MEMS技术-第三讲-工艺设计及版图设计解读课件.ppt
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- 关 键 词:
- MEMS 技术 第三 工艺 设计 版图 解读 课件
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1、MEMSDesignProcess & FlowSystem Requirments Device DesignImplementation Layout SensitivityResponsivityFreq responseLossPower consumptionetcSystem levelsimulation(e.g. opticalsimulation foroptical systems)Transduction mechanismPhysical simulationVerify system requirementAnalytical modelsMacro modelsWh
2、at technology to use?Bulk vs surface micromachiningCustom vs Foundry processMaterials (Si, single crystal, poly,)Process integrationFinite element methodCoupled domain FEM(MEMCAD, ANSYS, IntelliCAD,)Establish technology filesLayers of materials ThicknessDeposition or etching LithographyMask layoutDe
3、sign rulesDesign rule checking (DRC)Cross-section viewSynthesisExport to MEMS CAD器件设计 原理 性能 电容原理加速度传感器? Substrate passivation and poly ground plane n+ diffusion, 0.5 m thermal oxide, 0.15 m LPCVD nituride 0.3 m phosphorus-doped LPCVD poly Sacrifical layer deposition and patterning Densify and reflow
4、 PSG at 100 , 1 h Timed etch to creat dimples, wet etch Etch anchors, reactive ion etch 2 m LPCVD PSG Structure poly deposition, doping, and anneal 2 m LPCVD poly (undoped), 610 0.3 m PSG on top Symmetric doping occurs during anneal at 1050 in N2 for 1 hourMicrostructure release HF to etch PSG Water
5、 rinse Dry, avoiding surface tension of waterProximity Correction MaskPhase Shift Mask Add one 180 phase shift layer on mask The feature size can achieve about 100 nm First introduce in 1982. New software developed recently.Mask Design Tools AutoCAD L-edit Some simulation tools: MAMSCAD; Intellsense
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