电光信息转换课件.ppt
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1、1第第2章章 电光信息转换电光信息转换 2.1 发光二极管发光二极管 2.2 半导体激光器半导体激光器 2.3 液晶显示器液晶显示器 2.4 阴极射线管阴极射线管 2.5 等离子显示等离子显示固体发光材料在电场激发下产生的发光现象称为电致发光。它是固体发光材料在电场激发下产生的发光现象称为电致发光。它是将电能直接转换为光能的过程。利用这种现象制成的器件称为电将电能直接转换为光能的过程。利用这种现象制成的器件称为电致发光器件致发光器件22.1 发光二极管发光二极管n2.1.1 半导体光源的物理基础半导体光源的物理基础n2.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动发光二极管的工作原理、结构及驱动 n
2、2.1.3 LED的物理特性的物理特性n2.1.4 LED的特点及应用的特点及应用 3 2.1 发光二极管n2.1.1 半导体光源的物理基础半导体光源的物理基础(1)受激吸收)受激吸收E2E1hv(2)自发辐射)自发辐射E2E1hv(3)受激辐射)受激辐射E2E1hvhvhv电子在低能级与高能级之间可以有3种跃迁,下面以E1与E2能级为例进行介绍。n在物质的原子中,存在许多能级,最低能级E1称为基态基态,能量比基态大的能级Ei(i=2,3,4)称为激发态激发态。42.1 发光二极管发光二极管 n在热平衡状态下,总是有 。受激吸收几率大于受激辐射几率。当光通过这种物质时,光强按指数衰减,这种物质
3、称为吸收吸收物质物质。n如果 ,即受激辐射几率大于受激吸收几率,当光通过这种物质时,就会产生放大作用,这种物质称为增益介质(或激活介增益介质(或激活介质)质)。21NN 12NN kTEEENN1212expKJ/10381.123k式中,为玻耳兹曼常数,T为热力学温度。n设在单位物质内,处于低能级E1和处于高能级E2的粒子数分别为N1和N2。当系统处于热平衡状态时,原子分布遵循玻耳兹曼统计分布玻耳兹曼统计分布52.1 发光二极管发光二极管 n本征半导体的能带结构n在热平衡状态下,电子在能带中的分布不再服从波尔兹曼分布,而是费米分布费米分布,能级E被电子占据的几率为:n式中,为玻耳兹曼常数,T
4、为热力学温度,叫做费米能级。KJ/10381.123k1()1FnE EkTfEeFEn费米能级费米能级并非实在的可由电子占据的能级,而是半导体能带的一个特征参量。它由半导体材料的掺杂浓度和温度决定,反映电子在半导体内能带上的分布情况。对于本征半导体,费米能级在禁带的中间位置,价带能级低于费米能级同时导带能级高于费米能级。62.1 发光二极管发光二极管 n杂质半导体的费米能级的位置与杂质类型及掺杂浓度有密切关系。n半导体中产生光放大的的条件是:在半导体中存在双简并能带且入射光的频率满足nPN结在扩散运动和漂移运动达到平衡时,P区和N区的费米能级达到同一水平gFFEhEE72.1 发光二极管发光
5、二极管 n外加电压产生的载流子注入使作用区的导带电子和价带空穴造成复合跃迁,辐射光子。这种过程产生的是非相干光,自发辐射的跃迁几率与电子在作用区的平均寿命成反比。n当在PN结上加正向电压V时,外电场部分抵消自建场的作用,使PN结的势垒下降,N区的费米能级相对于P区升高eV。此时非平衡状态下形成两个准费米能级,形成双简并能带结构82.1 发光二极管发光二极管 n产生受激辐射的条件是在结区的导带底部和价带顶部形成粒子数反转分布。n考虑激光器工作在连续发光的动平衡状态,导带底电子的占据几率可以用N区的准费米能级来计算 价带顶空穴的占据几率可以用P区的准费米能级来计算 n价带顶电子占据几率则为 n在结
6、区导带底和价带顶实现粒子(电子)数反转的条件是 n因此结区导带底和价带顶实现粒子(电子)数反转的条件是N区和P区的准费米能级之差大于禁带的宽度。221()1FNEEkTfEe111()1FPEEkTfEe1111()1()1FNPEEkTfEfEe 21()()NNfEfEgFFEEEEE1292.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动发光二极管的工作原理、结构及驱动一、工作原理一、工作原理 发光二极管发光二极管(light emitting diode,LED),是利用正向偏置PN结中电子与空穴的辐射复合发光的,是自发辐射发光,不需要较高的注入电流产生粒子数反转分布,也不需要光学谐振腔,发射
7、的是非相干光。PNP-AIxGa1-xAsN-AIyGa1-yAsP-GaAs光输出图2.1.2-1双异质结半导体发光二极管的结构示意图 反型异质结同型异质结102.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动n二、基本结构1、面发光二极管有源区 圆形金属触点SiO2绝缘层SiO2绝缘层金属化层热沉双 异 质 结层衬底限制层接合材料金属化层光纤圆形蚀刻孔 图2.1.2-2 面发光二极管的结构示意图 112.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动n2、边发光二极管 金属化层(用于电接触)SiO2绝缘层双异质结热沉衬底导光层金属化层(用于电接触)条形接触(确定有源区)有源区图2.1.2-3边发光型LED
8、的结构示意图 122.1.2发光二极管的工作原理、结构及驱动LED的供电电路一般要加限流电阻要加限流电阻以限定其最大工作电流限定其最大工作电流。三、驱动电路三、驱动电路1、直流驱动、直流驱动2、交流驱动、交流驱动+5VLEDReRb2Rb1Vin图2.1.2-4 LED驱动电路3、发光二极管接入线性放大电路中、发光二极管接入线性放大电路中13 2.1.3 LED的特性的特性二、光谱特性二、光谱特性描述光谱分布的两个主要参量是峰值波长与半强度宽度。其峰值波长由材料的禁带宽度决定。发光二极管发射的是自发辐射光,没有谐振腔对波长的选择,谱线较宽,如图2.1.3-1所示。1300 波长/nm=70nm
9、相对光强图2.1.3-1 LED光谱U(V)I(mA)一、伏安特性一、伏安特性伏安特性即电流电压特性,是发光二极管的基本特性。下图是LED的伏安特性图142.1.3 LED的特性四、四、输出光功率特性输出光功率特性LED实际输出的光子数远远少于有源区产生的光子数,一般量子效率小于10%。发光二极管的输出光功率特性如图2.1.3-2所示。驱动电流较小时,P-I曲线的线性较好;电流过大时,由于PN结发热产生饱和现象,使P-I曲线的斜率减小。边发光 0 200 400 电流I/mA 发 射 光 功率P/mW 面发光 15105 0图2.1.3-2 LED 的P-I曲线3525120/120cos)(
10、0PP三、三、光束的空间分布光束的空间分布在垂直于发光平面上,面发光LED辐射图呈朗伯分布即 ,半功率点辐射角 。边发光型LED,。五、五、温度特性温度特性六、六、寿命寿命15 2.1.4 LED的特点及应用n一、特点一、特点 1、LED辐射光为非相干光,光谱较宽,发散角大。2、LED的发光颜色非常丰富,通过选用不同的材料,可以实现各种发光颜色。如采用GaP:ZnO或GaAsP材料的红色LED,GaAsP材料的橙色、黄色LED,以及GaN蓝色LED等。而且通过红、绿、蓝三原色的组合,可以实现全色化。3、LED的单元体积小。在其他显示器件不能使用的极小的范围内也可使用,再加上低电压、低电流驱动的
11、特点,作为电子仪器设备、家用电器的指示灯、信号灯的使用范围还会进一步扩大。4、寿命长,基本上不需要维修。可作为地板、马路、广场地面的信号光源,是一个新的应用领域。16n二、应用2.1.4 LED的特点及应用n1、指示灯n2、数字、文字及图像显示 1)最简单的七段式数码管最简单的七段式数码管2)14列字码管列字码管3)在文字显示上,通常是把二极管作矩阵排列在文字显示上,通常是把二极管作矩阵排列n3、光源 LED除用做显示器件外,还可用做各种装置、系统的光源。17 2.2半导体激光器 2.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件 2.2.2 半导体激光器的结构 2.2.3 半导体激光器特性 2.2.4
12、 LD的应用 182.2.1光学谐振腔与激光器的阈值条件光学谐振腔与激光器的阈值条件 一、粒子数反转与光放大一、粒子数反转与光放大全反射半反射工作物质电流1、激光器、激光器 一般是由工作物质、谐振腔和泵浦一般是由工作物质、谐振腔和泵浦 源组成。如图所示。源组成。如图所示。2.2半导体激光器半导体激光器半导体激光器也称为激光二极管(Laser Diode,LD),是一种光学振荡器。普通的光源的发光都是自发发射,但激光却是一种受激发射光。3、粒子数反转分布也称为、粒子数反转分布也称为“负负”温度分布温度分布kTEEENN1212exp2、粒子数反转分布是产生激光的必要条件、粒子数反转分布是产生激光
13、的必要条件192.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件光学谐振腔与激光器的阈值条件 二、激光介质的增益二、激光介质的增益1、激光介质的增益系数、激光介质的增益系数G若入射光强为I0,在激光介质内传播至z处的光强为I,传播至z+dz处的光强为I+dI,则我们定义激光介质的增益系数G为:G=dI/(Idz)因此激光介质的增益系数就是光通过单位长度激光介质后光强增激光介质的增益系数就是光通过单位长度激光介质后光强增长的百分数长的百分数。2、激光介质的损耗、激光介质的损耗在光增益的同时,激光介质也有一定的光损耗。实际上,介质的光损耗就是对光的负增益。因此激光介质的损耗系数就是光通过单位激光介质的损耗系
14、数就是光通过单位长度激光介质后光强衰减的百分数长度激光介质后光强衰减的百分数。只有当增益等于总损耗时,才只有当增益等于总损耗时,才能建立起稳定的振荡,这一增益称为能建立起稳定的振荡,这一增益称为阈值增益阈值增益。为达到阈值增益所要求的注入电流称为阈值电流阈值电流。3、如果粒子数不随传播距离z而变化,则增益系数G是一个常数,并 称为小信号增益系数小信号增益系数。则 I=I0eGz 可见激光介质中的光强是随传播距离按指数规律增长。202.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件 三、谐振腔概述三、谐振腔概述1、理论上讲,如激光介质的增益很高且有足够的增益长度,则在激励光的作用下,激光介质可以产生激光。
15、而一般激光介质的增益总是有限的,因此产生激光所需要的介质长度就必须很长。但无限增加增益介质的长度是不可取的。为了解决增益长度的问题,采用两个按光学要求相向设置的反射镜来使光线在腔内来回振荡。2、无源谐振腔和有源谐振腔、无源谐振腔和有源谐振腔3、激光在有源谐振腔内振荡的模型、激光在有源谐振腔内振荡的模型图中谐振腔由两个平行平面镜构成谐振腔由两个平行平面镜构成。增益介质的激光能级是在外界能源的泵浦之下实现粒子数反转的。如图只有那些传播方向垂直于镜面的自发发射光诱发的受激发射光才能在腔内长时间来回反射,并反复受到激光介质的雪崩式放大,直到增益饱和。212.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件 4、产
16、生激光的阈值条件、产生激光的阈值条件激光器由增益介质以及谐振腔组成激光器由增益介质以及谐振腔组成。要产生激光,激光介质必须实现粒子数反转。但是粒子数反转的激光介质能否在谐振腔内形成稳定的激光场,还取决于介质增益与激光器损耗的关系。在稳定工作时,平面波在腔内往返一次应保持不变。即波长为的光在腔长为L的谐振腔内维持振荡,必须满足自再生的驻波条件:n L=m /2式中n为腔内介质的折射率;m是驻波的波腹数且是正整数,常称为纵模序数。根据波长和频率的关系,可得到谐振腔的谐振频率m为:m=m c/(2nL)式中c为真空光速。这些频率对应于纵向模式(简称纵模纵模)。相邻两个谐振频率的间隔称为纵模间隔:m=
17、c/(2nL)222.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件光学谐振腔与激光器的阈值条件 一个纵模只有在其增益大于或等于损耗时,才能成为工作模式,即在该频率上形成激光输出。有2个以上纵模激振的激光器,称为多纵模激光器多纵模激光器。通过在光腔中加入色散元件或采用外腔反馈等方法,可以使激光器只有一个模式激振,这样的激光器称为单纵模激光器单纵模激光器。c/(2nL)纵模分布综上所述,要得到激光必须满足三个基本要求综上所述,要得到激光必须满足三个基本要求(总结激光产生的全过程)(总结激光产生的全过程)1、需要泵源、需要泵源 2、大量的粒子数反转、大量的粒子数反转 3、要有一个共振腔提供正反馈以及增益、要
18、有一个共振腔提供正反馈以及增益I工作模式增益曲线损耗232.2.2 半导体激光器的结构半导体激光器的结构 最简单的半导体激光器由一个薄有源层(厚度约0.1m)、P型 和N型限制层构成,如图2.2.2-1所示。解理面金属接触电流有源层P型N型300m100m200m图2.2.2-1 大面积半导体激光器这样的激光器面积大,称为大面积激光器大面积激光器。由于在平行于结平面的侧向无光限制结构,沿激光器的整个宽度上都存在光辐射,损耗太大,阈值电流较高,这是大面积激光器的主要缺点。为解决侧向辐射和光限制问题,实际的激光器采用了增益导引型和折射率导引型结构增益导引型和折射率导引型结构。242.2.2 半导体
19、激光器的结构半导体激光器的结构 一、增益导引型半导体激光器解决光限制问题的一种简单方案是将注入电流限制在一个窄条里,这样的激光器称为条形半导体激光器条形半导体激光器,将一绝缘层介质(SiO2)淀积在P层上,中间敞开以注入电流。这导致了在侧向的载流子密度的空间分布,光增益在带的中间最高,而在中间带区外有源层具有高吸收,光被限制在条形区域。由于光限制是借助中间条形区的增益来实现的,这样的激光器称为增益导引型半导体激光器增益导引型半导体激光器。P-InPInGaAsPN-InPN+-InP衬底P-InGaAsP绝缘介质 增益导引型半导体激光器 252.2.2 半导体激光器的结构 二、折射率导引型半导
20、体激光器通过在侧向采用类似异质结的设计而形成的波导,引入折射率差,也可以解决在侧向的光限制问题,这种激光器称为折射率导引型半导体激光器折射率导引型半导体激光器。P-InPInGaAsP有源层N-InPN+-InP衬底接点SiO2SiO2图2.2.2-3 折射率导引型半导体激光器将P型层的 一部分腐蚀掉,然后在两边沉积一层折射率比P区的折射率低得多的SiO2层以阻截电流流动。262.2.3 半导体激光器特性 波长取决于激光器的光学腔长,称为激光器的纵模。纵模。当驱动电流足够大时,多纵模变为单纵模,称为静态单纵模激光器。静态单纵模激光器。驱动电流增大 832 830 828 826 824832
21、830 828 826 824832 830 828 826 824图2.2.3-1 GaAIAs双异质结激光器的光谱特性示意图图2.2.3-1为GaAIAs双异质结激光器的光谱特性。一、光谱特性一、光谱特性 在直流驱动下,发射光具有一定的波长,谱线具有一定的模式结构,这是由于导带与价带都是由许多连续能级组成的有一定宽度的能带,两个能带中不同的能级之间电子的跃迁会产生连续波长的辐射光。其中只有符合谐振腔谐振频率的波长才能产生稳定的激光光场。272.2.2 半导体激光器的特性 式中,P和I分别为激光器的输出光功率与驱动电流,Pth和Ith分别为对应的阈值,hf与e分别为光子能量与电子电荷。hfe
22、IPeIIhfPPd/)(/)(thth2.2.3-1由此得到 )(ththIIehfPPd2.2.3-2 d二、转换效率与输出光功率特性 激光器的电光转换效率用外微分量子效率量子效率 表示,其定义为在阈值在阈值电流以上,每对复合载流子产生的光子数电流以上,每对复合载流子产生的光子数 282.2.2 半导体激光器的特性 激光器的输出光功率通常用P-I曲线表示,图2.2.3-3为典型LD的光功率特性曲线。当 时,激光器发出的是自发辐射光,当 时,发出的是受激辐射光,光功率随驱动电流的增加而增加。thII thII 543210 0 50 100 I/mA 发 射 光 功率P/mW 图2.2.3-
23、3典型LD的光功率特性曲线 292.2.2 半导体激光器的特性 三、温度特性 温度变化将改变激光器的输出光功率,有两个原因:一是激光器的阈值电流随温度升高而增大,二是外微分量子效率随温度升高而减小。图2.2.3-4 给出了LD的P-I曲线随温度变化的实例。543210 0 50 100 I/mA 发射 光功 率P/mW 22 50 70 图2.2.3-4 LD的P-I曲线随温度的变化 30 2.2.4 LD的应用 一、光纤通信系统的光源 二、光学测量系统的光源 三、其他应用 312.3液晶显示器液晶显示器 2.3.1 液晶显示器原理液晶显示器原理 2.3.2 液晶显示器的构造液晶显示器的构造
24、2.3.3 液晶显示器的驱动液晶显示器的驱动 2.3.4 液晶显示器的特点及应用液晶显示器的特点及应用32n2.3.1液晶显示器原理液晶显示器原理一、液晶一、液晶液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)的主要构成材料为液晶。最早报告发现液晶的是奥地利植物学家。一般来说,液晶是指在某一温度范围内,从外观看属于具有流动性的液体,但同时又是具有光学双折射性的晶体。1、液晶的概念、液晶的概念“液晶”包含两种含义,一是指处于固体相与液体相中间状态的液晶相,二是指具有上述液晶相的物质。液晶可以分为两种:1)溶致液晶 2)热致液晶。液体加热冷却冷却加热液液 晶晶 的的 显显 微微
25、织织 构构342.3.1 液晶显示器原理液晶显示器原理 2、液晶物质分子的排列结构、液晶物质分子的排列结构层列液晶中的棒状分子排列成层状结构,构成分子相互平行排列,与层面近似垂直。这种分子层的结合较弱,层与层之间易于相互滑动。其显示出二维液体的性质。(b)向列液晶(a)层列液晶向列液晶的棒状分子都以相同的方式平行排列,每个分子在长轴方向可以比较自由地移动。因此,富于流动性粘度较小。n层状液晶层状液晶按层状排列,由棒状或条状分子呈二维有序排列按层状排列,由棒状或条状分子呈二维有序排列组成。层内分子长轴相互平行,其方向可以垂直于层面或组成。层内分子长轴相互平行,其方向可以垂直于层面或与层面成倾斜排
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