2022年中国科学技术大学创新班自主招生物理试卷.docx
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- 2022 年中 科学技术大学 创新 自主 招生 物理 试卷
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1、2022年中国科学技术大学创新班自主招生物理试卷一、选择题(共7小题,每小题3分,满分21分) 1一足够大的斜面倾角为,在其上部有一物块,物块于斜面之间的摩擦系数为=tan,在斜面内沿水平方向给物块一初速度V。试确定在经过足够长时间之后物块的速度,并对结果的合理性进行分析。 2一支由相同直径玻璃连接而成的连通器,3个支竹上各装有一个阀门C1、C2、C3。先打开C1、C2,关闭C3,在连通器右端管口吹出一个肥皂泡A;再关闭C2,打开C3,在连通器左端管口吹出一个肥皂泡B。最后关上C1,打开C2。若A、B泡均可视为球体表面的一部分,且A泡表面积较大,试问A、B泡面积将如何变化?为什么?假设肥皂泡不
2、会破裂,过程中系统和环境温度保持恒定。 3在芯片制造过程,离子注入是一道重要的工序,该工作原理如图所示:离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,然后通过磁分析器,选择出特定荷质比的离子,经偏转系统后注入到水平面内的晶圆(硅片)处。速度选择器、磁分析器和偏转系统中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外;速度选择器和偏转系统中的匀强电场场强大小均为E,方向分别为竖直向上和垂直纸面句外。磁分析器截而是内外半径分别为R1和R2的四分之一圆环,其两端中心位置M和N处各有一个小孔;偏转系统中电场和磁场的分布区域是同一边长为L的正方体,底面与晶圆所在的水平面平行,间距也为L。当偏转系统不加电场及
3、磁场时,离子恰好竖直注入到晶圆上的O点(即图中坐标原点,x轴垂直纸面向外)。整个系统置于真空中,不计离子重力,打到晶圆上的离子经过电场和磁场偏转的角度都很小。当很小时,有sintan,cos1-。求:(1)离子通过速度选择器后的速度大小和磁分析器出来离子的荷质比;(2)偏转系统仅加电场时离子注入晶圆的位置,用坐标(x,y)表示;(3)偏转系统仅加磁场时离子注入晶圆的位置,用坐标(x,y)表示;(4)偏转系统同时加上电场和磁场时离子注入晶圆的位置,用坐标(x,y)表示,并说明理由。 4(1)光在静止水中的传播速度为,n为水的折射率。今水以速度V沿X方向流动,则在岸上看到顺着水传播的光的速度是多少
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