4.5-苯环上亲电取代反应定位规则解析课件.ppt
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- 关 键 词:
- 4.5 苯环 上亲电 取代 反应 定位 规则 解析 课件
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1、4.5 苯环上亲电取代反应定位规则苯环上亲电取代反应定位规则1、两类定位基两类定位基2、 苯环上取代反应定位效应理论解释苯环上取代反应定位效应理论解释3、二取代苯的定位规二取代苯的定位规则则4、定位规则的应用定位规则的应用4.5.1 4.5.1 两类定位基两类定位基ZE+ZEZEZE理论上理论上 40% 40% 20%实际结果并非如此,亲电试剂的位置与原取代实际结果并非如此,亲电试剂的位置与原取代基电子效应与空间效应有关。基电子效应与空间效应有关。a、第一类定位基、第一类定位基邻对位定位基(邻对位之和邻对位定位基(邻对位之和60%):使亲电试剂进入其邻对位且使苯环活化):使亲电试剂进入其邻对位
2、且使苯环活化(卤素除外)。(卤素除外)。O、N(CH3) 2、NH 2、OH、OR、 NHCOR、 OCOR、Ar、CH=CH 2、 R、 F、Cl、 Br、 I等等b、第二类定位基、第二类定位基间位定位基(间位异构体间位定位基(间位异构体40%):使亲电试剂进入其间位且使苯环钝化):使亲电试剂进入其间位且使苯环钝化。N+(CH3) 3、N+H3、NO 2、CN、 SO3H、COR、COOR、CONH 2、 CONR 2等等取代苯硝化时相对速率与异构体分布取代苯硝化时相对速率与异构体分布RNO2RNO2RNO2RHNO3H2SO4R=Krelo(邻) p(对) m(间)H 1OCH320000
3、0741115NHCOCH3很快19792CH3 2558384C(CH3) 3 15167311CH2Cl 0.3325216CL 0.03330691Br 0.0336631COOC2H5 0.003724472COOH 0.00119180NO2 0.000000066193N+(CH3) 3 0.0000000121004.5.2 定位规律的理论解释定位规律的理论解释4.5.2.1 电子效应电子效应E+Z进攻邻位进攻对位进攻间位ZEH.ZEHZEHZ为供电基,亲电试剂进攻邻对位有利为供电基,亲电试剂进攻邻对位有利进攻对位进攻邻位OCH3E+较稳定极限结构OCH3EHOCH3EHOCH3
4、EHOCH3EH较稳定极限结构EHOCH3EHOCH3EHOCH3EHOCH3E+Cl进攻邻位进攻对位进攻间位ClEH较稳定极限结构ClEHClEHClEHClEHClEHEHCl较稳定极限结构EHClEHClEHClClEH.HEClClHEClHEE+Z进攻邻位进攻对位进攻间位ZEHZEH不稳定极限结构ZEHZEHZEHZEHZEH不稳定极限结构ZEHZEH.ZHEZHEZHE进攻间位进攻对位进攻邻位NO2E+NO2EH极不稳定极限结构NO2EHNO2EHNO2EHNO2EHNO2EH极不稳定极限结构NO2EHEHNO2EHNO2NO2HEHENO2HENO2空间效应越大,邻位异构体越少空
5、间效应越大,邻位异构体越少。RNO2RNO2RNO2RHNO3H2SO4R=CH2CH3CH3CH(CH3)2C(CH3)358.437.24.44548.56.53062.37.715.872.711.579 302 9 .83 2 .73 7 .53 02 54 51 7 .32 8 .85 3 .8C (C H3)3C H (C H3)2C H3C H2C H3R =CH3CH3RCH3RCH3RR+09 9128 71 107 03 065 53 9 磺 化 硝 化氯 化溴 化(C l)(N O2)(B r)(S O3H )ClClEClEClEE+4.5.3 4.5.3 二取代苯的定
6、位规律二取代苯的定位规律(1)当两个取代基定位作用一致时,与单取代苯定位作用相似当两个取代基定位作用一致时,与单取代苯定位作用相似CH3NO2CH3ClCOOHSO3HOCH3CH3COOHNO2CH3ClCH3BrNHCOCH3(2)两个取代基为两个取代基为且定位作用且定位作用时,服从强者时,服从强者(3) 两个取代基为两个取代基为且定位作用且定位作用时,服从时,服从I类类NHCOCH3NO2COCH3BrO2N4.5.4 定位规律的应用定位规律的应用C lN O2S O3H800CFe,Cl2Cl95-1000C浓H2SO4ClSO3H67%HNO3C020-40C H3N O2B rCH
7、3ClAlCl3CH3Fe, Br2CH3BrHNO3H2SO44.6 萘萘0.142nm0.136nm0.140nm0.139nm 萘的键长萘的键长 萘的萘的分子轨道分子轨道萘的离域能为萘的离域能为254.98kJ/mol; 苯的离域能为苯的离域能为150.48kJ/mol;HEHEHE+HEHE+HEHEHEHEHE4.6.2.1 4.6.2.1 取代反应取代反应 从从电子效应电子效应角度讲,亲电试剂进攻角度讲,亲电试剂进攻-位有利位有利;从从空间效应空间效应上讲,进攻上讲,进攻-位比较有利位比较有利。100-110 C0Cl2, FeCl3Cl95%0C30-60HNO3, H2SO4N
8、O295%萘的萘的卤代卤代和和硝化硝化主要在主要在-位。位。 萘的磺化是可逆的,低温主要发生在电子云萘的磺化是可逆的,低温主要发生在电子云密度高的密度高的-位;高温时位;高温时-位、位、-位都能反应,位都能反应,但但-位异构体更稳定。位异构体更稳定。H2SO4165C00C6096%SO3H85%SO3HC0165H2SO4SO3HHHSO3HH磺化及烷基化、酰基化通常发生在磺化及烷基化、酰基化通常发生在-位位CH3H2SO496%90-1000CCH3HO3S80%CH3OOOAlCl3PhNO260-70%COCH2CH2COOHH3C6-甲基甲基-2-萘磺酸萘磺酸4-2-(6-甲基萘基甲
9、基萘基)-4-氧代丁酸氧代丁酸4.6.2.2 萘的二元取代萘的二元取代原取代基为致活基原取代基为致活基:亲电试剂进同环亲电试剂进同环-位位, 且为邻位或对位。且为邻位或对位。OCH3HNO385%NO2OCH3NHCOCH3HNO3, CH3COOHNHCOCH3NO247-49%4-硝基硝基-1-萘甲醚萘甲醚N-乙酰基乙酰基-1-硝基硝基-2-萘胺萘胺原取代基为致钝基,亲电试剂进异环原取代基为致钝基,亲电试剂进异环-位。位。NO2HNO3H2SO413%NO2NO2NO2NO245%+H2SO4HNO3SO3HNO2SO3HNO2SO3H主要产物次要产物8-硝基硝基-2-萘磺酸萘磺酸4.6.
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