硅片检测设备课件.ppt

1、太阳电池用硅片太阳电池用硅片外观检测装置外观检测装置2010年11月株式会社 安永CE事業部 営業部門特征n太阳能电池用硅片外观检测综合提案硅片表面缺陷检查（硅片上面/下面）硅片尺寸形状测定不可视内部裂痕检查（0 / 902阶段检查）硅片4边edge详细缺陷检查硅片edge侧面厚度测定检测（厚度,TTV,线痕 ,段差,棱线,翘曲）n高速检查 1.0sec/wafern对应单晶以及多晶硅片n对应金刚线加工硅片检查系统构成图Edge检查检查 左左Edge检查检查- 右右不可视裂痕检查不可视裂痕检查（ （NVCD） ） 0上上表面检查表面检查Edge检查检查 后后Edge检查检查 前前不可视裂痕检查

2、不可视裂痕检查（ （NVCD） ） 90下表面检查下表面检查硅片90转向3D 激光检查激光检查To 传送分选部动作录像基本配置硅片类型硅片类型单晶单晶多晶多晶硅片硅片（ （对应金刚线加工硅片对应金刚线加工硅片） ）硅片尺寸硅片尺寸125mm156mm硅片角部形状硅片角部形状无去角无去角R面面C面（面（Max22.8mm） ）硅片厚度硅片厚度*140um处理能力处理能力3,600片片/hour (1.0sec/片片)上料部上料部标准式样标准式样： ：对应硅片清洗箩筐对应硅片清洗箩筐 （ （上料部数上料部数： ：2处处） ） *可对应摞片式可对应摞片式、 、以及客户专用式样以及客户专用式样。 。下

3、料下料/分选部分选部标准式样标准式样： ：摞片分装摞片分装（t200um硅片时，硅片时，130片片/段）段）良品良品可分装段数可分装段数： ：8（4段段2处处） ）不良品不良品分装分装数数： ：7（1段段7处处） ）*良品良品最多可分最多可分16段段,不良品不良品最多可分最多可分10段段装置大小装置大小4,290(W)1,060（ （D） ）1,800（ （H） ）mm装置重量装置重量约约1,500kg电源电源AC3相相 200V 50/60Hz 20A（ （4KVA） ） 空气空气0.39MPa 50L/min以上以上 检查项目一览检查项目检查项目检查精度检查精度可测大小可测大小检查位置检查

4、位置检测装置式样检测装置式样 外形大小外形大小（全（全长长全全宽宽） ）100um以内（以内（3） ）上下表面检查部上下表面检查部2000pix线扫描摄像头线扫描摄像头视野视野:约约170mm检查分辨率检查分辨率： ：约约85um/pix 直径大小直径大小200um以内（以内（3） ） 去边长度去边长度300um以内（以内（3） ） 角度角度0.1以内（以内（3） ） 表面裂痕表面裂痕缺口缺口200um以上以上 表面污垢表面污垢1mm以上以上 针孔针孔(气孔气孔)100um以上以上不可视裂痕不可视裂痕NVCD检查部检查部（ （0,90） ）4000pix线扫描摄像头线扫描摄像头视野视野:约约1

5、84mm检查分辨率检查分辨率 :约约46um/pix 内部裂痕内部裂痕100um1mm以上以上 异物异物100um以上以上 崩边崩边30um1mm以上以上Edge检查检查部部2000pix线扫描摄像头线扫描摄像头视野视野:30mm检查分辨率检查分辨率(画素画素) :约约15um/pix edge侧面缺口侧面缺口100um以上以上 edge侧面厚度侧面厚度10um以内（以内（3） ） 硅片厚度硅片厚度（ （Max,Min,Ave） ）2um以内（以内（3） ）3D激光检查部激光检查部激光变位器激光变位器6set（上（上3/下下3） ）测定位置测定位置:0.25mm光径光径:约约50um分解能分解

6、能:0.2um走查线位走查线位:上下上下3线线 TTV（ （9点点5点）点）3um以内（以内（3） ） 线痕线痕/段差段差棱线棱线5um以内（以内（3） ） 翘曲翘曲 上面检查部下面检查部上面/下面表面检查部n表面缺陷检查污浊,伤痕,指纹等 n硅片尺寸测定全长/全宽,直径,去角,角度上面/下面表面检查部检测例）污浊不良（单晶）检测在约W0.4mm范围内存在的微小污浊上面/下面表面检查部检测例）污浊不良（多晶）检测出约.20.6mm的污浊，五其他部位的过度检测上面/下面表面检查部不可视裂痕 NVCD检查部（0,90）与其他公司比较，可以将更小的裂痕用更清晰的方式检测出来 Crack-Amplif

7、ier Technology* *Patent Pending他社方式安永安永TD200不可视裂痕 NVCD检查部（0,90）检测例）细微的内部裂痕TD200可以在硅片 0以及 90放置时检测可对由于方向不同而造成的检测困难的裂痕做出精确的检测 硅片硅片0检查时的画像检查时的画像硅片硅片90检查时的画像检查时的画像不可视裂痕 NVCD检查部（0,90）Edge检查部edge检查部概图Edge检查部硅片侧面edge部位容易发生归类于重度不良的。TD200拥有对硅片4边edge部位进行集中检查的机能。Edge检查部 edge检查范围edge部表/里面崩边、缺口检查edge部侧面崩边、缺口检查edg

8、e侧面厚度测定检查分辨率15um/pix Edge侧面11.5mm检查例）检查edge部缺口缺口大小）从edge开始0.6mm长度2.9mm侧面画像中也可确认到缺口。Edge检查部edge表面Edge里面側面侧面画像也可确认到不良Edge检查部检查例）检查edge部缺口可以从edge侧面画像中检查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edge检查部检查例）检查edge侧面细微缺口可在edge检查中获取的侧面画像中测定edge部的厚度（去角部除外）Edge侧面画像侧面画像Edge检查部检查例）测定edge侧面厚度激光变位器6set（上3/下3） 3D激光检查部n厚度（Max,Min,Ave）nTTVn线痕n

9、段差n棱线n翘曲3D激光检查部检查例）厚度小不良上面测定结果下面测定结果厚度演算结果下限规格在150m以下的作不良判定3D激光检查部段层不良线痕不良检查例）段层、线痕不良3D激光检查部标准式样对应硅片清洗箩筐对应硅片清洗箩筐 （2套/自动交换）*可对应摞片式可对应摞片式、 、以及客户专用式样以及客户专用式样上料部（硅片供给部）卸料分选部标准式样良品分装段数:8（4段2处）不良品分装段数:7（1段7处）130片/段（t200um厚硅片）*良品良品最多可分最多可分16段段,不良品不良品最多可分最多可分10段段 全全94or2or1段機構段機構WaferThank you for your participationsBest wishes to all of you