plasma-原理及设备介绍-PPT课件.ppt

1、plasma 原理及设备介绍1. 等离子清洗技术介绍等离子清洗技术介绍- 2 page2. 气体离子化的过程介绍气体离子化的过程介绍- 37 page3. 等离子清洗原理介绍等离子清洗原理介绍- 810 page4. 等离子清洗应用等离子清洗应用- 11 page4.1 金属表面去油及清洁金属表面去油及清洁- 1214 page4.2 等离子刻蚀等离子刻蚀- 15 page4.3 刻蚀和灰化刻蚀和灰化- 1618 page4.4 塑料、玻璃和陶瓷的表面活化和清洁塑料、玻璃和陶瓷的表面活化和清洁- 1920 page4.5 等离子涂镀等离子涂镀- 20 page5. 清洗前后产品比对清洗前后产品

2、比对- 2127 page8. Dual Chamber Direct Plasma ( VSP- 88D Pro )Dual Chamber Direct Plasma ( VSP- 88D Pro )- 2831 page9. Plasma Cleaning System VSP88HPlasma Cleaning System VSP88H- 3234 page10. Inline Direct Plasma Cleaning System VSIP88DInline Direct Plasma Cleaning System VSIP88D- 3537 page等离子清洗技术清除金属、

3、陶瓷、塑料表面的有机污染物，可以显著加强等离子清洗技术清除金属、陶瓷、塑料表面的有机污染物，可以显著加强这些表面的粘性及焊接强度。这些表面的粘性及焊接强度。 离子化过程能够容易地控制和安全地重复。离子化过程能够容易地控制和安全地重复。如果有效的表面处理对于产品的可靠性或过程效率的提高是至关重要的，如果有效的表面处理对于产品的可靠性或过程效率的提高是至关重要的，那么等离子技术对你也许就是最理想的技术。那么等离子技术对你也许就是最理想的技术。 通过表面活化、蚀刻、表面沉积，等离子技术可以改善绝大多数物质的性通过表面活化、蚀刻、表面沉积，等离子技术可以改善绝大多数物质的性能：洁净度、亲水性、斥水性、

4、粘结性、标刻性、润滑性、耐磨性。能：洁净度、亲水性、斥水性、粘结性、标刻性、润滑性、耐磨性。 “ “离子化的气体离子化的气体” ”等离子清洗原理就是在一组电极施以射频电压（频率约为几十兆赫兹），电极等离子清洗原理就是在一组电极施以射频电压（频率约为几十兆赫兹），电极之间形成高频交变电场，区域内气体在交变电场的激荡下，形成等离子体，活之间形成高频交变电场，区域内气体在交变电场的激荡下，形成等离子体，活性等离子对被清洗物进行物理轰击与化学反应双重作用，使被清洗物表面物质性等离子对被清洗物进行物理轰击与化学反应双重作用，使被清洗物表面物质变成粒子和气态物质变成粒子和气态物质。使被清洗物表面物质变成粒

5、子和气态物质，经过抽真空使被清洗物表面物质变成粒子和气态物质，经过抽真空排出，而达到清洗目的。排出，而达到清洗目的。 为了生成为了生成 PlasmaPlasma，需要对自然状态的原子或分子进行离子化，需要对自然状态的原子或分子进行离子化. . 为了进行离子化为了进行离子化 ， 必须加上很高的热必须加上很高的热(Energy). (Energy). 即需要数十万度或数百万度的高温即需要数十万度或数百万度的高温. . 但是加上高的但是加上高的 电极的话，在低温状态下也可以对原子或分子进行离子化电极的话，在低温状态下也可以对原子或分子进行离子化. . NucleusNucleus(Neutrons

6、Protons)Electron Electron (e-) Electric fieldCold electronHot electronNeutralPositive ionElectronsNeutrals (radical)Plasma =Plasma =-因压力高使粒子增多的话，平均 行程距离(Mean Free Pass)缩短， 所以即使电压高也很难进行离子化.- 压力低的话可降低撞击的概率，所 以需要适当的压力.500V500V1010-3-3 为了使为了使 Plasma Plasma 容易生成离子化，需要适当的压力和适当的容易生成离子化，需要适当的压力和适当的 电压电压. .I

7、on EnergyIon DensityPower FrequencyDC40-100 kHz13.56 MHz2.45 GHz 表示的是使用表示的是使用Argon, O2 及及 H2 Plasma的洗净原理的洗净原理 . Argon Plasma使用于把表面使用于把表面 污染物物理的去除污染物物理的去除. H2 Plasma是和表面的是和表面的O2反映生成反映生成 H20， O2 Plasma是和是和C 反映反映 生成生成 CO2来除去污染物来除去污染物. (CH2)n + 3/2nO2 nCO2 + nH2O)PadHydrogen PlasmaOxygen PlasmaArgon Pla

8、smaChemical EnergyChemical EnergyPhysical EnergyHHHHHOOOOOCCCCCCCCCCCCCCCCOOOCOOOArArC-HC-HC=CC=CC-CC-C有机物有机物C-OC-OC=OC=OO-C=OO-C=OC-O-OC-O-OCOCO2 2H H2 2O OCleaningCleaning( (有机物除去有机物除去) )Leadframe Leadframe 表面活性表面活性Ni, Pd, AuNi, Pd, Au表面有机物除去表面有机物除去 : : 脱脂效果脱脂效果有机物除去后表面活性化有机物除去后表面活性化 : : 酸洗效果酸洗效果

9、Gas混合比混合比适用适用 例例O2100%有机污染物除去/Polymer活化/氧化/ Photo regist除去H2以carrier gas使用, 10%以下不需氧化洗净金属 /氧化物除去Ar100%金属脱脂 及 活化/氧化物除去/不需氧化除去hybrid 电路的 epoxy /亲水化N2100%Polymer活化/除去hybrid电路的 epoxy /氧化物除去C2H4100%重合CF4/SF6100%Silicone etching（硅蚀刻）DS30097%O2+3%CF4aluminium Chamber上的 Photo regist film 除去/有机污染物除去Ds1628199

10、%N2+1%O2Photo regist film 除去 利用利用 Plasma洗净技术是主要活用于围绕半导体的金属洗净技术是主要活用于围绕半导体的金属, Plastic, 玻璃种类的脱脂玻璃种类的脱脂, 洗净及活化上洗净及活化上.等离子表面处理系统现正应用于LCD、LED、 IC，PCB，SMT、BGA、引线框架、平板显示器的清洗和蚀刻。等离子清洗过的IC可显著提高焊线强度，减少电路故障的可能性。溢出的树脂、残余的感光阻剂、溶液残渣及其他有机污染物暴露于等离子体区，短时间内就能清除。PCB制造商用等离子蚀刻系统进行去污和蚀刻来带走钻孔中的绝缘物。 一、金属表面去油及清洁一、金属表面去油及清洁

11、 金属表面常常会有油脂、油污等有机物及氧化层，在进行溅射、油漆、粘合、健合、焊接、铜焊和PVD、CVD涂覆前，需要用等离子处理来得到完全洁净和无氧化层的表面。在这种情况下的等离子处理会产生以下效果： 1.1灰化表面有机层灰化表面有机层 表面会受到化学轰击（氧 下图）在真空和瞬时高温状态下，污染物部分蒸发 污染物在高能量离子的冲击下被击碎并被真空带出 紫外辐射破坏污染物 因为等离子处理每秒只能穿透几个纳米的厚度，所以污染层不能太厚。指纹也适用。 1.2氧化物去除氧化物去除 金属氧化物会与处理气体发生化学反应（下图）这种处理要采用氢气或者氢气与氩气的混合物。有时也采用两步处理工艺。第一步先用氧气氧

12、化表面，第二步用氢气和氩气的混合物去除氧化层。也可以同时用几种气体进行处理。 1.3焊接焊接 通常，印刷线路板在焊接前要用化学助焊剂处理。在焊接完成后这些化学物质必须采用等离子方法去除，否则会带来腐蚀等问题。1.4键合键合 好的键合常常被电镀、粘合、焊接操作时的残留物削弱，这些残留物能够通过等离子方法有选择地去除。同时氧化层对键合的质量也是有害的，也需要进行等离子清洁。二、等离子刻蚀、等离子刻蚀 在等离子刻蚀过程中，通过处理气体的作用，被刻蚀物会变成气相（例如在使用氟气对硅刻蚀时，下图）。处理气体和基体物质被真空泵抽出，表面连续被新鲜的处理气体覆盖。不希望被刻蚀部分要使用材料覆盖起来（例如半导

13、体行业用铬做覆盖材料）。 等离子方法也用于刻蚀塑料表面，通过氧气可以灰化填充混合物，同时得到分布分析情况。刻蚀方法在塑料印刷和粘合时作为预处理手段是十分重要的，如POM 、PPS和PTFE。等离子处理可以大大地增加粘合润湿面积。 三、刻蚀和灰化、刻蚀和灰化 PTFE刻蚀刻蚀 PTFE在未做处理的情况下不能印刷或粘合。众所周知，使用活跃的碱性金属可以增强粘合能力，但是这种方法不容易掌握，同时溶液是有毒的。使用等离子方法不仅仅保护环境，还能达到更好效果。（下图） 等离子结构可以使表面最大化，同时在表面形成一个活性层，这样塑料就能够进行粘合、印刷操作。 PTFE混合物的刻蚀混合物的刻蚀 PTFE混合

14、物的刻蚀必须十分仔细地进行，以免填充物被过度暴露，从而削弱粘合力。处理气体可以是氧气、氢气和氩气。可以应用于PE、PTFE、TPE、POM、ABS和丙烯。 四、塑料、玻璃和陶瓷的表面活化和清洁四、塑料、玻璃和陶瓷的表面活化和清洁 塑料、玻璃、陶瓷与聚丙烯、PTFE一样是没有极性的，因此这些材料在印刷、粘合、涂覆前要进行处理。同时，玻璃和陶瓷表面的轻微金属污染也可以用等离子方法清洁。等离子处理与灼烧处理相比不会损害样品。同时还可以十分均匀地处理整个表面，不会产生有毒烟气，中空和带缝隙的样品也可以处理。 不需要用溶剂进行预处理 所有的塑料都能应用 具有环保意义 占用很小工作空间 成本低廉 等离子表

15、面处理的效果可以简单地用水来验证，处理过的样品表面完全被水润湿。长时间的等离子处理（大于15分钟），材料表面不但被活化还会被刻蚀，刻蚀表面具有最大润湿能力。常用的处理气体为：空气、氧气、氩气、氩氢混合气体、CF4等 五、等离子涂镀五、等离子涂镀 聚合聚合 在涂镀中两种气体同时进入反应舱，气体在等离子环境下汇聚合。在涂镀中两种气体同时进入反应舱，气体在等离子环境下汇聚合。这种应用比活化和清洁的要求要严格一些。典型的应用是保护层的形成，这种应用比活化和清洁的要求要严格一些。典型的应用是保护层的形成，应用于燃料容器、防刮表面、类似应用于燃料容器、防刮表面、类似PTFE材质的涂镀、防水涂镀等。材质的涂

16、镀、防水涂镀等。涂镀层非常薄，通常为几个微米，此时表面的亲和力非常好。涂镀层非常薄，通常为几个微米，此时表面的亲和力非常好。 常用的有常用的有3种情况种情况 防水涂镀防水涂镀环己物环己物 类似类似PTFE材质的涂镀材质的涂镀-含氟处理气体含氟处理气体 亲水涂镀亲水涂镀-乙烯醋酸乙烯醋酸 6113BeforePower : 300 WPower : 300 WSpeed : 130 mm/secSpeed : 130 mm/secAfterLCD Glass Cleaning Acryl sheetPC(poly carbonate)Silicon sheetPE(poly etylene)Po

17、wer : 200 WPower : 200 WSpeed : 20100 mm/secSpeed : 20100 mm/secVarious Material treatment Wafer PRWafer PRAFM tipAFM tipLCD PILCD PIMEMS sensor MEMS sensor 有机物有机物Ashing应用范围 : 重金属(Au, Ag, Pd)的表面还原 长时间放置产品的表面还原处理前处理后Reduction低真空低真空 PLASMA : 10-1 -2 (0.10.01 Torr) 1. Polymer 系列系列 : PBGA, CABGA, MMC, M

18、icro BGA, FLIP CHIP Camera module, Chip LED, Top view LED PCB Soldering, Gold Plating 2. Glass系列系列 : LCD, PDP, OLED, Touch Panel, Lens中真空中真空 PLASMA : 10-3 -4 (0.010.0001Torr) 1. Copper Lead frame : TQFP,QFP,LTCC, PLCC 2. Ceramics :LTCC, PGA, FLIP CHIP 3. Hard Metal : Super BGA, Flex BGA, TA BGA, 电极设

19、计技术电极设计技术试料试料 Loading Loading 方法方法真空度真空度Gas Gas 种类种类Plasma Plasma 处理时间处理时间Power Power 种类及量种类及量7. 7. 清洗过程的温度清洗过程的温度影响等离子清洗效果的因素影响等离子清洗效果的因素Dual Chamber Direct Plasma ( VSP- 88D Pro )PRODUCT APPLICATION High through put with dual chamber each 6 lane transferring & short cycle time- Max 1200 Strip/Hr (

20、 Below 45mm width Substrate )- Yield Improvement with excellent plasma cleaning quality/uniformityPRODUCT FEATURES High UPH with excellent uniformity Full automatic operation easy operation PRODUCT SPECIFICATION power source : RF Generator ,13.65MHz , 1000watts Vacuum pump : 2 800 L/min oil rotary p

21、ump 【 option : Dry pump 】 Gas flow controller : 1 mass flow controller for standard/Chamber 【 option : Addition MFC ( O2 or other gas ) 】 Substrate width Max 82 mm : 4 lanes /Chamber : 800 strip/Hr ( adjustable 3382mm )Max 62 mm : 5 lanes /Chamber : 1000 strip/Hr ( adjustable 3362mm )Max 45 mm : 6 l

22、anes /Chamber : 1200 strip/Hr ( adjustable 3345mm )Available 13 lanes for wide PCB/substate over 82mm width System dimension : W 1700 H1700 D1200 mm Chamber dimension External : W 320 H113 D585 mm Chamber dimension internal : W 280 H71 D430 mm ( Plasma area ) Utility : 220VAC , 3Phase , Air 46 kgf/c

23、m2 PC based main control & Touch screen : C+ Language Custom design is available depends on integration / applicationBall share Strength & CPKAdhesion values are increased by 89 times after Plasma processWire Pull Strength &CPK depends on Substrate PositionPlasma Cleaning System VSP 88HPRODUCT SPECI

24、FICATION power source : RF Generator ,13.65MHz , 600watts Vacuum pump : 1500 L/min oil rotary pump with 300 m3/h Gas flow controller : 1 mass flow controller for standard/Chamber System dimension : W 1200 H1850 D1000 mm Chamber dimension internal : W 600 H530 D640 mm Utility : 220VAC , 3Phase , 25A,

25、 Air 46 kgf/cm2 PC based main control & Touch screen : C+ Language Custom design is available depends on integration / application Weight 400kg Feature Adopted the Stainless Steel materials for Vacuum Chamber and the special insulating method in order that Power transmits to only target material Des

26、igned with vertical loading method to prevent the damage of bonded wires when operator loads target materials to shelf Increased about 20% points of cleaning capability better than the existing equipment developing the Vertical Shelf for slot magazine Adopted the Swing Door rather than Up/Down metho

27、d to guarantee the safety of the operator Designed to make the cleaning state uniform the nozzle to the front side of door Installed the vacuum pump to the inside of equipment for 5S and mounted the plate with wheel to easily moveInline Direct Plasma Cleaning System VSIP 88D PRODUCT SPECIFICATION po

28、wer source : RF Generator ,13.65MHz , 600watts Vacuum pump : 800 L/min oil rotary pump 【 option : Dry pump 】 Gas flow controller : 1 mass flow controller for standard 【 option : Additional MFC ( O2 or other gas ) 】 System Dimension : W 1970 H1600 D1100 mm Chamber Dimension External : W 320 H113 D585

29、 mm Chamber Dimension Internal : W 280 H71 D430 mm Utility : 220VAC , 3Phase , 25A, Air 46 kgf/cm2 PC based main control & Touch screen : C+ Language & TFT LCD touch screen Custom design is available depends on integration / applicationAPPLICATION Die bonder + Oven + Plasma + W/B Magazine Loader + P

30、lasma + Flipchip Bonder Plasma + Dispensor + Oven Plasma + Auto mold + OvenFeatures Excellent & consistent cleaning performance less than 10 degree pact / Slim design Mis- operation free Inline Integration with 1 lane transferring system & cycle time ( Target : 120 strip /hr with 30 second cycle ) Hands off in-line system Integration Vacuum type plasma with small chamber Easy touch screen operation with PC based main control Creation simple utility connection design vertical UP/DOWN chamber movement Low price ,low operation cost感谢您的聆听！感谢您的聆听！