电工电子技术第11章三极管及其放大电路课件.ppt
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- 电工 电子技术 11 三极管 及其 放大 电路 课件
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1、11.1双极型半导体三极管11.1.1晶体管的的基本结构 三极管的种类很多,按工作频率分可以分为低频管和高频管,按功率大小可以分为小功率管、中功率管和大功率管,按所用半导体材料分为硅管和锗管,按导电类型分为PNP型和NPN型,按结构和工艺分为合金型和平面型等。第1章 直流电路1RbRCmAuARPIBICEBEC6V3DG6bcemAIE 三极管包含两个PN结,但不能简单的看成由个PN结的组合,因为其结构具有如下特点:1. 发射区杂质浓度远大于基区的杂质浓度。2. 基区很薄,杂质浓度很低。3. 集电结的面积比发射结的面积要大。因此发射区和集电区不能对调,这种结构也使得晶体管具备了放大的能力。1
2、1.1.2三极管对电流的分配关系及放大能力(1)发射极电流等于基极电流和集电极电流之和,即:IE=IB+IC(2)集电极电流IC是基极电流IB的倍, 称为直流放大系数。(3)我们把IC与IB的比值称为晶体管的交流放大系数。即: BCIIBCII11.1.1晶体管的的基本结构第1章 直流电路2mAuAmAIBICIEecbICIEVBBVCCNPN复合 下面NPN型为例,用晶体管的内部载流子的运动来解释晶体管对电流的放大作用。 有助于扩散运动的进行,发射区(N区)的自由电子更容易的向基区(P区)扩散与基区(P区)的空穴复合,三极管的发射区掺杂浓度比较高,其多数载流子自由电子浓度比较高,因此形成较
3、大的扩散电流IE。由于基区做得很薄,能与空穴复合的自由电子数量很少,因此形成很小的IB,而大量扩散过来的自由电子堆积在基区与集电区的边缘,使基区的少数载流子(自由电子)浓度升高。又由于集电结上加了反向电压,使集电结的内电压加强,有助于少数载流子的漂移运动,因此堆积在集电结边缘的自由电子大量漂移过集电结而为集电结所收集,而形成集电结电流IC。 11.1.2三极管对电流的分配关系及放大能力第1章 直流电路311.1.3特性曲线测试电路输入特性1输入特性曲线)(BEBufi UCE=常数 uCE曲线右移uCE1曲线重合第1章 直流电路42输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流iB为常数时,集电极电
4、流iC与集电极-发射极电压uCE之间的关系曲线,即:024121086(V)mA1234iB=20uA40uA60uA80uA100uA0放大区击穿区饱和区截止区ICEOU(BR)CEO(1)放大区 晶体管进入放大工作状态的条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。 (2)截止区 晶体管进入截止区的条件是:发射结反偏,集电结反偏。截止区是iB=0曲线以下的区域。由于集电结和发射结均反偏,此时三极管各极电流均很小(接近或等于零),三个电极e、c、b相当开路。(3)饱和区晶体管进入饱和工作状态的条件是:发射结正偏,集电结也正偏。 11.1.3特性曲线第1章 直流电路511.1.4主要参数1共射极
5、电流放大系数 (1)直流放大系数在静态时IC与IB的比值称为直流电流放大系数,也称为静态电流放大系数。(2)交流放大系数 在动态时,基极电流的变化增量为IB,它引集电极电流的变化境量为IC。IC与的IB比值。一般与在数值相近,基本上可以认为相等,以后只要用表示。一般为20-150之间,目前工艺已能制造为300-400的低噪声管。2极间反向电流 表征三极管工作稳定性的参数。极间反向电流受温度影响很大,使用中希望这类电流越小越好。(1)集电极反向饱和电流ICBO ICBO是指三极管发射极开路,集电极和基极之间加反向电压时流过集电结的反向电流。小功率的硅管一般在0.1uA以下,锗管在几微安到十几微安
6、。第1章 直流电路6(2)穿透电流ICEOICEO是指基极开路,集电极与发射极之间加反向电压时的集电结电流,由于它穿过基极到发射区,所以称为穿透电流。ICBO与ICEO之间的关系是ICEO=(1+)ICBO它是衡量晶体管质量好坏的重要参数之一,其值越小越好。11.1.4主要参数ICEO测试电路ICBO测试电路第1章 直流电路70103020uCE/Vic/mA10203040U(BR)CEOICMPCM线过 损 耗 区安 全 工 作 区3极限参数 这是表征三极管能安全工作的参数。即三极管所允许的电流、电压和功率的极限值。(1)集电极最大允许电流ICM(2)反向击穿电压 发射极-基极反向击穿电压
7、U(BR)EBO当集电极开路时,发射极-基极让允许加的最高反向电压,一般在5V左右。(3)集电极最大允许耗散功率PCM 由于集电极电流在流经集电结时将产生热量,使结温升高,从而引起晶体管参数变化。当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时,集电极所消耗的最大功率。称为集电极最大允许损耗功率PCM。11.1.4主要参数第1章 直流电路811.2 电压放大电路ui+VCCC1C2RbRCRLuo-Rsus+-V+iBuBEuCE+1基本放大电路的组成及各元件的作用 三极管V是基本放大电路的核心元件,直流电源VCC给集电结加反向电压,直流电源VBB给发射结加正向电压,三极管V处于放大状态而具备放大
8、的能力,同时也是信号放大的能源,一般为几伏至几十伏。RB是基极偏置电阻,和电源VCC一起为基极提供一个合适的基极电流IB(常称为偏流),RC是集电极负载电阻,它将集电极电流iC转化成输出电压,即把电压放大作用转化成电流放大作用。RC一般为几百欧到几千欧。C1、C2分别是输入、输出信号耦合电容,其作用是隔直通交,传递交流信号。C1、C2常选用容量较大的电解电容,一般是几微法至几十微法。 第1章 直流电路92共射基本放大电路的基本分析方法(1)直流通路和静态分析静态及静态工作点 放大电路没有信号输入时的工作状态称为静态。静态时,在直流电源的作用下,放大电路的电流、电压值(IBQ、ICQ和UCEQ)
9、称为静态工作点,它们在三极管输出特性曲线上对应一个点,称为Q点。 直流通路的画法 直流通路是指放大电路中直流成分通过的途经,由于放大电路静态时,没有交流信号通过电路,所以可以在直流通路中进行静态分析,使得分析更加简洁。 画直流通路的原则是:交流信号源短路,电容开路,电感短路。+VCCRBRCIBICIE共射放大电路的直流通路第1章 直流电路10静态工作点的分析例10.1如图所示,RB=250K,RC=3K,=50,ICEO=0,VCC=10V,试求电路的静态工作点。解:根据直流通路进行静态分析,可以得到:RBRCibicRLRS+_+_usuouAmAKRVRVVIBBBBBEQBBQB400
10、4. 025010mAIIBQCQ204.050VRIVUCCQCCCEQ6321011.2 电压放大电路第1章 直流电路11uBE=UBE+uiiB=IB+ibiB的变化引起集电极电流相应变化,即iC=IC+iCiC的变化引集电极电压的变化,即uCE=VCC-iCRRBRCibicRLRS+_+_usuo(2)交流通路及动态分析放大电路有输入信号时的工作状态称为动态。画交流通路的画法画交流通路的原则是:将直流信号源短路,电容短路,电感开路。我们可以画共射放大电路的交流通路如图所示。放大电路动态工作情况及各动态参数的含义11.2 电压放大电路第1章 直流电路12微变等效电路法动态分析EbeIm
11、Vr261300bebeBoirrRUUri/rORCiOUUUALbLCORIRIULCLRRR/bebirIUbeLiOUrRUUA(2)交流通路及动态分析11.2 电压放大电路第1章 直流电路13例11.2在共射放大电路中,VCC=12V,RC=4K,RB=300K,=37.5,RL=4K,试求电压放大倍数AU,输入电阻ri,输出电阻ro。mARVRUVIBCCBBECCB30012mAmAIIIBCE5 . 104. 05 .37967. 0)5 . 1265 .38300()(261300EImArbeKKRRRLCL24444/6 .77967. 025 .37beLiOUrRUU
12、AKrrbei967. 0KRrCO4解:故11.2 电压放大电路第1章 直流电路14CCCCCERIVU(1)静态图解法例11.3共射放大电路VCC=12V,RB=300K,RC=4K。用图解法分析,首先用计算的方法算得IB=40uF,然后过点(12V, 3mA)作直线,直线与输出特性曲线交于Q点。Q点即为所求的静态工作点。Q点的坐标为(6V,1.5mA),所以静态分析所得静态参数为。3基本放大电路的图解分析法11.2 电压放大电路第1章 直流电路15(2)图解法分析放大电路的动态工作情况。截止失真截止失真 当工作点Q点设置偏低,接近截止区域时,那么在输入特性曲线上,信号电压的负半周期就有可
13、能有一部分进入截止区域被削去ib的负半部分,ib已成为失真波形,结果使ic的负半周期,uce的正半周期相应的部分也被削去,产生截止失真。饱和失真饱和失真 当工作点Q设置偏高,接近饱和区域时,尽管ib波形完好,但在输出特性上,信号ib的摆动范围有一部分进入饱和区,使ic的正半周期和uce的负半周期被削去一部分,产生饱和失真。截顶失真截顶失真 如果输入信号过大,可能同时产生截止失真和饱和失真,这种失真称为截顶失真。为了减少或避免非线性失真,必须合理选择静态工作点,并适当限制输入信号的幅度,一般静态工作点大致在交流负载线的中点附近。uCE (V)QiB1ABQQoic(mA)uCE (V)wtuce
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