电子技术基础模拟部分第五版第三章课件.ppt
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- 电子技术 基础 模拟 部分 第五 第三 课件
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1、3.1 半导体的基本知识半导体的基本知识3.3 半导体二极管半导体二极管3.4 二极管基本电路及其分析方法二极管基本电路及其分析方法3.5 特殊二极管特殊二极管3.2 PN结的形成及特性结的形成及特性3.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体本征半导体 3.1.4 杂质半导体杂质半导体 3.1.1 半导体材料半导体材料 根据物体导电能力根据物体导电能力(电阻率电阻率)的不同,来划分的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有典型的半导体有硅硅SiSi和和锗锗Ge
2、Ge以及以及砷化镓砷化镓GaAsGaAs等。等。半导体的导电能力随半导体的导电能力随温度、光照和掺杂温度、光照和掺杂等因等因素发生显著变化,这些特点使它们成为制作半素发生显著变化,这些特点使它们成为制作半导体元器件的重要材料。导体元器件的重要材料。3.1.2 半导体的共价键结构半导体的共价键结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构+4 带一个单位负电荷的价电子 最外层轨道 带四个单位正电荷的原子核部分+14+32 3.1.3 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。晶体形态
3、。空穴空穴共价键中的空位共价键中的空位。电子空穴对电子空穴对由热激发而由热激发而产生的自由电子和空穴对。产生的自由电子和空穴对。空穴的移动空穴的移动空穴的运动空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。依次充填空穴来实现的。由于随机热振动致使共价键被打破而产生由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴电子对空穴电子对 3.1.4 杂质半导体杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。主要是三价或五价元素。掺入
4、了杂质的掺入了杂质的本征半导本征半导体称为体称为杂质半导体杂质半导体。N N型半导体型半导体掺入五价杂质元素(如磷)的掺入五价杂质元素(如磷)的半导体。半导体。P P型半导体型半导体掺入三价杂质元素(如硼)的掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。半导体。1.N1.N型半导体型半导体 3.1.4 杂质半导体杂质半导体 因五价杂质原子中因五价杂质原子中只有四个价电子能与周只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的围四个半导体原子中的价电子形成共价键,而价电子形成共价键,而多余的一个价电子因无多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形共价键束缚而很容易形成自由电子。成自由电子。在在N N型半导体中型半导体中
5、自由自由电子是多数载流子,电子是多数载流子,它主要由杂质原它主要由杂质原子提供;子提供;空穴是少数载流子空穴是少数载流子,由热激发形成。由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子正离子,因此五价杂质原子也称为因此五价杂质原子也称为施主杂质施主杂质。2.P2.P型半导体型半导体 3.1.4 杂质半导体杂质半导体 因三价杂质原子因三价杂质原子在与硅原子形成共价在与硅原子形成共价键时,缺少一个价电键时,缺少一个价电子而在共价键中留下子而在共价键中留下一个空穴。一个空穴。在在P P型半导体中型半导体中空穴是多数载流子,空穴是多数载流子,它主
6、要由掺杂形成;它主要由掺杂形成;自由自由电子是少数载流子,电子是少数载流子,由热激发形成。由热激发形成。空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为负离子负离子。三价杂质。三价杂质 因而也称为因而也称为受主杂质受主杂质。3.杂质对半导体导电性的影响杂质对半导体导电性的影响 3.1.4 杂质半导体杂质半导体 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响,一些典型的数据如下响,一些典型的数据如下:T=300 K室温下室温下,本征硅的电子和空穴浓度本征硅的电子和空穴浓度:n=p=1.41010/cm31 本征硅的原子浓度本征硅的原子浓度:4.
7、961022/cm3 3以上三个浓度基本上依次相差以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。2掺杂后掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度型半导体中的自由电子浓度:n=51016/cm3 本征半导体、杂质半导体本征半导体、杂质半导体 本节中的有关概念本节中的有关概念 自由电子、空穴自由电子、空穴 N N型半导体、型半导体、P P型半导体型半导体 多数载流子、少数载流子多数载流子、少数载流子 施主杂质、受主杂质施主杂质、受主杂质end3.2 PN结的形成及特性结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿结的反向击穿 3
8、.2.5 PN结的电容效应结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散载流子的漂移与扩散 3.2.1 载流子的漂移与扩散载流子的漂移与扩散漂移运动漂移运动:在电场作用引起的载流子在电场作用引起的载流子的运动。的运动。扩散运动扩散运动:由载流子浓度差引起的载流子由载流子浓度差引起的载流子的运动。的运动。漂移电流漂移电流:在电场的作用下,自由电子会逆着电场在电场的作用下,自由电子会逆着电场方向漂移,而空穴则顺着电场方向漂移,方向漂移,而空穴则顺着电场方向漂移,这样产生的电流称为漂移电流,这样产生的电流称为漂移电流,该电流的该电流的大小主要取决于载流子的浓度,迁移率和大小主要取决于载流子的浓度,迁移
9、率和电场强度。电场强度。扩散电流:扩散电流:半导体中载流子浓度不均匀分布时,载半导体中载流子浓度不均匀分布时,载流子会从高浓度区向低浓度区扩散,从而流子会从高浓度区向低浓度区扩散,从而形成扩散电流,形成扩散电流,该电流的大小正比于载流该电流的大小正比于载流子的浓度差即浓度梯度的大小。子的浓度差即浓度梯度的大小。3.2.2 PN结的形成结的形成 3.2.2 PN结的形成结的形成 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成分别形成N N型半导体和型半导体和P P型半导体。此时将在型半导体。此时将在N N型半型半导体和导体和P P型半导体型半导体的结合面的
10、结合面上形成如下物理过程上形成如下物理过程:因浓度差因浓度差 空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散内电场阻止多子扩散 最后最后,多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡。多子的扩散运动多子的扩散运动 由由杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区 对于对于P P型半导体和型半导体和N N型半导体结合面,离型半导体结合面,离子薄层形成的子薄层形成的空间电荷区空间电荷区称为称为PNPN结结。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称称耗尽区耗尽区。电子从。电子从N N区到区到P
11、P区必须越过空间电区必须越过空间电荷区产生的能量高坡,也称为荷区产生的能量高坡,也称为势垒区势垒区。非对称PN结:在掺杂浓度不对称的在掺杂浓度不对称的 PN 结中,耗尽区结中,耗尽区在掺杂浓度大的一边延伸较小,而在掺杂浓度小的一边在掺杂浓度大的一边延伸较小,而在掺杂浓度小的一边延伸较大。延伸较大。耗尽区 耗尽区 +P区 N区 P区 N区 3.2.3 PN结的单向导电性结的单向导电性 当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位高于区的电位高于N N区的电位,称为加区的电位,称为加正向电压正向电压,简称,简称正偏正偏;反之称为加;反之称为加反向电压反向电压,简称,简称反偏反偏。(1)P
12、N(1)PN结加正向电压时结加正向电压时 低电阻低电阻 大的正向扩散电流大的正向扩散电流 3.2.3 PN结的单向导电性结的单向导电性 当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位高于区的电位高于N N区的电位,称为加区的电位,称为加正向电压正向电压,简称,简称正偏正偏;反之称为加;反之称为加反向电压反向电压,简称,简称反偏反偏。(2)PN(2)PN结加反向电压时结加反向电压时 高电阻高电阻 很小的反向漂移电流很小的反向漂移电流 在一定的温度条件下,由本征激在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与形成
13、的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,所加反向电压的大小无关,这个电流这个电流也称为也称为反向饱和电流反向饱和电流。PN结加正向电压时导通 +外电场P区N区多子空穴多子电子V空间电荷区内电场扩散运动R +内电场外电场P区N区多子空穴多子电子VF变薄RPNPN结结加正向电压时导通加正向电压时导通PN结加正向电压时导通 +变薄内电场外电场P区N区多子空穴多子电子IFVF正向电流I:扩散电流RPN结加正向电压时导通 +变薄内电场外电场P区N区IFVFI:扩散电流内电场被削弱,多子的扩散加强,形成较大的扩散电流I。小结RPN结加正向电压时导通内外电场方向相反,故势垒降低,有利于扩散运动的
14、进行。PN结加反向电压时截止 +空间电荷区内电场外电场P区N区少子电子少子空穴V漂移运动2.外加反向电压PN结加反向电压时截止 +内电场外电场P区N区V变厚IRI:漂移电流反向电流温度一定时,反向电流IR趋于恒定值,称为反向饱和电流IS。PN结加反向电压时截止 +内电场外电场P区N区V变厚IRI:漂移电流小结内电场被加强,多子的扩散受抑制。少子漂移加强,但少子数量有限,只能形成较小的反向电流IR。PN结加反向电压时截止内外电场方向相同,故势垒升高,有利于漂移运动的进行。归纳:PNPN结加正向电压时,具有结加正向电压时,具有较大较大的正向的正向扩散电扩散电流流,呈现低电阻,呈现低电阻,PNPN结
15、结导通导通;PNPN结加反向电压时,具有结加反向电压时,具有很小很小的反向的反向漂移电漂移电流流,呈现高电阻,呈现高电阻,PNPN结结截止截止。在于它的耗尽区的存在,且其宽度可由外加电压改变。关 键这就是PN结的单向导电性。3.2.3 PN结的单向导电性结的单向导电性 (3)PN(3)PN结结V V-I I 特性表达式特性表达式其中其中PNPN结的伏安特性结的伏安特性)1e(/SDD TVIivI IS S 反向饱和电流反向饱和电流V VT T 温度的电压当量温度的电压当量且在常温下(且在常温下(T T=300K=300K)V026.0 qkTVTmV 26 3.PN结V-I特性的表达式【可参
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