续流二极管及电感的电流输出电压课件.ppt
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- 关 键 词:
- 二极管 电感 电流 输出 电压 课件
- 资源描述:
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1、UC2818DTC4426BDRV辅助电源UC2825OUTATC4428OUTBTC4428TC4426DRV1DRV2DRV3DRV4PIC16F872单片机风扇控制AC OK DC OK及过热告警异常关脉冲模块输出电压调节I2C串口通信输出电压取样输出电流取样双闭环控制环光耦隔离输入电流取样输入电压取样HVDC电流取样光耦隔离输入电压OK?整流模块控制回路原理框图1)电力)电力MOSFET的结构和工作原理的结构和工作原理是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别。采用多元集成结构,不同的生产厂家采用了不同设计。N+GSDP沟道b)N+N-SGDPPN+N+N+沟道a
2、)GSDN沟道图1-19图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号N+GSDP沟道b)N+N-SGDPPN+N+N+沟道a)GSDN沟道图1-19图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号电力电力MOSFET的工作原理的工作原理 GTR和GTO的特点双极型,电流驱动,有电导调制效应,通流能力很强,开关速度较低,所需驱动功率大,驱动电路复杂。 MOSFET的优点单极型,电压驱动,开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单。EGCN+N-a)PN+N+PN+N+P+发 射 极 栅 极集 电 极注 入 区缓 冲 区漂 移 区J3J2J1GEC+-+-+-IDRNI
3、CVJ1IDRonb)GCc)图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 IGBT的结构的结构 IGBT的原理的原理开关速度高,开关损耗小。 相同电压和电流定额时,安全工作区比GTR大,且 具有耐脉冲电流冲击能力。通态压降比VDMOSFET低。输入阻抗高,输入特性与MOSFET类似。与MOSFET和GTR相比,耐压和通流能力还可以进一步提高,同时保持开关频率高的特点 。 驱动电路驱动电路主电路与控制电路之间的接口ERERERa)b)c)UinUoutR1ICIDR1R1图1-25 光耦合器的类型及接法a) 普通型 b)
4、 高速型 c) 高传输比型图图1.1.2 开关电源原理框图开关电源原理框图工作原理:工作原理:图图1.1.2 开关电源原理框图开关电源原理框图开关管占空比定义为:开关管占空比定义为:D=Ton/Ts; 其中其中Ts为开关管的开关周期为开关管的开关周期,Ton为一个周期内导通用时间为一个周期内导通用时间 。 两种改变占空比的控制方式两种改变占空比的控制方式 :1)脉冲宽度调制控制)脉冲宽度调制控制(PWM)2)脉冲频率调制控制)脉冲频率调制控制(PFM)图图 PWM控制方式控制方式 1) 脉冲宽度控制:脉冲宽度控制: 保持开关频率保持开关频率(开关周期开关周期Ts)不变,通过改变不变,通过改变T
5、on来改变来改变占空比占空比 D,从而达到改变输出电压的目的。,从而达到改变输出电压的目的。 如果占空比如果占空比D越大,则经滤波越大,则经滤波 后的输出电压也就越高。后的输出电压也就越高。 保持导通时间保持导通时间Ton不变,通过改变开关频率不变,通过改变开关频率(即开关周期即开关周期)而达到改变占空比的目的。而达到改变占空比的目的。 工作频率不固定,造成滤波器设计困难。工作频率不固定,造成滤波器设计困难。 2)脉冲频率控制:)脉冲频率控制: 1、各功能块的具体电路简介:、各功能块的具体电路简介: (1) 交流进线滤波器交流进线滤波器图图1.1.5 交流进线交流进线EMI滤波器滤波器 该滤波
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