位错理论5-位错的形成与增殖课件.ppt

1、1位错理论V位错的形成与增殖位错的形成与增殖朱旻昊朱旻昊材料先进技术教育部重点实验室材料先进技术教育部重点实验室20062006年年4 4月月2位错的形成位错的形成位错的增殖位错的增殖lFrank-Read源增殖机制源增殖机制l平面平面L源增殖机制源增殖机制l双交滑移机制双交滑移机制位错源的开动位错源的开动3Formation of Dislocation晶体在形成过程中产生位错的途经：晶体在形成过程中产生位错的途经：l凝固过程中：枝晶生长相遇后发生碰撞液体流动时对晶体的冲击浓度起伏造成点阵常数的偏差结晶前沿的障碍物造成不同部分的位向差4Formation of Dislocation晶体在形

2、成过程中产生位错的途经：晶体在形成过程中产生位错的途经：l晶体在冷却时形成的局部内应力造成夹杂物和基体膨胀系数失配应力集中位错环uPunching机制5Formation of Dislocation晶体在形成过程中产生位错的途经：晶体在形成过程中产生位错的途经：l由空位聚积而成：高温时空位浓度高，有聚积成片以降低组态能的趋势；当空位片足够大时，两边晶体坍塌下来，形成位错环。Fcc晶体111晶面聚积成片坍塌纯刃型位错6Formation of Dislocation位错产生的途经：位错产生的途经：l晶界：“坎”发射位错7Formation of Dislocation位错产生的途经：位错产生的

3、途经：l位错塞积：位错在晶界塞积，应力集中使开动邻近晶粒中的位错源。8位错的形成位错的形成位错的增殖位错的增殖lFrank-Read源增殖机制源增殖机制l平面平面L源增殖机制源增殖机制l双交滑移机制双交滑移机制位错源的开动位错源的开动9Frank-Read SourceAB为正刃型位错，柏氏矢量为，A、B两点被钉扎在滑移面上；滑移面上切应力t作用下，位错线上的力为：Ftb作用力使位错线弯曲；当外力使位错线弯曲成半圆后， A、B两点周围的位错线将向外发生旋转，位错线分别绕A、B两点卷曲。10Frank-Read Source因为位错线弯曲过程中各点柏氏矢量不变，所以各点所受的力相同，作用力的方向

4、始终和位错线垂直，所以各点线速度相同，而A、B两点附近的角速度必然增大进一步卷曲，各点的位错线性质发生改变；l红色：刃位错l蓝色：右螺位错l绿色：左螺位错11Frank-Read Sourcem、n两点的位错性质正好为相互吸引位错反应 相互抵消相互抵消；位错断开成两部分 位错环位错环位错线段位错线段AB；l线段AB在线张力作用下拉直而恢复原状所以：位错AB在外加切应力作用下形成了一个位错环；上述过程不断重复12钉扎点钉扎点位错相遇形成网络两端连着固定位错或不可动割阶的位错或被外来杂质钉扎13Si晶体中的F-R源14位错的形成位错的形成位错的增殖位错的增殖lFrank-Read源增殖机制源增殖机

5、制l平面平面L源增殖机制源增殖机制l双交滑移机制双交滑移机制15平面平面L源增殖机制源增殖机制单边F-R源平面L源l位错线ABC的AB和BC两段不在一个滑移面上，AB是滑移面上的可动位错，柏氏矢量为b；BC为不可动位错B点被钉扎l作用在滑移面上的切应力t，AB段上的作用力为tb，该力达到临界值时开始滑移；16平面平面L源增殖机制源增殖机制l由于B点被固定，位错线运动的结果使其成为绕B点的旋转线，不断向外扩展；l向外旋转的螺旋线每扫过一次，晶体发生一个b的滑移。17平面平面L源增殖机制源增殖机制带大割阶的螺位错的运动l实质上是两个平面L源18位错的形成位错的形成位错的增殖位错的增殖lFrank-

6、Read源增殖机制源增殖机制l平面平面L源增殖机制源增殖机制l双交滑移机制双交滑移机制位错源的开动位错源的开动19双交滑移双交滑移螺位错交滑移时形成交滑移：螺位错因滑移面的不唯一性，决定其滑移时可以从一个滑移面转移到另一个滑移面上进行。螺位错在(111)面上滑移，至某处时被阻止，当外部条件使其可以在（1-11）上滑移时，位错线的一部分AB段便在（1-11）上滑移。20双交滑移双交滑移位错在（1-11）上滑移至CD时，又可以转到另一个（111）面上滑移双交滑移。位错线AB滑移至CD的过程中，产生了AC、BD两段位错，显然它们是刃型位错，这相当于两个不可动割阶。C、D两点成为位错CD的两个钉扎点，构成F-R源，位错不断增殖。21双交滑移双交滑移双交滑移更容易进行，所以是比F-R源更有效的位错增殖机制。22位错的形成位错的形成位错的增殖位错的增殖lFrank-Read源增殖机制源增殖机制l平面平面L源增殖机制源增殖机制l双交滑移机制双交滑移机制位错源的开动位错源的开动23位错源的开动位错源的开动F-R源：l设位错线AB长度为L，使其弯曲的最小曲率半径为r1/2 Ll使位错线弯曲的临界应力为：l通常L1mm，b0.1nmLGbrGbrbT2G41024位错源的开动位错源的开动?25位错源的开动位错源的开动xGb326