模拟电子技术基础习题课件.ppt
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1、第一章第一章 半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路第二章第二章 半导体晶体管及其放大电路半导体晶体管及其放大电路第三章第三章 场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管及其放大电路第四章第四章 集成运算放大器集成运算放大器第第六六章章 运放应用电路运放应用电路第第七七章章 功率放大电路功率放大电路第第八八章章 波形发生和变换电路波形发生和变换电路第九章第九章 直流稳压电源直流稳压电源第五章第五章 负反馈放大电路负反馈放大电路第十章第十章 晶闸管及其晶闸管及其应用应用第一章第一章 半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路一、填空:1半导体是导电能力介于_和_之间的物 质。2利用半导
2、体的_特性,可制成杂质半导体;利用半导体的_特性,可制成光敏电阻,利用半导体的_特性,可制成热敏电阻。3PN结加正向电压时_,加反向电压时 _,这种特性称为PN结的 _ 特性。 4PN结正向偏置时P区的电位_N区的电位。 导体导体绝缘体绝缘体掺杂掺杂光敏光敏热敏热敏单向导电单向导电截止截止高于高于导通导通死区死区单向导电单向导电击穿击穿最大整最大整 流电流流电流 最大反向工作电压最大反向工作电压0.50.78在常温下,锗二极管的死区电压约为_V,导通后在较大电流的正向压降约为_V。9半导体二极管加反向偏置电压时,反向峰值电流越小,说明二极管的_性能越好。 10稳压管工作在伏安特性的_区,在该区
3、内的反向电流有较大变化,但它两端的电压_。11理想二极管正向电阻为_,反向电阻为 _,这两种状态相当于一个_。0.1V0.3单向导电单向导电反向击穿反向击穿基本不变基本不变0无穷大无穷大开关开关12当温度升高时,二极管的正向电压 _,反向电流_。 增大增大减小减小13.整流电路的作用是 _ _,核心元器件是 。14.滤波电路的作用是 。15.单相半波整流与单相桥式整流相比,整流效果好的是 。将交流电变成脉动的直流电二极管降低输出直流电中的脉动(交流)成分单相桥式二、选择题: A. B. 死区电压 C. 击穿电压。 A.基本不变 B.增加10 C.增加10以上 A.基本不变 B.增加10 C.增
4、加10以上 A. B. C.0DUDUDU100Rk1R1R2R1R2R21RR 21RR21RR A. VD1导通, VD2 、 VD3截止 B. VD2导通, VD1 、 VD3截止 C. VD3导通, VD1 、 VD2截止C20C408.电路如图所示,VD1VD3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡额定功率相同,其中最亮的灯是_。 A. B B. C C. A 7 .在图示电路中,稳压管VDZ1的稳定电压为9V, VDZ2的稳定电压为15V,输出电压 等于( )。 A15V B9V C24VOU9理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中,二极管承 受的最大反向电压为_。 A小于 B.等于 C.
5、大于 ,小于 D.等于 10单相桥式整流电容滤波电路,当满足 (35) 时,负载电阻上的平均电压为_。 A.1.1U2 B. 0.9U2 C. 1.2 U2 D. 0.45U222U22U22U222U222UCRL2T)(sin10VtuiouminZZII四、分析计算: VD1导通,VD2截止 VD 截止2.图所示,设二极管为理想二极管(导通电压为零),判断二极管是否导通,并求输出电压 。 截止截止 0V0V OU导通导通 +12V+12V 截止截止 +6V+6V 导通导通 0V 导通导通 -12V-12V 3.如图所示,设二极管导通压降为0.7V,判断二极管是否导通,并求输出电压 。OU
6、VUO7 . 0导通 VD VD VD VD VD 4321导通截止,截止,导通,VUO3 . 74.电路如图所示,设 , ,二极管的正向压降忽略不计,试在图中分别画出 的波形。VE6)(sinVtui121ou123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:26-Sep-2005Sheet of File:D:课 程 设 计 MyDesign1.ddbDrawn By:VD R u+_iu+_o1E123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:21-Nov-2005Sheet of File
7、:D:课程设计MyDesign1.ddbDrawn By:126-6-120tui/V126-6-120o/Vut4.电路如图所示,设 , ,二极管的正向压降忽略不计,试在图中分别画出 的波形。V6E)(sinVtui122ou123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:26-Sep-2005Sheet of File:D:课 程 设 计 MyDesign1.ddbDrawn By:VDRu+_iu+_o2E123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:21-Nov-2005Sheet o
8、f File:D:课程设计MyDesign1.ddbDrawn By:126-6-120tui/V126-6-120o/Vut4.电路如图所示,设 , ,二极管的正向压降忽略不计,试在图中分别画出 的波形。VE6)(sinVtui123ou123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:26-Sep-2005Sheet of File:D:课 程 设 计 MyDesign1.ddbDrawn By:VD1 R u+_iu+_o3EVD2 E123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:21-N
9、ov-2005Sheet of File:D:课程设计MyDesign1.ddbDrawn By:126-6-120tui/V126-6-120o/Vut5图示电路中,已知2CW5的参数如下:稳定电压 ,最大稳定电流 ,若流经电压表V的电流可忽略不计。求:1)开关S合上时,电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少?2)开关S打开时,流过稳压管的电流为多少?3)开关S合上,且输入电压由原来30 V上升到33 V时,此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少? VUZ12mA20ZmaxIV:12V A1:12mA A2:6mAIZ:12mAV:12V A1:14mA A2:6mA6桥式
10、整流电容滤波电路及输出电压极性如图所示, ( V ),试画出图中4只二极管和滤波电容(标出极性),并求: (1)正常工作时,Uo =?(2)若电容脱焊,Uo=?(3)若RL开路,Uo =?(4)若其中一个二极管开路,Uo =?tusin210212V9V14V10V11V7.桥式整流电容滤波电路及输出电压极性如图所示, ( V ),试画出图中4只二极管和滤波电容(标出极性),并求: (1)正常工作时,Uo =?(2)若电容脱焊,Uo=?(3)若RL开路,Uo =?(4)若其中一个二极管短路,电路会有什么后果?tusin220228V18V24V电路的电路的u2将被短路,会烧毁器件。将被短路,会
11、烧毁器件。可输出下列几种电压: 。 22U222U22222423222UUUU、222U222U第二章第二章 半导体晶体管半导体晶体管一、填充题1.晶体管可以分成和 两种类型。2.设晶体管的压降 不变,基极电流为20A时,集电极电流等于2mA,则 =_。若基极电流增大至25A,集电极电流相应地增大至2.6mA,则 =_。3.晶体管的电流放大作用是指晶体管的电流约是电流的 倍,即利用电流,就可实现对电流的控制。CEU100120NPNPNP集电极集电极集电极集电极基极基极基极基极4.某晶体管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20A,穿透电流ICEO=0,则其集电极电流等于_ ,电流放大系数等
12、于_。5.当晶体管工作在区时,IC IB,条件是发射极偏置,集电极偏置。6.当晶体管工作在区时,IC0;条件是发射极 偏置或发射结电压 死区电压,集电极偏置。7.当晶体管工作在区时, UCE 0,条件是发射极偏置,集电极偏置。0.98mA49放大放大正向正向反向反向截止截止反向反向反向反向小于小于饱和饱和正向正向正向正向VVVVVV5 . 1,2 . 1,4321集电集电发射发射基基0.7V发射发射发射发射集电集电-0.3VPNP基基发射发射集电集电 截止截止饱和饱和温度引起的参数变化温度引起的参数变化光电耦合光电耦合共基极共基极共集电极共集电极共射极共射极靜态工作点靜态工作点直接直接阻容阻容
13、变压器变压器共基极共基极共集电极共集电极共射极共射极可增加可增加RB原因是静态电流太大原因是静态电流太大产生了饱和失真产生了饱和失真可减小可减小RP原因是静态电流太小原因是静态电流太小产生了截止失真产生了截止失真RRbeRcb+-uii+-ibicuoBRLVUAImAIVUCEQBQCQBQ6 . 3,3 .20,07. 3,3) 1123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:20-Nov-2005Sheet of File:D:课程设计MyDesign1.ddbDrawn By: R RR R R +-B1B2CLbe Ib Ib IC
14、 UUIO-+Rs Us 5. 放大电路如图所示,判断下列电路能否正常放大交流信号,请写出为什么不能放大的理由?a)能)能b)不能,输入交流短路,)不能,输入交流短路,输出无信号输出无信号c)不能,静态时晶体管)不能,静态时晶体管截止截止d)不能,输出交流短路,)不能,输出交流短路,输出无信号输出无信号e)不能,静态时晶体管)不能,静态时晶体管截止截止f)不能,静态时晶体管)不能,静态时晶体管截止(应采用正电源)截止(应采用正电源)6. 基本共射极放大电路如图所示,NPN型硅管=80。1)估算静态工作点;2)求晶体管的输入电阻Rbe值;3)画出放大电路的微变等效电路;4)估算电压放大倍数Au、
15、输入电阻Ri和输出电阻Ro。6. 基本共射极放大电路如图所示,NPN型硅管=80。1)估算静态工作点;2)求晶体管的输入电阻Rbe值;3)画出放大电路的微变等效电路;4)估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。6. 基本共射极放大电路如图所示,NPN型硅管=80。1)估算静态工作点;2)求晶体管的输入电阻Rbe值;3)画出放大电路的微变等效电路;4)估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。RRbeRcb+-uii+-ibicuoBRL6. 基本共射极放大电路如图所示,NPN型硅管=80。1)估算静态工作点;2)求晶体管的输入电阻Rbe值;3)画出放大电路的微变等效电路;4)
16、估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。7. 电路如图所示, 、 、 、 、 、 、 。1)计算电路的静态工作点;2)画出电路的微变等效电路;3)求电路中的 、 、 、 。V18CCVV7 . 0BEUk390BR k3ERk12LR k2SR100iRoRuAusA123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:20-Nov-2005Sheet of File:D:课 程 设 计 MyDesign1.ddbDrawn By: RR R +-B be LIb Ib IC UUIO-+Rs Us R EV18CCVV7 . 0BEUk3
17、90BR k3ERk12LR k2SR100iRoRuAusAV18CCVV7 . 0BEUk390BR k3ERk12LR k2SR100iRoRuAusAk6 . 1be1R k1be2R10021uAiRoR123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDate:19-Nov-2005Sheet of File:D:课程设计MyDesign1.ddbDrawn By: R RR R R R R R R +-123L567be1be2Ib1Ib1Ib2IC1IC2Ib2UUIO第三章第三章 场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管及其放大电路一、填空题
18、1、M0S管是由 、 和 三种材料制造的。2、绝缘栅型场效应管按导电沟道的分有 和 两类,按有无原始沟道来分又可分为 和 两种。 3、场效应管与晶体管比较,_为电压控制器件,_为电流控制器件,_的输入电阻高。4、场效应管有_种载流子参与导电,故场效应管又称_型元件。金属 氧化物 半导体 耗尽型 单极场效应管 N沟道P沟道增强型场效应管晶体管1 )(thGSU)(thGSU)(offGSU)(offGSUN沟道栅P沟道P沟道N沟道短接 DSSI)(offGSU)(thGSUP沟道耗尽型 增强型2V N沟道6mA6V )(thGSUVUGS1mAID8VUGS3mAID2mgN沟道3 耗尽增强型2
19、V )(offGSUmgDSSI)(thGSU0, 0DSGSUU0, 0DSGSUU0, 0DSGSUU0, 0DSGSUU0, 0DSGSUU0, 0DSGSUU0, 0DSGSUU0, 0DSGSUU三、计算题三、计算题1. 在图示电路中,已知场效应晶体管3DJ6的IDSS=9mA,UGS(off)=3V,gm=2mS,RG=2M,RD=5k,RL=5k,RS=2k,VDD=12V,试求静态工作点(ID、UDS和UGS),并画出放大电路的微变等效电路,求出电压放大倍数 、输入电阻Ri和输出电阻Ro。解:代入得: ID=1mA, UGS=-2V, UDS =5V;ID=2.25mA (舍去
20、) , UGS=-4.5V(舍去)uASDGS2GS(off)GSDSSD)1 (RIUUUII5LmiouRgUUARi=RG=2M RoRD =5k2. 在图示电路中,已知场效应晶体管的IDSS=8mA,UGS(off)=2V,如要求静态工作点电压UGS=1V,试求源极电阻RS,并求出相应的ID。 解:k5 . 0mA2)211 (8)1 (DGSSSDGS22GS(off)GSDSSDIURRIUUUII得:由:一、填空题一、填空题1差动放大电路对_信号具有良好的放大作用,对_信号具有很强的抑制作用。2差动放大电路的两个输入端电压分别 , ,则该电路的差模输入电压为_mV,共模输入电压为
21、_mV。3_耦合放大电路的零点漂移会被后级放大。采用差动放大电路的主要目的是为了克服_。4共模抑制比 等于_之比,电路的 越大,表明电路_能力越强。差模差模 0.02直接直接 AuD和和AuC共模共模 第四章第四章 集成运算放大器集成运算放大器mV00. 2I1UmV98. 1I2U1.99 零点漂移零点漂移 CMRK抑制共模信号抑制共模信号 CMRK5长尾电路的对称性越_, 的值越_,则差动放大电路抑制零点漂移的能力越好,它的 就越_。6差模电压增益AuD等于_之比,AuD越大,表示对 _信号的放大能力越大。7共模电压增益AuC等于_之比,AuC越大,表示对_信号的的抑制能力越弱。8双端输出
22、时,差模电压增益_单管放大电路的增益,共模电压增益近似为_,共模抑制比趋于_。好好UOD和和UID UOC和和UIC 零零ERCMRK大大大大有用(差模)有用(差模) 无用无用 (共模)(共模)无穷大无穷大 等于等于两两双端输入、双端输出双端输入、双端输出 零零两两四四单端输入、双端输出单端输入、双端输出 无穷大无穷大 双端输入、单端输出双端输入、单端输出 单端输入、单端输出单端输入、单端输出 无穷大无穷大 二、选择题二、选择题1放大电路产生零点漂移的主要原因是( )。A电压放大倍数太大 B环境温度的变化引起的参数变化 C外界干扰2差动放大电路的主要作用是( )。 A提高电压放大倍数 B. 增
23、大输入电阻 C. 抑制零点漂移3差模输入信号是两个输入端信号的 ( )。A差 B和 C比值 D平均值。4共模输入信号是两个输入端信号的 ( )。A差 B和 C比值 D平均值。5在长尾式差动放大电路中,晶体管发射极的公共电阻的主要作用是( )。A提高差模输入电阻 B提高差模电压放大倍数C提高共模电压放大倍数 D提高共模抑制比6直接耦合放大电路的电压放大倍数越大,在输出端出现的零点漂移现象就越( )。A.严重 B.轻微 C.与放大倍数无关7在相同条件下,多级阻容耦合放大电路的零点漂移( )。A.比直接耦合电路大 B.比直接耦合电路小 C.与耦合方式无关8集成运算放大器是一种采用( )方式的放大电路
24、。A.阻容耦合 B.直接耦合 C.变压器耦合9假设多级直流放大器中各级自生的零漂大致相同,则抑制零点漂移的重点应放在( )。A.输入级 B.中间级 C.输出级 D.增益最高的那一级三、计算题三、计算题1. 有一差动放大器,已知UI1=2V,UI2=2.001V,AuD=60dB,KCMR=100dB。试求输出UO中的差模成份 和共模成份 。解: AuD=60dB=103所以,V001. 0001. 22I2I1IDUUUV0005. 22I2I1ICUUU5uCuDCMR10dB100AAK01. 0CMRuDuCKAAV02. 0ICuCOCUAUODUOCUV1IDuDODUAUV5 .
25、5mA1 . 22BEQCCQCCCEQEBEQEEEQCQURIVURUVII3.33beBbeBLuDRRRRRRAC差模输入电阻 :RiD2(RB +Rbe ) =6k差模输出电阻 :RO=2RC =4k第五章第五章 负反馈放大电路负反馈放大电路电压电压电流电流电压电压 电流电流减小减小一、填空题1在放大电路中为了减小输出电阻应引入 负反馈,为了增大输入电阻应引入 负反馈。2在放大电路中为了减小输入电阻应引入 负反馈,为了增大输出电阻应引入 负反馈。3电压串联负反馈能稳定输出 ,并能使输入电阻 。4电流并联负反馈能稳定输出 ,并能使输入电阻 。 串联串联并联并联增大增大并联并联(1+AF
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