电子教案电子技术(第5版)教学资源42550第1章二极管电子课件.pptx
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1、1第第 1 1 章半导体元件及其特性章半导体元件及其特性2022年年8月月15日星期一日星期一1.2 1.2 二极管二极管主要要求:主要要求:1.1.了解了解半导体二极管的结构、类型、特性与参数半导体二极管的结构、类型、特性与参数2.2.掌握半导体二极管在电子技术中的应用掌握半导体二极管在电子技术中的应用2第第 1 1 章半导体元件及其特性章半导体元件及其特性2022年年8月月15日星期一日星期一认识二极管认识二极管3第第 1 1 章半导体元件及其特性章半导体元件及其特性2022年年8月月15日星期一日星期一1.2.1 二极管的结构与类型二极管的结构与类型 一个一个PN结加上相应的外引线,然后
2、用外壳封结加上相应的外引线,然后用外壳封装就成为最简单的二极管了,其中,从装就成为最简单的二极管了,其中,从P区引出的区引出的引线叫做阳极或正极、从引线叫做阳极或正极、从N区引出的引线叫做阴极区引出的引线叫做阴极或负极。或负极。常用常用D(Diode)表示二极管。)表示二极管。图中的箭头表示正偏时图中的箭头表示正偏时的正向电流方向。的正向电流方向。4第第 1 1 章半导体元件及其特性章半导体元件及其特性2022年年8月月15日星期一日星期一分类:分类:按材料分按材料分硅二极管硅二极管锗二极管锗二极管按结构分按结构分点接触型点接触型面接触型面接触型点接触型点接触型金属触丝金属触丝N 型锗型锗P型
3、层型层阳极阳极阴极阴极 面接触型面接触型P型扩散层型扩散层锡锡支架支架N型硅型硅SiO2保护层保护层阴极阴极阳极阳极5第第 1 1 章半导体元件及其特性章半导体元件及其特性2022年年8月月15日星期一日星期一1.2.2 二极管的特性与参数二极管的特性与参数 1.二极管的伏安特性二极管的伏安特性 半导体二极管的内部就是一个半导体二极管的内部就是一个PN结,因此二极管具结,因此二极管具有和有和PN结相同的单向导电性,实际的二极管伏安特性曲结相同的单向导电性,实际的二极管伏安特性曲线如下图所示:线如下图所示:u/Vi/mA正向特性正向特性 死区死区 电压电压反向特性反向特性IS0A击穿击穿电压电压
4、击穿特性击穿特性反向反向电流电流硅管硅管2CP12锗管锗管2AP96第第 1 1 章半导体元件及其特性章半导体元件及其特性2022年年8月月15日星期一日星期一 一般小功率硅二极管与锗二极管几个典型参数的比较:死区电压死区电压硅管硅管0.5V0.5V锗管锗管0.1V0.1V正向导通压降正向导通压降U UF F硅管硅管0.7V0.7V锗管锗管0.3V0.3V反向电流反向电流I IR R硅管硅管几几A A以下以下锗管锗管几十到几百几十到几百A A7第第 1 1 章半导体元件及其特性章半导体元件及其特性2022年年8月月15日星期一日星期一 PN 结的正向和反向电流与外加电压的关系结的正向和反向电流
5、与外加电压的关系可以用公式表示为:可以用公式表示为:)1(TU/USeII反向饱反向饱和电流和电流温度的电压当量,常温下温度的电压当量,常温下:UT =26 mV当当U0时为正向特性;当时为正向特性;当U0时为反向特性。时为反向特性。8第第 1 1 章半导体元件及其特性章半导体元件及其特性2022年年8月月15日星期一日星期一 2.二极管的主要参数二极管的主要参数 (1)最大整流电流)最大整流电流IFM指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流值。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流值。(2)最高反向工作电压)最高反向工作电压URM指二极管不击穿时所允许加的最高反向电压,指二极管不击
6、穿时所允许加的最高反向电压,URM通常是反向击穿电压的一半,以确保二极管安全工作。通常是反向击穿电压的一半,以确保二极管安全工作。(3)最大反向电流)最大反向电流IRM在常温下承受最高反向工作电压在常温下承受最高反向工作电压URM时的反向漏电流,时的反向漏电流,一般很小,但受温度影响很大。一般很小,但受温度影响很大。(4)最高工作频率)最高工作频率fM指二极管保持单向导电性时外加电压的最高频率。指二极管保持单向导电性时外加电压的最高频率。9第第 1 1 章半导体元件及其特性章半导体元件及其特性2022年年8月月15日星期一日星期一1.2.3 二极管的应用电路举例二极管的应用电路举例 二极管是电
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