新型敏感材料课件.pptx
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1、L/O/G/O 新型敏感材料新型敏感材料主主要要内容内容v传感器概述传感器概述v新型敏感新型敏感材料材料v智能材料智能材料1.1传感器的定义传感器的定义v传感器传感器(Transducer/Sensor)的定义是:传感的定义是:传感器是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成器是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置。通常由敏感元件和可用输出信号的器件或装置。通常由敏感元件和转换电路组成。转换电路组成。v敏感元件是指传感器中能直接感受被测量的部分,敏感元件是指传感器中能直接感受被测量的部分,转换电路指传感器中能将敏感元件输出转换为适转换电路指传感器中能将敏感元件输出转换为
2、适合于传输和测量的电信号部分。合于传输和测量的电信号部分。转换电路输出敏感元件电源输入v敏感材料是指对电、光、声、力、热、磁、气体敏感材料是指对电、光、声、力、热、磁、气体分布等待测量的微小变化而表现出性能明显改变分布等待测量的微小变化而表现出性能明显改变的功能材料。的功能材料。信息技术的三大支柱信息技术的三大支柱传感器技术采集信息通信技术 计算机技术传输信息处理信息作用作用作用1.21.2传感器的地位传感器的地位1.3传感器的应用领域传感器的应用领域v资源探测资源探测v海洋开发海洋开发v环境监测环境监测v安全保卫安全保卫v医疗诊断医疗诊断v家用电器家用电器v工业自动化工业自动化v农业现代化农
3、业现代化v军事工程军事工程v航空航天航空航天v机器人技术机器人技术1.4传统传感器的不足传统传感器的不足v灵敏度低,测量精度低灵敏度低,测量精度低v测量范围小测量范围小v机械滞后机械滞后v温漂温漂v使用寿命使用寿命v成本成本2 新型敏感材料新型敏感材料v2.1半导体敏感材料半导体敏感材料 v2.2电子陶瓷电子陶瓷v2.3形状记忆材料形状记忆材料2.1半导体敏感材料半导体敏感材料2.1.1单晶硅的物理特性单晶硅的物理特性v半导体的电子学特性半导体的电子学特性半导体电导率基本公式:半导体电导率基本公式: 为电导率,为电导率,n为传导电子浓度,为传导电子浓度,n为传导电子迁移率,为传导电子迁移率,p
4、为空穴浓度,为空穴浓度,p为空穴迁移率。为空穴迁移率。 上式表明传导电子的浓度和迁移率之积与空穴的浓度和迁移率之积决上式表明传导电子的浓度和迁移率之积与空穴的浓度和迁移率之积决定了半导体电导率的大小,而影响载流子浓度和迁移率的主要因素是定了半导体电导率的大小,而影响载流子浓度和迁移率的主要因素是掺杂和温度。半导体材料利用压电效应、磁电效应、热电效应和光电掺杂和温度。半导体材料利用压电效应、磁电效应、热电效应和光电效应等都能达到改变半导体电导率的效果,所以很适合作为新型敏感效应等都能达到改变半导体电导率的效果,所以很适合作为新型敏感材料来制作各种传感器。材料来制作各种传感器。 p=enpn ()
5、v单晶硅的机械性能单晶硅的机械性能硅具有良好的机械性能与导热性能硅具有良好的机械性能与导热性能单晶硅作为微系统中最能被广泛使用的基底材料,单晶硅作为微系统中最能被广泛使用的基底材料,它的优点:它的优点:l 优良而稳定的力学性能优良而稳定的力学性能l 熔点约为铝的熔点约为铝的2倍,熔点高可以在高温环境下保持倍,熔点高可以在高温环境下保持尺寸稳定尺寸稳定l 热膨胀系数低,可以有效地减小温度误差热膨胀系数低,可以有效地减小温度误差l 单晶硅纯度极高内耗小单晶硅纯度极高内耗小2.1.2多晶硅及硅化合物多晶硅及硅化合物多晶硅是单晶的聚合物,因其单晶取向不同,期排多晶硅是单晶的聚合物,因其单晶取向不同,期
6、排列时无序的。列时无序的。多晶多晶硅一般采用低压化学气相沉积法(硅一般采用低压化学气相沉积法(LPCVD)如图所示,多晶硅的电阻温度系数较单晶硅低,并如图所示,多晶硅的电阻温度系数较单晶硅低,并在很大范围内变化。在很大范围内变化。电阻温度系数与掺杂原子浓度的关系电阻温度系数与掺杂原子浓度的关系硅的化合物二氧化硅、碳化硅等硅的化合物二氧化硅、碳化硅等石英晶体(各向异性)是理想的压电材料,可用于石英晶体(各向异性)是理想的压电材料,可用于制作高精度传感器。制作高精度传感器。用碳化硅薄膜制作压敏元件,制成的高温压力传感用碳化硅薄膜制作压敏元件,制成的高温压力传感器可以在器可以在600C以上的环境温度
7、中工作,可用于测以上的环境温度中工作,可用于测定航空航天飞行器发动机的耐热腔体及表面部件的定航空航天飞行器发动机的耐热腔体及表面部件的压力。压力。锗锗由于由于Ge的禁带较窄,器的禁带较窄,器件稳定工作温度远不如件稳定工作温度远不如硅器件高,加之资源有硅器件高,加之资源有限,目前,限,目前,Ge电子器件电子器件不到总量的不到总量的10%,主要,主要转向红外光学等方面。转向红外光学等方面。硅材料的优点硅材料的优点v资源丰富、资源丰富、易于提高到极纯的纯度易于提高到极纯的纯度v较易生长出较易生长出大直径无位错单晶大直径无位错单晶v易于易于对进行对进行可控可控n型和型和p型掺杂型掺杂v易于通过易于通过
8、沉积工艺沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料硅薄膜材料v易于进行腐蚀易于进行腐蚀加工加工v硅有相当好的力学性能硅有相当好的力学性能v硅表面上很容易制备高质量的介电层硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2v硅本身是一种稳定的绿色硅本身是一种稳定的绿色材料材料2.2电子陶瓷电子陶瓷利用电子陶瓷的物理效应可以实现机械能、电能、利用电子陶瓷的物理效应可以实现机械能、电能、光能与电能之间的能量转换。光能与电能之间的能量转换。电子陶瓷包括压电陶瓷、半导体陶瓷、磁性陶瓷、电子陶瓷包括压电陶瓷、半导体陶瓷、磁性陶瓷、压敏陶瓷、光敏陶瓷等。压敏陶瓷、光敏陶瓷等。电子陶瓷有对压
9、力、温度、光强变化和磁性敏感的电子陶瓷有对压力、温度、光强变化和磁性敏感的性能,而且具有耐磨蚀、硬度高、易成型、高温下性能,而且具有耐磨蚀、硬度高、易成型、高温下性能稳定和蕴含资源丰富的特点。性能稳定和蕴含资源丰富的特点。2.2.1电子陶瓷生产工艺电子陶瓷生产工艺电子陶瓷块体材料的常规制作工艺主要电子陶瓷块体材料的常规制作工艺主要包括包括备料备料、成型、烧结工艺。根据实际应用需求,还可以采用成型、烧结工艺。根据实际应用需求,还可以采用热压烧结工艺或填充烧结工艺制备无气孔的透明陶热压烧结工艺或填充烧结工艺制备无气孔的透明陶瓷或气孔率很高的多孔陶瓷。新近发展起来的电子瓷或气孔率很高的多孔陶瓷。新近
10、发展起来的电子陶瓷薄膜材料的制备工艺主要有射频磁控溅射、溶陶瓷薄膜材料的制备工艺主要有射频磁控溅射、溶胶胶-凝胶法,脉冲激光沉积、金属氧化物气相沉积等凝胶法,脉冲激光沉积、金属氧化物气相沉积等工艺。工艺。 2.2.2压电陶瓷压电陶瓷大多数压电陶瓷是以大多数压电陶瓷是以BaTi03为代表的为代表的ABO3型钙钛型钙钛矿结构,是多晶体材料。烧结成型的压电陶瓷并不矿结构,是多晶体材料。烧结成型的压电陶瓷并不具备压电性,必须经过人工极化处理后,才具备压具备压电性,必须经过人工极化处理后,才具备压电性,成为压电敏感材料。电性,成为压电敏感材料。极化过程极化过程v正压正压电效应:当电效应:当晶体受到某固定
11、方向外力的作用晶体受到某固定方向外力的作用时时,内部内部就产生电极化就产生电极化现象,同时现象,同时在某两个表面在某两个表面上产生符号相反的电荷;当外力撤去后,晶体又上产生符号相反的电荷;当外力撤去后,晶体又恢复到不带电的状恢复到不带电的状 态态;当外力作用方向改变时,;当外力作用方向改变时,电荷的极性也随之改变;晶体受力所产生的电荷电荷的极性也随之改变;晶体受力所产生的电荷量与外量与外 力力的大小成正比。压电式传感器大多是利的大小成正比。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的。用正压电效应制成的。 v逆逆压电效应:对压电效应:对晶体施加交变电场引起晶体机械晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现
12、象。变形的现象。 用用逆压电效应制逆压电效应制 造造的变送器可用于的变送器可用于电声和超声工程电声和超声工程。v压电陶瓷主要用于制造超声换能器、水声换能器、压电陶瓷主要用于制造超声换能器、水声换能器、电声换能器、陶瓷滤波器、陶瓷变压器、陶瓷鉴电声换能器、陶瓷滤波器、陶瓷变压器、陶瓷鉴频器、高压发生器、红外探测器、声表面波器件、频器、高压发生器、红外探测器、声表面波器件、电光器件、引燃引爆装置和压电陀螺等。电光器件、引燃引爆装置和压电陀螺等。2.2.3半导体陶瓷半导体陶瓷v半导体陶瓷是指具有半导体电子特性的陶瓷材料。半导体陶瓷是指具有半导体电子特性的陶瓷材料。半导体的导电性受温度、电场、光照和湿
13、度等外半导体的导电性受温度、电场、光照和湿度等外界条件影响会发生变化,利用这种变化可以制作界条件影响会发生变化,利用这种变化可以制作各类敏感元件,所以半导体陶瓷又称作敏感陶瓷。各类敏感元件,所以半导体陶瓷又称作敏感陶瓷。v半导体陶瓷主要包括热敏陶瓷、压敏陶瓷、气敏半导体陶瓷主要包括热敏陶瓷、压敏陶瓷、气敏陶瓷和光敏陶瓷等。陶瓷和光敏陶瓷等。v热敏陶瓷(热敏电阻为热敏陶瓷(热敏电阻为主)主)正温度系数热敏电阻正温度系数热敏电阻(PTC)负温度系数热敏电阻负温度系数热敏电阻(NTC)临界温度系数热敏电阻临界温度系数热敏电阻(NTR)热敏器件的工作温度、材料和用途热敏器件的工作温度、材料和用途工作温
14、度工作温度材料材料用途用途NTC低温用(-130-0C)常温用(-20-300C)中温用(250-550C)高温用(500-1000C)低温常温用Mn、Ni、Co、Fe等过滤金属氧化物中温高温用尖晶石、钙钛矿、氧化锆、SiC冷冻器家用电器PTC常温用(0-100C)中温用(100-300C)常温用半导性(Ba,Sr)TiO3固溶液中温用半导性(Ba,Pb)TiO3固溶液电子恒温器吹风机CTR常温用(0-100C)钒氧化物火灾报警器2.2.4磁性陶瓷磁性陶瓷v具有磁性的铁氧化物成为铁氧体,铁氧体是一种具有磁性的铁氧化物成为铁氧体,铁氧体是一种非金属磁性材料,又称磁性陶瓷。非金属磁性材料,又称磁性
15、陶瓷。v从从化学组成上看,铁氧体主要是由铁族离子、阳化学组成上看,铁氧体主要是由铁族离子、阳离子即其他金属离子组成的复合金属氧化物,也离子即其他金属离子组成的复合金属氧化物,也有少量不含铁的磁性氧化物。有少量不含铁的磁性氧化物。v当铁磁质达到磁饱和状态后,如果减小磁化场当铁磁质达到磁饱和状态后,如果减小磁化场H,介质的磁化强度介质的磁化强度M(或磁感应强度(或磁感应强度B)并不沿着起)并不沿着起始磁化曲线减小,始磁化曲线减小,M(或(或B)的变化滞后于)的变化滞后于H的变的变化。这种现象叫磁滞。化。这种现象叫磁滞。 在磁场中,铁磁体的在磁场中,铁磁体的磁感应强度与磁场强度的关系可用曲线来表示,
16、磁感应强度与磁场强度的关系可用曲线来表示,当磁化磁场作周期的变化时,铁磁体中的磁感应当磁化磁场作周期的变化时,铁磁体中的磁感应强度与磁场强度的关系是一条闭合线,这条闭合强度与磁场强度的关系是一条闭合线,这条闭合线叫做线叫做磁滞回线。磁滞回线。铁磁体磁化到技术饱和以后,使它的磁化铁磁体磁化到技术饱和以后,使它的磁化强度降低到零所需要的反向磁场称为矫顽力。强度降低到零所需要的反向磁场称为矫顽力。 在较弱的磁场在较弱的磁场下易于磁化,也易下易于磁化,也易于退磁的材料称为于退磁的材料称为软磁材料软磁材料。 磁导率大,矫顽磁导率大,矫顽力小力小(Hc100A/m),滞损耗低,磁滞,滞损耗低,磁滞回线呈细
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