反向重复峰值电压URRM课件.ppt
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- 反向 重复 峰值 电压 URRM 课件
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1、第三讲第三讲 几种常用的功率器件(电力几种常用的功率器件(电力半导体)及其应用半导体)及其应用3.1 普通晶闸管普通晶闸管普通晶闸管(又称可控硅)是一种大功率半导体器件,主普通晶闸管(又称可控硅)是一种大功率半导体器件,主要用于大功率的交直流变换、调压等。晶闸管三个电极分要用于大功率的交直流变换、调压等。晶闸管三个电极分别用字母别用字母A(表示阳极表示阳极)、K(表示阴极)、(表示阴极)、G(表示门极)。(表示门极)。213阳极阴极控制极AKG退出退出1晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性 晶闸管的伏安特性如图晶闸管的伏安特性如图2.7.1所示。它表示晶闸管的阳极与阴极间所示。它表示晶闸管的阳极与
2、阴极间的电压和它的阳极电流之间的关系。通过特性曲线,可得出晶闸管的电压和它的阳极电流之间的关系。通过特性曲线,可得出晶闸管导通和关断的下列结论。导通和关断的下列结论。在正常情况下,晶闸管导通的在正常情况下,晶闸管导通的必要条件有两个,缺一不可:必要条件有两个,缺一不可:(1)晶闸管承受正向电压()晶闸管承受正向电压(阳极电位高于阴极电位)。阳极电位高于阴极电位)。(2)加上适当的正向门极电)加上适当的正向门极电压(门极电位高于阴极电位)压(门极电位高于阴极电位)。晶闸管一旦导通,门极就失去晶闸管一旦导通,门极就失去了控制作用。正因为如此,晶了控制作用。正因为如此,晶闸管的门极控制信号只要是正闸
3、管的门极控制信号只要是正向脉冲电压就可以了,称之为向脉冲电压就可以了,称之为触发电压或触发脉冲。触发电压或触发脉冲。退出退出要使晶闸管关断,必须去掉阳极正向电压,或者给阳极加反向电压,要使晶闸管关断,必须去掉阳极正向电压,或者给阳极加反向电压,或者降低正向阳极电压,这样就使通过晶闸管的电流降低到一定数或者降低正向阳极电压,这样就使通过晶闸管的电流降低到一定数值以下。能保持晶闸管导通的最小电流,称为维持电流。值以下。能保持晶闸管导通的最小电流,称为维持电流。当门极没有加正向触发电压时,晶体管即使阳极和阴极之间加上正当门极没有加正向触发电压时,晶体管即使阳极和阴极之间加上正向电压,一般是不会导通的
4、。向电压,一般是不会导通的。2晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数(1)断态重复峰值电压)断态重复峰值电压UDRM 。指在门极开路而器件的结温为额定指在门极开路而器件的结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压。若加在管子上的电压值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压。若加在管子上的电压大于大于UDRM,管子可能会失控而自行导通。,管子可能会失控而自行导通。(2)反向重复峰值电压)反向重复峰值电压 URRM 。指门极开路而结温为额定值时,允指门极开路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的反向峰值电压。当加在管子上反向电压大于许重复加在器件上的反向峰值电压。当加在管子上反向电压大于URRM时,
5、管子可能会被击穿而损坏。时,管子可能会被击穿而损坏。通常把通常把UDRM和和URRM中较小的那个数值标作晶闸管型号上的额定电中较小的那个数值标作晶闸管型号上的额定电压。在选用管子时,额定电压应为正常工作峰值电压的压。在选用管子时,额定电压应为正常工作峰值电压的23倍,以倍,以保整电路的工作安全。保整电路的工作安全。退出退出(3)额定正向平均电流)额定正向平均电流 IF 。其定义和二极管的额定整流电流意义其定义和二极管的额定整流电流意义相同。要注意的是若晶闸管的导通时间远小于正弦波的半个周期,相同。要注意的是若晶闸管的导通时间远小于正弦波的半个周期,即使即使IF值没超过额定值,但峰值电流将非常大
6、,以致可能超过管子值没超过额定值,但峰值电流将非常大,以致可能超过管子所能提供的极限。所能提供的极限。(4)正向平均管压降)正向平均管压降UF 。指在规定的工作温度条件下,使晶闸管指在规定的工作温度条件下,使晶闸管导通的正弦波半个周期内导通的正弦波半个周期内UAK的平均值,一般在的平均值,一般在0.41.2V。(5)维持电流)维持电流IH 。指在常温门极开路时,晶闸管从较大的通态电指在常温门极开路时,晶闸管从较大的通态电流降到刚好能保持通态所需要的最小通态电流。一般流降到刚好能保持通态所需要的最小通态电流。一般IH值从几十到值从几十到几百毫安,视晶闸管电流容量大小而定。几百毫安,视晶闸管电流容
7、量大小而定。(6)门极触发电流)门极触发电流IG 。在常温下,阳极电压为在常温下,阳极电压为6V时,使晶闸管能时,使晶闸管能完全导通所需的门极电流,一般为毫安级。完全导通所需的门极电流,一般为毫安级。(7)门极触发电压)门极触发电压UG 。产生门极触发电流所必须的最小门极电压,产生门极触发电流所必须的最小门极电压,一般为一般为5V左右。左右。退出退出(9)通态电流临界上升率)通态电流临界上升率 。在规定条件下,晶闸管能承受在规定条件下,晶闸管能承受的最大通态电流上升率。若晶闸管导通电流上升太快,则会在晶闸的最大通态电流上升率。若晶闸管导通电流上升太快,则会在晶闸管刚开通时,有很大的电流集中在门
8、极附近的小区域内,从而造成管刚开通时,有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而损坏晶闸管。局部过热而损坏晶闸管。ti dd3晶闸管的正确使用晶闸管的正确使用 (1)管脚的判别。)管脚的判别。用万用表用万用表R100W W档,分别测量各管脚间的正、档,分别测量各管脚间的正、反向电阻。因为只有门极反向电阻。因为只有门极G与阴极与阴极K之间正向电阻较小,而其他均之间正向电阻较小,而其他均为高阻状态,故一旦测出两管脚间呈低阻状态,则黑表笔所接为门为高阻状态,故一旦测出两管脚间呈低阻状态,则黑表笔所接为门极极G,红表笔所接为阴极,红表笔所接为阴极K,另一端为阳极,另一端为阳极A。(8)断
9、态电压临界上升率)断态电压临界上升率 。在额定结温和门极开路的情况在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通态转换的最大正向电压上升率。一般下,不导致晶闸管从断态到通态转换的最大正向电压上升率。一般为每微秒几十伏。为每微秒几十伏。tu dd退出退出(3)晶闸管额定电压的选择)晶闸管额定电压的选择。晶闸管实际工作时承受的正常峰值晶闸管实际工作时承受的正常峰值电压应低于正、反向重复峰值电压电压应低于正、反向重复峰值电压UDRM和和URRM,并留有,并留有2倍的倍的额定电压值的余量,还应有可靠的过电压保护措施。额定电压值的余量,还应有可靠的过电压保护措施。(4)晶闸管额定电流的选择)晶闸管
10、额定电流的选择。晶闸管实际工作通过的最大平均电晶闸管实际工作通过的最大平均电流应低于额定通态平均电流流应低于额定通态平均电流ITa,并应根据电流波形的变化进行相应,并应根据电流波形的变化进行相应换算,还应有换算,还应有1.5倍的余量及过电流保护措施。倍的余量及过电流保护措施。(5)关于门极触发电压和电流的考虑)关于门极触发电压和电流的考虑。晶闸管实际触发电压和电晶闸管实际触发电压和电流应大于晶闸管参数流应大于晶闸管参数UGT和和IGT,以保证晶闸管可靠地被触发,但也,以保证晶闸管可靠地被触发,但也不能超过允许的极限值。不能超过允许的极限值。 (2)管子质量的判别)管子质量的判别。用万用表用万用
11、表R100W W档,若测的以下情况之档,若测的以下情况之一,则说明管子是坏的。一,则说明管子是坏的。任两极间正反向电阻均为零。任两极间正反向电阻均为零。A、K间正向电阻为低阻(注意:测量过程中黑表笔不要接触间正向电阻为低阻(注意:测量过程中黑表笔不要接触G极)。极)。各极之间均为高电阻。各极之间均为高电阻。退出退出4. 应用电路应用电路退出退出3.2 双向晶闸管双向晶闸管 就其功能来说,双向晶闸管可以被认为是一对反并联连接的单向就其功能来说,双向晶闸管可以被认为是一对反并联连接的单向普通晶闸管。它和单向晶闸管的区别是:第一,它在触发之后是双普通晶闸管。它和单向晶闸管的区别是:第一,它在触发之后
12、是双向导通的;第二,在门极中所加的触发信号不管是正的还是负的都向导通的;第二,在门极中所加的触发信号不管是正的还是负的都可以使双向晶闸管导通。可以使双向晶闸管导通。1双向晶闸管的特性双向晶闸管的特性231GMT1MT2MT2MT1GNPNPNN电极1电极1电极2电极2门极(控制极)门极(控制极)退出退出(1)第一象限触发)第一象限触发MT2+、G+。即相对于电极MT1、MT2的电压为正;门极G的触发电流为正。(2)第二象限触发)第二象限触发MT2+、G。即相对于电极MT1、MT2 的电压为正;门极G的触发电流为负。(3)第三象限触发)第三象限触发 MT2、G。即相对于电极MT1、MT2的电压为
13、负;门极G的触发电流为负。(4)第四象限触发)第四象限触发 MT2、G+。即相对于电极MT1、MT2 的电压为负;门极G的触发电流为正。双向晶闸管的最高触发灵敏度在第一、三象限第一、三象限,而在第二、四象限比较差。故在实际应用中常采用第一、第三象限触发方式。2. 应用电路应用电路 双向晶闸管主要用于电机控制、电磁阀控制、调温及调光控制等方面 。退出退出光敏电阻应用电路:光控闪烁安全警示灯光敏电阻应用电路:光控闪烁安全警示灯当触发二极管导通时,电容通过当触发二极管导通时,电容通过R2放电,可控硅再次截止;放电,可控硅再次截止;电容又被充电,等等。电容又被充电,等等。退出退出VCC_CIRCLEV
14、CC_CIRCLEVCC_CIRCLE1212121274LS07+5VR1150MOC30211246R2330C0.22uF2KKSZf 220VR3可控硅器件的接口可控硅器件的接口退出退出3.3 功率场效应管功率场效应管 功率场效应管(功率场效应管(MOSFET)是)是20世纪世纪70年代中期发展起来的年代中期发展起来的新型半导体电力电子器件。同双极型晶体管相比,功率新型半导体电力电子器件。同双极型晶体管相比,功率MOSFET具有开关速度快、损耗低、驱动电流小、无二次击穿具有开关速度快、损耗低、驱动电流小、无二次击穿现象等优点。目前功率现象等优点。目前功率MOSFET越来越受到人们的重视
15、,广泛越来越受到人们的重视,广泛应用于高频电源变换、电机调速、高频感应加热等领域。应用于高频电源变换、电机调速、高频感应加热等领域。134321N沟道沟道PGGDDSS栅极栅极源极源极漏极漏极退出退出1功率功率MOSFET的基本特点的基本特点(1)开关速度高。)开关速度高。功率功率MOSFET是一种单极型导电器件,无固有是一种单极型导电器件,无固有存储时间,其开关速度仅取决于极间寄生电容,故开关时间很短存储时间,其开关速度仅取决于极间寄生电容,故开关时间很短(小于(小于50100ns),因而具有更高的工作频率(),因而具有更高的工作频率(100kHz以上)。以上)。(2)驱动功率小)驱动功率小
16、。功率功率MOSFET是一种电压型控制器件,既通、是一种电压型控制器件,既通、断均由栅源电压控制。由于栅极与器件主体是电隔离的,故功率增断均由栅源电压控制。由于栅极与器件主体是电隔离的,故功率增益高,所需的驱动功率极小,驱动电路简单。益高,所需的驱动功率极小,驱动电路简单。(3)安全工作区域宽)安全工作区域宽。功率功率MOSFET无二次击穿现象,因此功率无二次击穿现象,因此功率MOSFET较同功率等级的较同功率等级的GTR安全工作区宽,更稳定耐用。安全工作区宽,更稳定耐用。(4)过载能力强。)过载能力强。短时过载电流一般为额定值的短时过载电流一般为额定值的4倍。倍。(5)抗干扰能力强。)抗干扰
17、能力强。功率功率MOSFET的开启电压一般为的开启电压一般为26V。(6)并联容易)并联容易。功率。功率MOSFET的通态电阻具有正温度系数(即通的通态电阻具有正温度系数(即通态电阻值随结温升高而增加),因而在多管并联时易于均流。态电阻值随结温升高而增加),因而在多管并联时易于均流。退出退出2功率功率MOSFET的主要参数的主要参数(1)漏极额定电流)漏极额定电流ID。指漏极允许连续通过的最大电流,在选择指漏极允许连续通过的最大电流,在选择器件时要考虑充分的余量,以防止器件在温度升高时漏极额定电流器件时要考虑充分的余量,以防止器件在温度升高时漏极额定电流降低而损坏器件。降低而损坏器件。(2)通
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