第三章-阶跃与渐变折射率光纤的波动理论分析—4要课件.ppt
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1、第3章 阶跃与渐变折射率光纤的波动理论分析 在第2章中运用光线理论与方法分析了阶跃光纤与渐变折射率光纤的传播规律与特性。但应指出,光线光学的分析研究方法是在 条件下的一种近似处理方法,具有一定的局限性:它只适用于阶跃多模光纤,对渐变折射率多模光纤则近似程度较差,而对单模光纤则完全不适用;尤其是无法进行多模光纤中的模式理论分析,获得有关模的概念。本章将运用波动理论即求解波动方程的方法,对阶跃多模光纤进行系统的模式理论分析。0这种分析方法不仅适用于阶跃多模光纤,而且适用于单模光纤。讨论中将首先从麦克斯韦、亥姆霍兹方程出发,导出圆柱坐标系的阶跃光纤(均匀波导)波动方程,进而在设定物理模型条件下,通过
2、对纤芯与包层物理约束条件的具体分析,利用边界条件求解波动方程,获得与各特定本征值相联系的本征方程,进而进行阶跃光纤中存在的各种模式及其截止条件的系统分析。这种严格的求解方法与过程称为矢量解法。通过这一典型实例的分析,理解波动分析方法的精髓与过程;在实际分析中,由于实用光通信等应用中的阶跃光纤,其芯与包层的折射率差很小(通常 ),即所谓“弱波导光纤”(weakly guiding fiber),因而可做适当近似,从而使求解与分析大为简化。这就是标量近似解法,所得到的 模称为标量模。1 mLP 应该指出的是,在用波动理论分析阶跃光纤时,最重要也最基本的概念就是传导模或简称为“模”。所谓“模”乃是指
3、,在求解表征光纤中光波的波动方程时,对应于能满足边界条件的各本征传输常数(或称为“本征值”)的“本征解”所得到的波动电磁场分布状态;而光纤中的场解则是各模式场的叠加。 在对阶跃折射率光纤进行深人波动理论分析的基础上,本章还对渐变折射率光纤进行了简要的标量近似理论分析,建立了传输常数的本征方程,并给出了传输模式的计算公式。3.1.6单模光纤 20世纪80年代以后,随着光通信对高速率、远距离信息传输应用的迫切需求,阶跃光纤从短工作波长(0. 85 )的多模光纤,发展到尔后的长工作波长(1. 31 1. 55 )单模光纤。如今,单模光纤已成为所有实际光通信系统的最佳选择;此外,单模光纤在各种高灵敏度
4、光纤传感器以及各种激光放大器件中也有重要应用。单模光纤之所以在现今信息传输系统中处于主导地位,是由于单模光纤避免了多模光纤严重的本征性模间(多模)色散、模噪声以及传输中的其他效应,从而使单模光纤中信号传输的速度与容量远远高于多模光纤。mm 1.单模光纤的存在条件与设计曲线 单模光纤是在给定工作波长条件下,只能传输基模 (或标量模 )单一模式,而其他高阶模均截止的光纤。 根据前述对阶跃型多模光纤的模式分析,对给定的工作波长 ,通过恰当地设计选择阶跃光纤的物理结构参数(芯径2a,纤芯与包层折射率 , ),达到调整光纤的波导常数(归一化频率)V值,使之满足如下条件:11HE01LP1n2n22121
5、22022.405aaVnnn (3.173)从而实现光纤中只有基模 (标量模 模)单一模式传输,而邻近的高次模 模、 模、 模(标量模 模)均截止。因此称(3. 173)式为单模光纤的单模传输条件。但是由于V值选取的不同,将影响光纤芯、包层中所占的光功率比不同,如V=2. 405,芯、包功率比为0. 84 : 0. 16; V=1时,芯包功率比为0.3 : 0.7。即V值越小,转移到包层中的光功率越多。因而实际的单模光纤其归一化工作频率的选择一般在2.02. 35。对满足弱波导条件的(3. 173)式稍加变形,可以得到如下单模光纤的设计方程:11HE01LP01TE01TM21HE11LP1
6、8.886anV(3.174)则在满足(3. 173)式条件下,根据(3. 174)式,可以画出调控光纤相对折射率差与芯径a之间关系的单模光纤设计曲线,如图3. 20所示。 例如,要求设计满足如下要求的单模光纤:V=2. 25, =1.3 , =1. 450。则根据(3. 174)式可以画出图示的单模光纤设计曲线。当调整= 0. 002时,则相应的芯半径a 5 ;若调整=0. 003,则芯半径为a 4.2 。m1nmm将(3. 173)式变换,可以导出特定波长 条件下单模光纤最大芯径 的限制条件:mD22122.4052mmDann(3.175)上式表明,阶跃光纤必须芯径足够小,才能实现基模单
7、一模式的传输。 在单模光纤的设计中,需要重点考虑的因索是光纤芯径。为了避免由于制造误差而导致光纤中传输模式的偏差,确保单模传输,通常单模光纤芯径的设计值要比由(3. 175 )式决定的最大芯径极限值 要小一些;mD但是,芯径过小对与光源祸合及光纤之间的连接祸合不利。另外,相对折射率差小对实现单模传输条件有利,但过小对制造工艺的严格控制带来困难。实际单模光纤的设计要在各相互制约因索中找到总体有利的平衡方案。一般单模光纤设计中,选取相对折射率差比0.5%略小,最广泛使用的值为0.36%,完全低于一般所说弱波导条件的1%;理论上纤芯直径的取值范围为2a=410 ,即为所传输波长的数倍。m图图3. 2
8、0单模光纤的设计曲线单模光纤的设计曲线11HE实际应用于1. 31 和1. 55 两种工作波长电信系统中的单模光纤,其纤芯直径一般为8 9 ;单模光纤包层结构的设计,应保证在光纤包层的外径处,包层中渐逝场的能量趋于零。一般包层外直径标准125 ,内包层直径为10100 ,视具体结构类型而异。mmmmm2.单模光纤的主要特征参数(1)截止波长 所谓截止波长,一般系指纤芯中 模(或精确模 、 、 模)截止,而只存在 模(精确模为 基模)时的临界波长 。11LP01TE01TM21HE01LPc由(3. 173)式,要求保持单模工作条件应为221212222.405aaVnnn 因而要求相应的工作波
9、长221212222.4052.405a nnan由此得到截止波长 为c221212222.4052.405ca nnan(3.176)11LP光纤在使用中应注意,选用光源的工作波长 必须大于光纤设计所决定的截止波长 。c若不满足截止波长的条件,则单模光纤可能变为传输多模。例如,某阶跃折射率光纤其芯径2a=9 ,芯折射率 =1. 46,相对折射率差=0.25%。若按 模截止的归一化截止频率 =2. 405,则可计算得到截止波长 =1. 21 。因此当该光纤通信系统选用光源的工作波长为1. 31 或1. 55 时,该光纤处于单模工作状态;但若使用光源的工作波长为0.85 ,则该光纤可能出现两个模
10、式( , ),处于多模工作状态,从而失去单模特征。m1ncVcmmmm01LP11LP因为这种额外增加的模式,可能会干扰基模并相互影响,从而引起系统性能下降。普通阶跃折射率单模光纤(例如工程中最常用的G652单模光纤)通常工作于1. 31 波段,对其截止波长范围,按ITU-T的G652建议,规定为 。m1.101.28cmm (2)模场直径 对阶跃多模光纤与单模光纤的研究均表明,光在纤芯与包层界面发生全反射时,尚有少部分光能量渗人到包层中,这些溢出的光能量会在包层中的某一个深度处反射回纤芯,即可视为芯中电磁场在径向有延伸。这种情况在单模光纤中更为明显,即模场直径比纤芯直径略大。因此,实际上通常
11、用“模场直径”来表示单模光纤的特征,它是单模光纤的一个重要参量。图3. 21给出了单模光纤模场直径的示意图。 对阶跃折射率单模光纤,如工作波长 距截止波长 不太远,则基模场强在光纤横截面上的分布可以近似视为高斯分布,如图3. 22所示。它表明,光纤传输单模时,光纤轴上的光强度最大,并向包层递减。c若设纤芯中央的幅值与场强为峰值强度,则可定义“模场直径”为:当模场的幅值下降到峰值的1/e(即0. 37)、相应的光强度下降到模场峰值强度的 (即0.135)时,纤芯场分布曲线对应两点之间的宽度(2 )为“模场直径”,并以MFD表示。模场直径2 。亦被确认为单模光纤的光斑尺寸。目前,国际市场上已将MF
12、D作为单模光纤商品的一个重要指标列出。21 e0a0a图图3. 21单模光纤的模场直径单模光纤的模场直径图图3. 22单模光纤中的基模场分布单模光纤中的基模场分布(MFD是模场直径是模场直径) 模场直径与波长有关,随波长的增加而增大。阶跃折射率单模光纤的模场直径通常比芯径大10%15%。例如一种使用较广泛的单模光纤的芯径为8. 2 ,它在1 310 nm处的模场直径为9. 2 ,数值孔径为0.14;而在1 550 nm处的模场直径则为10. 4 。 (3)衰减系数 单模光纤的衰减系数在1. 31 处约为0.35 dB/km,而在1.55 处降至0.2dB/km以下。mmmmm3.单模光纤的折射
13、率分布与结构类型 理论上单模光纤的折射率分布为简单阶跃型,实际上为改善单模光纤的性能及制造的合理,单模光纤的折射率分布常为多层结构,其剖面类型有多种。图3. 23所示为常规型单模光纤的两种结构。为了降低光纤内基模的损耗,获得芯半径较大的单模光纤,通常在纤芯外加一层高纯度、低损耗的内包层,其折射率为n2;内包层之外是外包层,其折射率为n3。内外包层共同构成双包层结构,外包层折射率可能高于也可能低于内包层。常规型单模光纤的零色散波长在1310 nm附(13001322nm)在该波长上有较低的损耗和很大的带宽;但在1 550 nm处有一较高的正色散值。ITU-T建议的6652光纤即属常规型单模光纤,
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