常用半导体-精华版.课件.ppt

1、模拟电子技术电子电气工程学院电子电气工程学院 小和尚学知识小和尚学知识 百度文库第一章 常用半导体器件1.1 1.1 半导体基础知识半导体基础知识1.2 1.2 半导体二极管半导体二极管1.3 1.3 晶体三极管晶体三极管1.4 1.4 场效应晶体管场效应晶体管 1.1 1.1 半导体基础知识半导体基础知识导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属，金属 一般都是导体。（一般都是导体。（电阻率电阻率10-610-3）绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。（电阻率皮、陶瓷、塑料和石英

2、。（电阻率10109 910102020）半导体：半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为体之间，称为半导体半导体，如锗、硅、砷化镓等。，如锗、硅、砷化镓等。 （电阻率（电阻率1010-3-310109 9） 。1 1、本征半导体、本征半导体 定义定义纯净的晶体结构的半导体叫做纯净的晶体结构的半导体叫做本征半导体本征半导体。无杂质无杂质稳定的结构稳定的结构 本征半导体的结构及导电机理（以硅本征半导体的结构及导电机理（以硅Si为例）为例）共价键共价键价电子共有化，形成共价键的晶格结构价电子共有化，形成共价键的晶格结构半导体中有两种载流子半导体

3、中有两种载流子: :自由电子和空穴自由电子和空穴自由电子自由电子空穴空穴在外电场作用下，电子的定向移动形成电流在外电场作用下，电子的定向移动形成电流+ + + + + + + + +- - - - - - - - -在外电场作用下，空穴的定向移动形成电流在外电场作用下，空穴的定向移动形成电流+ + + + + + + + +- - - - - - - - -1.1.本征半导体中载流子为电子和空穴（金属呢？）本征半导体中载流子为电子和空穴（金属呢？）2.2.电子和空穴成对出现电子和空穴成对出现, ,浓度相等。浓度相等。3.3.由于热激发可产生电子和空穴由于热激发可产生电子和空穴, ,因此半导因此

4、半导体的导电性和温度有关体的导电性和温度有关, ,对温度很敏感。对温度很敏感。2 2 杂质半导体杂质半导体2.1 N型半导体型半导体 在纯净的硅晶体在纯净的硅晶体中掺入五价元素中掺入五价元素（如磷），使之取（如磷），使之取代晶格中硅原子的代晶格中硅原子的位置，就形成了位置，就形成了N N型半导体。型半导体。电子电子-多子多子; ;空穴空穴-少子少子. .2 2 杂质半导体杂质半导体2.2 P型半导体型半导体 在纯净的硅晶体在纯净的硅晶体中掺入三价元素中掺入三价元素（如硼），使之取（如硼），使之取代晶格中硅原子的代晶格中硅原子的位置，就形成了位置，就形成了P P型半导体。型半导体。空穴空穴-多子

5、多子; ;电子电子-少子少子. .注意注意杂质半导体中，多子的浓度决定于掺杂原子的浓度；杂质半导体中，多子的浓度决定于掺杂原子的浓度；少子的浓度决定于温度。少子的浓度决定于温度。3 PN结结3.1 PN结的形成结的形成P区区N区区 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之，包括固体均有之，包括电子和空穴的扩散！电子和空穴的扩散！3.1 PN结的形成结的形成在交界面，由于两种载流子的浓度差，出在交界面，由于两种载流子的浓度差，出产生扩散运动。产生扩散运动。I I扩扩3.1 PN结的形成结的形成在交界面，由于扩散运动在交界面，由

6、于扩散运动, ,经过复合经过复合, ,出现空出现空间电荷区间电荷区 空间电荷区空间电荷区耗尽层耗尽层( (电荷层、势垒层电荷层、势垒层) )I I漂漂3.1 PN结的形成结的形成当扩散电流等于漂移电流时，达到动态当扩散电流等于漂移电流时，达到动态平衡，形成平衡，形成PNPN结。结。PN结结I I扩扩I I漂漂1.1.由于扩散运动形成空间电荷区和内电场由于扩散运动形成空间电荷区和内电场; ;2.2.内电场阻碍多子扩散，有利于少子漂移内电场阻碍多子扩散，有利于少子漂移; ;3.3.当扩散电流等于漂移电流时，达到动态当扩散电流等于漂移电流时，达到动态平衡，形成平衡，形成PNPN结。结。3.2 PN结

7、的单向导电性结的单向导电性 1) PN结外加正向电压时处于导通状态结外加正向电压时处于导通状态加正向电压是指加正向电压是指P端加正电压，端加正电压，N端加负电压，端加负电压，也称正向接法或正向偏置。也称正向接法或正向偏置。 内电场内电场外电场外电场外电场抵消内电场的作用，使耗尽层变外电场抵消内电场的作用，使耗尽层变窄，形成较大的扩散电流。窄，形成较大的扩散电流。2) PN结外加反向电压时处于截止状态结外加反向电压时处于截止状态外电场和内电场的共同作用，使耗尽层变外电场和内电场的共同作用，使耗尽层变宽，形成很小的漂移电流。宽，形成很小的漂移电流。3.3 PN结的伏安特性结的伏安特性(小结小结)

8、正向特性正向特性反向特性反向特性反向击穿反向击穿PN结的电流方程为结的电流方程为)1(TUUSeIi其中，其中， IS 为反向饱和电流，为反向饱和电流， UT26mV，清华大学 华成英 3.4 PN 结的电容效应结的电容效应1 1） 势垒电容势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容同，其等效电容称为势垒电容Cb。2 2）扩散电容）扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子结外加的正向电压变化时，在扩散路程中

9、载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容过程，其等效电容称为扩散电容Cd。dbjCCC结电容：结电容： 结电容不是常量！若结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！则失去单向导电性！ 1.2 半导体二极管半导体二极管 将将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管。由半导体二极管。由P区引出的电极为阳极（区引出的电极为阳极（A） ，由，由N区区引出的电极为阴极（引出的电极为阴极（ K ）。）。二极管的符

10、号：二极管的符号：PN阳极阴极 将将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率小功率二极管二极管大功率大功率二极管二极管稳压稳压二极管二极管发光发光二极管二极管 二极管的伏安特性及电流方程二极管的伏安特性及电流方程材料材料开启电压开启电压导通电压导通电压反向饱和电流反向饱和电流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下锗锗Ge0.1V0.10.3V几十A)(ufi 开启开启电压电压反向饱反向饱和电流和电流击穿击穿电压电压mV)26( ) 1e (TSTUIiUu常温下温度的温度的电压当量电压当量二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。二极管的电流与其端

11、电压的关系称为伏安特性。 二极管的伏安特性二极管的伏安特性-单向导电性！单向导电性！TeSTUuIiUu，则若正向电压) 1e (TSUuIi 伏安特性受温度影响伏安特性受温度影响T（）在电流不变情况下管压降在电流不变情况下管压降u 反向饱和电流反向饱和电流IS，U(BR) T（）正向特性左移正向特性左移，反向特性下移，反向特性下移正向特性为正向特性为指数曲线指数曲线反向特性为横轴的平行线反向特性为横轴的平行线增大增大1倍倍/10STIiUu，则若反向电压 二极管的等效电路二极管的等效电路理想理想二极管二极管近似分析近似分析中最常用中最常用理想开关理想开关导通时导通时 UD0截止时截止时IS0

12、导通时导通时UDUon截止时截止时IS0导通时导通时i与与u成线性关系成线性关系应根据不同情况选择不同的等效电路！应根据不同情况选择不同的等效电路！1 1）将伏安特性折线化）将伏安特性折线化？100V？5V？1V？2 2）微变等效电路）微变等效电路DTDDdIUiur根据电流方程，Q越高，越高，rd越小。越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。ui=0时直流电源作用时直流电源作用小信号作用小信号作用静态电流静态电流u 二极管

13、的主要参数二极管的主要参数1. 最大整流电流最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。大正向平均电流。2. 反向击穿电压反向击穿电压U(BR) 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压最高反向工作电压UR一般是一般是U(BR)的一半。的一半。3. 反向电流反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电

14、流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。4. 最高工作频率最高工作频率fM 二极管的上限频率二极管的上限频率 u 二极管的典型应用二极管的典型应用ttuo0ui0DuiuoRL应用一：画出二极管电路的输出波形（设应用一：画出二极管电路的输出波形（设UD=0）。）。整流二极管！整流二极管！应用二：画出二极管电路的输出波形（设应

15、用二：画出二极管电路的输出波形（设UD=0.7V） 。0.7V0.7V-3V钳位二极管！钳位二极管！稳压二极管1 1）伏安特性）伏安特性进入稳压区的最小电流进入稳压区的最小电流不至于损坏的最大电流不至于损坏的最大电流 由一个由一个PN结组结组成，反向击穿后成，反向击穿后在一定的电流范在一定的电流范围内端电压基本围内端电压基本不变，为稳定电不变，为稳定电压。压。2 2）主要参数）主要参数稳定电压稳定电压UZ、稳定电流、稳定电流IZ最大功耗最大功耗PZM IZM UZ动态电阻动态电阻rzUZ /IZ 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则

16、会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！流的限流电阻！限流电阻限流电阻斜率？斜率？应用三：应用三：RL为负载电阻，为负载电阻，R限流电阻限流电阻当当UI变化时，由于稳压管的作用，输出变化时，由于稳压管的作用，输出UO不变。不变。特殊二极管特殊二极管1. 光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件，其结构与普通二极管相似，只是管壳上留有一个能入射光线的窗口。2. 发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件。它由一个PN结构成,当发光二极管正偏时，注入到N区和P区的载流子被复合时，会发出可见光和不可见光。1.3 晶

17、体三极管晶体三极管 一、三极管的结构和符号一、三极管的结构和符号NPN型型基区基区发射区发射区集电区集电区发射结发射结集电结集电结发射极发射极基极基极集电极集电极bec发射极箭头的方向发射极箭头的方向为电流的方向为电流的方向晶体管有三个极、三个区、两个晶体管有三个极、三个区、两个PN结。结。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管二、晶体管的电流放大原理二、晶体管的电流放大原理 放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失心元件，它能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真

18、的放大输出，放大的对象是变化量。真的放大输出，放大的对象是变化量。 晶体管的放大作用表晶体管的放大作用表现为现为小的小的基极电流可以控基极电流可以控制制大的大的集电极电流。集电极电流。共射放大电路共射放大电路（集电结反偏），即（发射结正偏）放大的条件BECECBonBE0uuuUu（集电结反偏），即（发射结正偏）放大的条件BECECBonBE0uuuUu 扩散运动形成发射极电流扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电，复合运动形成基极电流流IB，漂移运动形成集电极电流，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流少数载流子的运动子的运动因发射区多子浓度高使大量因发射区多子浓度高使大量电子从发射区

19、扩散到基区电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区区的电子漂移到集电区基区空穴基区空穴的扩散的扩散IBBECNNPVBRBVccIEICICBCIIBBCEIIII)1 (晶体管实质上是一个晶体管实质上是一个电流控电流控制器制器 ！CBOCEOBCBC)(1 1 IIiiII穿透电流穿透电流集电结反向电流集电结反向电流直流电流直流电流放大系数放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数电流分配关系电

20、流分配关系:三极管具有电流放大作用的条件：三极管具有电流放大作用的条件：内内 部部 条条 件件 发射区多数载流子浓度很高；发射区多数载流子浓度很高； 基区很薄，掺杂浓度很小；基区很薄，掺杂浓度很小； 集电区面积很大，掺杂浓度低于发射区。集电区面积很大，掺杂浓度低于发射区。外外 部部 条条 件件 发射结加正向偏压（发射结正偏）；发射结加正向偏压（发射结正偏）； 集电结加反向偏压（集电结反偏）。集电结加反向偏压（集电结反偏）。思考题：三极管发射极和集电极能否互换？思考题：三极管发射极和集电极能否互换？三、晶体管的共射特性曲线三、晶体管的共射特性曲线UCEIC+-UBEIB+- 实验线路实验线路mA

21、 AVVRBECEBRC1. 输入特性输入特性IB( A)UBE(V)20406080工作压降：工作压降： 硅管硅管UBE 0.60.7V,锗管锗管UBE 0.20.3V。 死区电死区电压，硅管压，硅管0.5V，锗，锗管管0.2V。2. 2. 输出特性输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满此区域满足足IC= IB称为线性称为线性区（放大区（放大区）。区）。IC只与只与IB有关，有关，IC= IB。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中UCE UBE,集

22、电结正偏，集电结正偏， IBIC，UCE 0.3V称为饱和区。称为饱和区。2. 2. 输出特性输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBEIC，UCE 0.3V (3) 截止区：截止区： UBEUGS（off）uGD0时时UGS排斥空排斥空穴，形成耗穴，形成耗尽层。尽层。PNNGSDUDSUGSUGS0时时UGS足够大时足够大时（UGSUGS(th)），），出现以电子导电出现以电子导电为主的为主的N型导电型导电沟道。沟道。吸引电子吸引电子VGS(th)称为开启电压称为开启电压PNNG

23、SDUDSUGS导电沟道在导电沟道在两个两个N区间是区间是均匀的。均匀的。当当UDS增大增大时，靠近时，靠近D区的导电沟区的导电沟道变窄。道变窄。PNNGSDUDSUGS夹断后，即使夹断后，即使UDS 继续增加，继续增加，ID仍呈恒流特仍呈恒流特性性。IDUDS增加，增加，UGD= UGS(th)时，时，靠近靠近D端的沟道被夹断，端的沟道被夹断，称为预夹断。称为预夹断。DP型衬底型衬底N+N+BGSVGGVDDP型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区夹断区( (a) ) UGD UGS (th)( (b) ) UGD = UGS(th)( (c

24、) ) UGD UGS(th)3. 特性曲线特性曲线( (a) )转移特性转移特性( (b) )漏极特性漏极特性ID/mAUDS /VO预夹断轨迹预夹断轨迹恒流区恒流区击穿区击穿区 可变可变电阻区电阻区UGS UGS(th) 时时) )三个区：可变电阻区、三个区：可变电阻区、恒流区恒流区( (或饱和区或饱和区) )、击穿、击穿区。区。UGS(th) 2UGS(th)IDOUGS /VID /mAONPPGSDGSDP 沟道增强型沟道增强型2.2 N 沟道耗尽型沟道耗尽型 MOS 场效应管场效应管P型衬底型衬底N+N+BGSD+制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，制造过程中预先在二氧化

25、硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在这些正离子电场在 P 型衬底中型衬底中“感应感应”负电荷，形成负电荷，形成“反反型层型层”。即使。即使 UGS = 0 也会形成也会形成 N 型导电沟道。型导电沟道。+UGS = 0，UDS 0，产生，产生较大的漏极电流；较大的漏极电流；UGS 0；UGS 正、负、正、负、零均可。零均可。ID/mAUGS /VOUP( (a) )转移特性转移特性IDSS( (b) )漏极特性漏极特性ID/mAUDS /VO+1VUGS=0 3 V 1 V 2 V432151015 20场效应管的主要参数场效应管的主要参数一、直流参数一、直流参数1. 饱和漏极电流饱和漏极

26、电流 IDSS2. 夹断电压夹断电压 UP3. 开启电压开启电压 UT4. 直流输入电阻直流输入电阻 RGS为耗尽型场效应管的一个重要参数。为耗尽型场效应管的一个重要参数。为增强型场效应管的一个重要参数。为增强型场效应管的一个重要参数。为耗尽型场效应管的一个重要参数。为耗尽型场效应管的一个重要参数。输入电阻很高。结型场效应管一般在输入电阻很高。结型场效应管一般在 107 以上，绝以上，绝缘栅场效应管更高，一般大于缘栅场效应管更高，一般大于 109 。二、交流参数二、交流参数1. 低频跨导低频跨导 gm2. 极间电容极间电容 用以描述栅源之间的电压用以描述栅源之间的电压 UGS 对漏极电流对漏极

27、电流 ID 的控的控制作用。制作用。常数常数 DSGSDmUUIg单位：单位：ID 毫安毫安( (mA) )；UGS 伏伏( (V) )；gm 毫西门子毫西门子( (mS) ) 这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括 CGS、CGD、CDS。 极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。一极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。一般为几个皮法。般为几个皮法。三、极限参数三、极限参数1. 漏极最大允许耗散功率漏极最大允许耗散功率 PDM2. 漏源击穿电压漏源击穿电压 U(BR)DS3. 栅源击穿电压栅源击穿电压U(BR)GS 由场效应管允许的温升决定。由场效应管允许

28、的温升决定。漏极耗散功率转化为漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。热能使管子的温度升高。当漏极电流当漏极电流 ID 急剧上升产生雪崩击穿时的急剧上升产生雪崩击穿时的 UDS 。 场效应管工作时，栅源间场效应管工作时，栅源间 PN 结处于反偏状态，若结处于反偏状态，若UGS U(BR)GS ，PN 将被击穿，这种击穿与电容击穿的将被击穿，这种击穿与电容击穿的情况类似，属于破坏性击穿。情况类似，属于破坏性击穿。DGSDGSN沟道P沟道结型FET场效应管总结：场效应管总结：DSGBDSGBDSGBDSGBN沟道P沟道增强型N沟道P沟道耗尽型MOSFET场效应管总结：场效应管总结： 场效应管与晶体管的比较场效应管（场效应管（FET）晶体三极管晶体三极管(BJT)输入电压控制输出电流输入电压控制输出电流输入电流控制输出电流输入电流控制输出电流只有多子参与导电只有多子参与导电（单极型）（单极型）多子和少子均参与导电多子和少子均参与导电（双极型）（双极型）温度稳定性好、抗辐射性强温度稳定性好、抗辐射性强温度稳定性差、抗辐射性差温度稳定性差、抗辐射性差噪声小噪声小噪声大噪声大功耗小、易于集成功耗小、易于集成功耗大、不易集成功耗大、不易集成本本 章章 结结 束束