输出特性曲线课件.ppt
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1、第二章第二章 半导体三极管半导体三极管 及放大电路基础及放大电路基础江苏省无锡交通高等职业技术学校江苏省无锡交通高等职业技术学校电子技术电子技术 2.12.1 半导体三极管半导体三极管 2.22.2 场效应晶体管场效应晶体管 2.32.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 2.42.4 分压式偏置放大电路分压式偏置放大电路 2.52.5 阻容耦合放大电路阻容耦合放大电路 2.62.6 共集电极放大电路共集电极放大电路 2.72.7 功率放大电路功率放大电路 2.82.8 放大电路中的负反馈放大电路中的负反馈目录目录2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管2.1.1 2.1.1 三极管的
2、基本结构与类型三极管的基本结构与类型 三极管有三个区,分别叫做三极管有三个区,分别叫做发射区发射区、基区基区和和集电区集电区。引出的三个电极相应叫做引出的三个电极相应叫做发射极发射极、基极基极和和集电极集电极,分别记,分别记为为e e、b b、c c。两个。两个PNPN结分别叫结分别叫发射结发射结( (发射区与基区交界处发射区与基区交界处的的PNPN结结) )和和集电结集电结( (集电区与基区交界处的集电区与基区交界处的PNPN结结) )。下一页 返回图图2-1 2-1 三极管的结构与电路符号三极管的结构与电路符号 返回NPNNPN型型符号符号:-bce-NNP发射区集电区基区发射结 集电结e
3、cb发射极集电极基极PNPPNP型型-ebc-PPN发射区集电区基区发射结 集电结ecb发射极集电极基极上一页 下一页2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管 图图示示是三是三极管结构的示极管结构的示意图,三极管意图,三极管的实际结构并的实际结构并不是对称的,不是对称的,所以三极管的所以三极管的发射极和集电发射极和集电极极不能对调不能对调使使用。用。下一页上一页返回BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区:较薄,基区:较薄,掺杂浓度低掺杂浓度低集电区:集电区:面积较大面积较大发射区:掺发射区:掺杂浓度较高杂浓度较高返回图图2-2 2-2 几种常见三极管的外形图几种常见三极管的外形图上一
4、页 下一页2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管2.1.2 2.1.2 三极管的基本工作原理三极管的基本工作原理下一页上一页返回NNPBBVCCVRbRCebc共发射极接法共发射极接法c区区b区区e区区 晶体管在电路中工作晶体管在电路中工作时,为了正常地发挥其电时,为了正常地发挥其电流放大作用,必须给它的流放大作用,必须给它的各电极外加大小和极性合各电极外加大小和极性合适的直流工作电压,即必适的直流工作电压,即必须给发射结加须给发射结加正向电压正向电压( (也也叫正偏叫正偏) ),给集电结加,给集电结加反向反向电压电压( (也叫反偏也叫反偏) )。图图2-3 2-3 共发射极放大电路共发射极
5、放大电路 返回ICmA AVVUCEUBERBIBUSCUSB CBERCmAIEI IE E = I = IC C + I + IB BI IE E I IC C I IB B 上一页 下一页2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管2.1.2 2.1.2 三极管的基本工作原理三极管的基本工作原理 通常晶体管在放大电路中的连接方式有三种通常晶体管在放大电路中的连接方式有三种, ,如图所示,它如图所示,它们分别称为们分别称为共基极接法共基极接法、共发射极接法共发射极接法和和共集电极接法共集电极接法。 下一页上一页返回(a)(a)共基极;共基极; (b)(b)共射极;共射极; (c)(c)共集电极
6、共集电极 2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管2.1.2 2.1.2 三极管的基本工作原理三极管的基本工作原理下一页上一页返回-u+TRb2Lb1oCRCub1+R+CC-.iVc 半导体三极管具有的电流半导体三极管具有的电流放大功能,完全取决于三极管放大功能,完全取决于三极管内部结构的特殊性及其内部载内部结构的特殊性及其内部载流子的运动规律。图示是共发流子的运动规律。图示是共发射极放大电路。射极放大电路。 2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管2.1.32.1.3半导体三极管的特性曲线半导体三极管的特性曲线 下一页上一页返回常数CEUBEBUfI)(IB( A)UBE(V)204060
7、800.40.8UCE 1V1.输入特性输入特性输入特性是指在三极管集是指在三极管集电极与发射极之间的电压电极与发射极之间的电压U UCECE为一为一定值时,基极电流定值时,基极电流I IB B同基极与发同基极与发射极之间的电压射极之间的电压U UBEBE的关系,即的关系,即 2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管2. 2. 输出特性输出特性 输出特性输出特性是指在基极电是指在基极电流为一定值时,三极管集流为一定值时,三极管集电极电流电极电流I IC C同集电极与发同集电极与发射极之间的电压射极之间的电压U UCECE的关系。的关系。即即 在不同的在不同的I IB B下,可得下,可得出不同的
8、曲线所以二极出不同的曲线所以二极管的输出特性曲线是一组管的输出特性曲线是一组曲线,曲线,下一页上一页返回常数BCECIUfI)(IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管通常把晶体管的输出特性曲线分为通常把晶体管的输出特性曲线分为放大区放大区、截止区截止区和和饱饱和区和区3 3个工作区,如个工作区,如图图2-42-4所示。所示。 (1) (1) 放大区。输出特性曲线近于水平的部分是放大区。放大区。输出特性曲线近于水平的部分是放大区。 (2) (2) 截止区。截止区。I IB B=0=0这条曲线及以下的区
9、域称为截止区。这条曲线及以下的区域称为截止区。 (3) (3) 饱和区。靠近纵坐标特性曲线的上升和弯曲部分所饱和区。靠近纵坐标特性曲线的上升和弯曲部分所对应的区域称为饱和区。对应的区域称为饱和区。 下一页上一页返回图图2-4 2-4 晶体三极管的输出特性曲线晶体三极管的输出特性曲线 返回IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A当当UCE大于一定的数值时,大于一定的数值时,IC只与只与IB有关,有关,IC= IB , 且且 IC = IB 。此区此区域域称为线性放大区。称为线性放大区。此区域中此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , U
10、BEIC,UCE 0.3V称为饱和区称为饱和区。上一页 下一页2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管2.1.42.1.4三极管的主要参数三极管的主要参数 1.1.电流放大系数电流放大系数 下一页上一页返回、CBIICBII2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管2. 2. 集集射极反向截止电流射极反向截止电流I ICEOCEO 它是指基极开路它是指基极开路(I(IB B0)0)时,集电结处于反向偏置和发时,集电结处于反向偏置和发射结处于正向偏置时的集电极电流。又因为它好像是从集射结处于正向偏置时的集电极电流。又因为它好像是从集电极直接穿透三极管而到达发射极的,所以又称为穿透电电极直接穿透三极
11、管而到达发射极的,所以又称为穿透电流。这个电流应越小越好。流。这个电流应越小越好。3. 3. 集电极最大允许电流集电极最大允许电流I ICMCM 当集电极电流超过一定值时,三极管的值当集电极电流超过一定值时,三极管的值就要下降,就要下降,I ICMCM就是表示当就是表示当值下降到正常值的值下降到正常值的2 23 3时的集电极电流。时的集电极电流。 下一页上一页返回2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管4. 4. 集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率P PCMCM 可在三极管的输出特性曲线上作出可在三极管的输出特性曲线上作出P PCMCM曲线,它是一条曲线,它是一条双曲线。双曲线。 上
12、一页返回CMCCEPIU2.2 2.2 场效应晶体管场效应晶体管 2.2.12.2.1结型场效应管结型场效应管 1 1、结型场效应管的结构、符号和分类、结型场效应管的结构、符号和分类 N N沟道结型场效应管是在同一块沟道结型场效应管是在同一块N N型硅型硅片的两侧分别制作了掺杂浓度较高的片的两侧分别制作了掺杂浓度较高的P P型区,形成两个对称的型区,形成两个对称的PNPN结,将两个结,将两个P P区的引出线连在一起作为一个电极,称区的引出线连在一起作为一个电极,称为为栅极栅极(G)(G),在,在N N型硅片两端各引出一个型硅片两端各引出一个电极,分别称为电极,分别称为源极源极(s)(s)和和漏
13、极漏极(D)(D)结型结型场效应管可分为场效应管可分为N N沟道沟道结型场效应管和结型场效应管和P P沟道沟道结型场效应管。结型场效应管。 动画 结型场效应管的结构P P漏 极源 极下一页 返回栅极(a) N沟道 (b) P沟道 2.2 2.2 场效应晶体管场效应晶体管 2 2、结型场效应管的工作原理、结型场效应管的工作原理 N N沟道沟道和和P P沟道沟道结型场效应管的工作原理完全相同,只结型场效应管的工作原理完全相同,只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已( (如同三极管的如同三极管的NPNNPN和和PNP)PNP)。下面以。下面以N N沟道结型场效
14、应管为例来分析其工作沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。原理。 动画 结型场效应管的工作原理下一页上一页返回2.2 2.2 场效应晶体管场效应晶体管 结型场效应管的漏极电流结型场效应管的漏极电流i iD D受受U UGSGS和和U UDSDS的的双重控制双重控制。这。这种电压的控制作用,是场效应管具有放大作用的基础。在种电压的控制作用,是场效应管具有放大作用的基础。在D D、S S极间加上电压极间加上电压U UDSDS,则源极和漏极之间形成电流,则源极和漏极之间形成电流i iD D,通过改,通过改变栅极和源极的反向电压变栅极和源极的反向电压U UGSGS,就可以改变两个,就可以改变两个PNP
15、N结阻挡层结阻挡层( (耗尽层耗尽层) )的宽度,这样就改变了沟道电阻,因此就改变了的宽度,这样就改变了沟道电阻,因此就改变了漏极电流漏极电流i iD D。 下一页上一页返回2.2 2.2 场效应晶体管场效应晶体管 3 3、结型场效应管的特性曲线、结型场效应管的特性曲线( (以以N N沟通结型场效应管为例沟通结型场效应管为例) )(1) (1) 转移特性曲线。转移特性曲线。 下一页上一页返回常数DSGSDuufi)( 根据这个函数关系可得根据这个函数关系可得出它的特性曲线如图所示。出它的特性曲线如图所示。2.2 2.2 场效应晶体管场效应晶体管返回上一页 下一页(2) (2) 输出特性曲线。输
16、出特性曲线。 与三极管类似,输出特与三极管类似,输出特性曲线也为一簇曲线,如图性曲线也为一簇曲线,如图所示。所示。 可变电阻区可变电阻区( (相当于三极相当于三极管的饱和区管的饱和区) ) 恒流区恒流区( (也称饱和区也称饱和区)()(相相当于三极管的放大区当于三极管的放大区) ) 夹断区夹断区( (相当于三极管的相当于三极管的截止区截止区) ) 2.2 2.2 场效应晶体管场效应晶体管 2.2.22.2.2绝缘栅型场效应管(绝缘栅型场效应管(MOSMOS管)管) 1. N1. N沟道增强型(沟道增强型(MOSFETMOSFET)的结)的结构。构。 N N沟道增强型沟道增强型MOSFETMOS
17、FET是是在一块低掺在一块低掺杂的杂的P P型硅片上生成一层型硅片上生成一层SiOSiO2 2薄膜绝缘薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的的N N型区,并引出两个电极,分别是型区,并引出两个电极,分别是漏极漏极D D和和源极源极S S。在源极和漏极之间的。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为绝缘层上镀一层金属铝作为栅极栅极G G。P P型硅片称为型硅片称为衬底衬底,用字母,用字母B B表示。表示。 下一页上一页返回-N+NP衬底sgdb源极栅极漏极衬底动画动画 绝缘栅场效应管结构绝缘栅场效应管结构2.2 2.2 场效应晶体管场效应晶体管 上一页返回下
18、一页 2. 2. 工作原理工作原理 栅源电压栅源电压u uGSGS的控制作用的控制作用-s二氧化硅P衬衬底底gDSu+Nd+bNuGSiD2.2 2.2 场效应晶体管场效应晶体管 上一页返回漏源电压漏源电压uDS对漏极电对漏极电流流id的控制作用的控制作用 下一页动画动画 绝缘栅场效应管工作绝缘栅场效应管工作原理原理-二氧化硅NisDNub+DSduP P衬底衬底GSg2.2 2.2 场效应晶体管场效应晶体管 上一页返回(3 3)特性曲线)特性曲线 转移特性曲线转移特性曲线: iD=f(uGS) uDS=const (a)(a)转移特性曲线转移特性曲线 (b)(b)输出特性曲线输出特性曲线2.
19、2 2.2 场效应晶体管场效应晶体管 上一页返回 输出特性曲线:输出特性曲线:i iD D= =f f( (u uDSDS) ) u uGSGS=const=const(a a)可变电阻区可变电阻区(预夹断前)。(预夹断前)。(b b)恒流区恒流区也称饱和区(预夹也称饱和区(预夹断后)。断后)。(c c)夹断区夹断区(截止区)。(截止区)。可变电阻区可变电阻区恒流区恒流区截止区截止区i(V)(mA)DDSuGS=6Vuu=5VGS=4VuGSu=3VGS下一页2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 2.3.1 2.3.1 共射基本放大电路的组成共射基本放大电路的组成下一页 返
20、回-u+TRb2Lb1oCRCub1+R+CC-.iVc图所示是一个典型的共射基图所示是一个典型的共射基本放大电路。电路中各元件的本放大电路。电路中各元件的作用如下所述:作用如下所述:(1)(1)三极管三极管T T。它是放大电。它是放大电路的核心器件,具有放大电流路的核心器件,具有放大电流的作用的作用(2)(2)基极偏流电阻基极偏流电阻R RB B。其作。其作用是向三极管的基极提供合适用是向三极管的基极提供合适的偏置电流,并使发射结正向的偏置电流,并使发射结正向偏置。偏置。2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 (3)(3)集电极负载电阻集电极负载电阻R RC C。R RC
21、C的作用的作用是把三极管的电流放大转换为电压是把三极管的电流放大转换为电压放大。放大。(4)(4)直流电源直流电源V VCCCC。V VCCCC的正极的正极R RC C经经接三极管集电极,负极接发射极。接三极管集电极,负极接发射极。V VC CC C有两个作用,一是通过有两个作用,一是通过R RB B和和R RC C使三极使三极管发射结正偏、集电结反偏,使三管发射结正偏、集电结反偏,使三极管工作在放大区;二是给放大电极管工作在放大区;二是给放大电路提供能源。路提供能源。(5)(5)电容电容C C1 1和和C C2 2。它们起。它们起“隔直通隔直通交交”的作用,避免放大电路的输入的作用,避免放大
22、电路的输入端与信号源之间,输出端与负载之端与信号源之间,输出端与负载之间直流分量的互相影响。间直流分量的互相影响。下一页上一页返回-u+TRb2Lb1oCRCub1+R+CC-.iVc2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 2.3.2 2.3.2 共射基本放大电路的基本分析方法共射基本放大电路的基本分析方法 1 1、静态分析、静态分析 画出放大电路的直流通路画出放大电路的直流通路 下一页 返回上一页+V开路开路开路开路-uTR2LBoCRCu1+R+CC-.ic2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 下一页 返回上一页画画直流通路直流通路:+TRBRCCVc
23、ICQ= IBQBBECCBQRUVI BCCRV7 . 0V CCQCCCEQRIVU 2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 例例2-1:用估算法计算静态工作点。:用估算法计算静态工作点。已知:已知:VCC=12V,RC=4K ,RB=300K , =37.5。下一页 返回上一页解:解:A400.04mA30012CCBQ BRVImA5 . 104. 05 .37BQCQ II 6V41.512CCQCCCEQ RIVU2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 2 2、动动态分析态分析 画出放大电路的画出放大电路的交流通路交流通路 将直流电压源短路,将电
24、容短路。将直流电压源短路,将电容短路。下一页 返回上一页-u+T+b2V-uRc.ob1RLC+b1CCCRi短路短路短路短路置零置零2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 下一页 返回上一页+R-uoTuRBRLic+交流通路交流通路2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 下一页 返回上一页Trbe)mA(I)mV(26)1(300rEbe 三极管三极管微变等效电路微变等效电路2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 下一页 返回上一页+-uouRBRLiRc+rbe微变等效电路微变等效电路2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放
25、大电路 下一页 返回上一页CobebeBibeLCiouLCCobebiRRrr/RRr)R/R(UUA)R/R(iuriu +-uouRBRLiRc+rbe2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本交流电压放大电路 例例2-2:VCC=12V,RC=4K ,Rb=300K , =37.5。 求放大电路的电压放大倍数求放大电路的电压放大倍数AU 解解:下一页 返回上一页mA5 . 1BQCQ II 967)mA(5 . 1)mV(26)5 .371(300rbe k4RR967rR6 .77967. 0)4/4(5 .37r)R/R(ACobeibeLCu2.3 2.3 基本交流电压放大电路基本
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