n什么样的存储芯片要刷新?动态RAM芯片要刷新。n为什么要刷新?因为DRAM芯片是靠电容上存储电荷来暂存信息的。而
20、电容的绝缘电阻不是无穷大,总会有漏电。因而需要定期进行刷新,即对原存信息的电容补充电荷。电荷泄漏程度取决于制造工艺,目前多数DRAM芯片需要在2ms以内全部刷新一遍,若间隔超过2ms,有可能丢失信息。n刷新与再生 刷新是因为记忆电容放电而需要的定时充电操作,因而需要对所有单元定时按行进行;再生则是因为记忆单元被破坏性读出后的充电操作,因而是对个别单元及所在行的其他单元随机进行的。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风384.2.3 DRAM的刷新n如何进行刷新?所有存储芯片同时进行。对每个DRAM芯片来说,按行进行。每次刷新一行,每一行在2ms内必须保证被刷新一次。若某存储器有若干块DRA
21、M芯片,每个芯片的行数为128,则在2ms之中至少应刷新128次,故在15.625 s内至少刷新一行。(2ms128=15.625 s)刷新地址(行号)由存储器控制逻辑逐行自主循环产生,它不依赖外部的访问,所以刷新对CPU是透明的。常用的刷新方式有四种:集中、分散、异步、透明南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风394.2.3 DRAM的刷新n集中刷新方式 在2ms间隔内集中对所有行进行刷新,每行的刷新时间等于一个存取周期。由一个定时器每2ms请求刷新一次,由刷新计数器控制一个计数循环,逐行刷新一遍。优点是主存利用率高,控制简单;缺点是在连续、集中的这段刷新期间,CPU不能使用存储器,因而
22、形成一段死区。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风404.2.3 DRAM的刷新n分散刷新方式 将每个存取周期分为两部分,前半期用于正常读写或保持,后半期用于刷新,也就是将各刷新周期分散地安排在读写周期之后。分散刷新方式的优点是时序控制简单,主存没有长的死区;缺点是刷新过于频繁,主存利用率不高,速度大约降低一半。现在,个人计算机主存的存取周期大约为10ns,若采用分散刷新方式,将增至20ns,在2ms内将刷新105次,大大超过行数。因此,分散刷新方式只能用于低速系统之中。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风414.2.3 DRAM的刷新n异步刷新方式 结合集中和分散两种方式。将2m
23、s的刷新时间间隔平均分配到每行。例如:行地址为7位时,共128行,所以行间刷新时间间隔为:2ms/128=15.625s。这样就能保证:对某行而言,在2ms之内必须刷新一次且仅被刷新一次。n透明刷新方式 CPU在指令译码时不访问存储器,因此,存储器可利用这段时间插入刷新操作。这样,刷新过程便不占用CPU时间,对CPU而言是透明的。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风42动态刷新方式时间分配关系图南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风434.2.4 只读存储器n特点:信息只能读不能写。非破坏性读出,无需再生。也以随机存取方式工作。信息用特殊方式写入,一经写入,就可长久保存,不受断电影响
24、。故是非易失性存储器。n用途:用来存放一些固定程序。如监控程序、启动程序等。只要一接通电源,这些程序就能自动地运行;可作为控制存储器,存放微程序。还可作为函数发生器和代码转换器。在输入、输出设备中,被用作字符发生器,汉字库等。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风444.2.4 只读存储器n分类:腌膜只读存储器(Mask ROM)-MROM 可编程只读存储器(Programmable ROM)-PROM 可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM)-EPROM 电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM)-EEPROM(E2PROM)闪存(flash memor
25、y)南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风454.2.4 只读存储器n掩膜型只读存储器(MROM)类似于字片式RAM,没有写入机构 行、列交叉点的MOS管,在最后一道掩膜工艺,根据特定的编码布局来决定是否行、列互连,接上者为0(或1),未接上者为1(或0)。特点:(1)存储内容一次写入,不能修改,因而灵活性差。(2)存储内容固定,所以可靠性高。(3)生产周期长,用户和厂家间依赖性大,只适合定型批量生产。南京大学计算机系 多媒体技术研究所 袁春风464.2.4 只读存储器n可编程序只读存储器(PROM)芯片出厂时内容全部为0(半成品),用户可用专门的PROM写入器将信息写入,所以称为可编程型
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