薄膜电容器知识课件.ppt

1、技术中心1技术中心技术中心2l电容器基础知识l电容器的应用l电容器的标准与测试l电容器材料l电容器工艺l产品分析报告l薄膜电容器的发展动态技术中心3l概念l电容器的分类l电容器的结构l电容器的发展技术中心4l电容器是储存电荷或存储电量（电势能）的容器。是电工及电子设备中广泛应用的电路基本元件，通常由电介质（绝缘材料）隔离的两块导电极板组成。l任何绝缘材料都可能成为电容器的电介质，如纸、玻璃、云母、油、空气等等，目前主要产品有陶瓷电容器、塑料薄膜电容器、电解电容器三大类。l薄膜电容器：指以（电工级）塑料薄膜为电介质的电容器。与陶瓷和电解电容器相比具有产品性能好、可靠性高的优点，但容量/体积比小，

2、价格高。技术中心5l电容器的符号l电容器的标志： 电容量、等级、额定电压、型号、生产日期、商标、认证标志技术中心6l电容量的单位单位：F、F、nF、pF。 1F=106F=109nF=1012pF 1F=103nF=106pF 1nF=103pFl三位数表示法：ABC=AB10CpF。如:104、223l符号法：4p7、3n3、15n、68技术中心7l额定电压：直流：dc、-、或不标交流：ac、额定电压的符号法：（JIS）l生产日期：直标法：05.2；年号：S、T；周：符号等等。2A1003B12501C162D2002E2502F3152G4001H501J632K800技术中心8l按介质分

3、类：有机介质电容器 塑料薄膜、纸介、漆膜、复合介质 PET、OPP、PEN、PPS、PS、PC无机介质电容器 瓷介、云母、玻璃膜及玻璃釉 高频瓷、 铁电瓷、 半导体瓷电解电容器 铝电解、钽电解、铌电解 液体铝电解、固体铝电解、无极性电解技术中心9C（第一位C，第四位为序号）D铝电解A钽电解N铌电解G 合金电解 E 电解C高频瓷T低频瓷Y云母V云母纸I 玻璃釉 O 玻璃膜B聚苯乙烯非极性薄膜L聚酯极性薄膜H 纸膜复合 J 金属化纸 Z纸Q漆膜第三位123456789薄膜非密封密封穿心高压 特殊电解箔式烧结粉无极性特殊瓷介 圆形 管型 叠片 独石 穿心 支柱高压技术中心10材料PETPENPPSN

4、POX7RTan工作温度()-55/105 -55/125 -55/140 -55/125 -55/125 -55/125电容量随温度变化C/C(%)551.511510DC电压系数(%)可忽略可忽略可忽略可忽略-20可忽略寿命期容量变化（%/h,十年）可忽略可忽略可忽略可忽略2损耗(%)1kHz 10kHz100kHz0.81.53.00.81.53.00.200.250.500.100.100.102.58ESR低低很低低中至高高RI(s) 25 85100001000100001000100001000100001000100050010010技术中心11材料PETPENPPSNPOX7

5、RTan电容量范围102/106 102/475 101/105 100/473 101/475 104/108容器允许偏差J,K,MJ,K,MJ,K,MJ,KK,MK,M自愈性有有有无无无典型失效模式(寿命终止时)开路开路开路短路短路短路可靠性高高高高中低压电效应无无无有有有抗热 机械冲击高高高中至低 中至低低非线形失真非常低 非常低 非常低低高极性无无无无无有技术中心12聚丙烯膜高频损耗极低，电容量稳定性很高，负温度系数较小，绝缘电阻极高，介质吸收系数极低，自愈性好，介电强度高，吸水率低。聚酯膜工作温度范围宽，介电常数高，电容量稳定性高，正温度系数，绝缘电阻高，自愈性好，薄膜厚度可达0.9

6、m,容积比高。技术中心13通用用于以直流分量为主的电路场合。如：耦合、旁路、滤波.交流与脉冲用于以交流或脉冲电压分量为主的电路场合，可以承受较大的交流或脉冲电流。如：行逆程高压、S校正、尖峰吸收.抑制电源电磁干扰用于电源电路，抑制电磁干扰，提高整机的CE特性。跨线：X1X2X3；接地：Y1Y2Y3Y4精 密用于要求电容量精确、稳定、温度系数小的场合。如：定时、振荡、积分。交 流工作于交流电源。如：电机起动、功率因数补偿. 技术中心14金属箔铝箔（5、6、6.5m）工艺流程短，成本低，耐电流冲击。没有自愈性，击穿后短路，可靠性差，工作场强低，体积大，不适合做高压。锡箔（7 、14m ）金属化铝金

7、属化高/低方阻，加厚边，安全膜，波浪边，双面有自愈性，可靠性高，工作场强高，体积小，开路失效模式，适合做高压产品。耐电流差，成本高，工艺流程长锌铝金属化加厚边，安全膜，波浪边膜箔式金属箔作外电极金属化作内电极兼顾金属箔和金属化的优点，适合做高压大电流产品。主要为内串式结构。技术中心15卷绕式金属箔式有感式引出线点焊旗箔式无感式露箔点焊，预焊金属化无感式喷金叠片式叠片式喷金表面安装 喷金/（涂浆料）/上锡焊片式内串式2/3/4/5串喷金膜箔式有感式旗箔式无感式预焊，喷金技术中心16封装浸渍型液体/粉末/简装设计灵活盒 式塑料外壳金属外壳外观一致性好插件直通率高裸装浸树脂加套管体积小引出方式径 向

8、成型编带易插件排版密度高轴 向圆柱形扁平型结构稳定节省高度空间技术中心171.根据用途或电路原理确定电容器的类型：1.1直流回路：选用通用类薄膜电容器。 低电压：盒式、高性能：CL23B、CL23/大间距 浸渍型、小型化：CL21X 廉价：CL11 容量稳定：CBB21、CBB13、CH11 高精密：CBB71、CBB72、CBB70 表面安装：CLN51、CBS52 中高压：体积小：CL21、CL20 容量稳定：CBB21、CBB81 表面安装：CLN51、技术中心181.2交流脉冲回路（S校正电路、行逆程电路、尖峰吸收回路、灯具）：选用脉冲类电容器 行逆程电路：CBB81、CBB81B、C

9、BB81A S校正电路：CBB21、CBB21B、CBB21A、CBB13 电子镇流器：MKP21、MKP81、 MMKP82、MMKP84 节能灯：CL11、CBB11、CL21、CL23B、 CL25、CBB21技术中心191.3安规电容器的选用：电源跨线（抑制差模干扰）：X类 X2类：CBB62（CQC） MKP61、MKP62（CQC、UL、ENEC） X1类：MKP63（CQC、UL、ENEC）电源对地（抑制共模干扰） ：Y类 Y2类:MKP63（CQC、UL、ENEC）技术中心201.4精密电容器的选用： 我公司的精密电容器有五种型号。CBB70为金属化轴向引出方式，电容量范围较宽

10、。CBB71A为箔式结构，温度系数较小（-15070ppm）。 6.3115塑壳封装，容量较小。CBB71B为箔式结构，温度系数较小（-15070ppm）。 方型塑壳封装引线呈对角线引出，容量比A型的大。CBB72A为金属化结构，温度系数为（-200100ppm）。 6.3115塑壳封装，容量较小。CBB72B为金属化结构，温度系数为（-200100ppm）。 方型塑壳封装引线呈对角线引出，容量比A型的大。技术中心21 影响薄膜电容器寿命的因数主要是环境温度和电应力。下图给出环境温度与电应力对产品失效的影响：技术中心22介质材料的发展趋势：介质材料的发展趋势：技术中心23通用类电容器的发展趋势

11、：通用类电容器的发展趋势： 低成本、小型化、表面安装。低成本、小型化、表面安装。 通用类电容器主要竞争对手是陶瓷和电解，目前是通用类电容器主要竞争对手是陶瓷和电解，目前是以电气性能优异、高可靠取胜，如果在价格、体积和以电气性能优异、高可靠取胜，如果在价格、体积和表面安装等方面不能突破的话，市场份额将会萎缩。表面安装等方面不能突破的话，市场份额将会萎缩。有引出线 无引出线 卷绕式 叠片式 金属箔式 金属化 有感式 无感式 叠片式 表面安装 技术中心24脉冲类的发展趋势：脉冲类的发展趋势：一是向高频率、高电压、大功率方向发展。一是向高频率、高电压、大功率方向发展。二是专用化，根据用途进行专门设计，

12、如节能二是专用化，根据用途进行专门设计，如节能灯、电子镇流器、汽车电容器等等。灯、电子镇流器、汽车电容器等等。安规电容器的发展趋势安规电容器的发展趋势-小型化。小型化。采用安全膜可以提高容积比，但成本较高，目采用安全膜可以提高容积比，但成本较高，目前更倾向于提高薄膜的介电强度和改善工艺来前更倾向于提高薄膜的介电强度和改善工艺来减薄介质厚度。减薄介质厚度。UL1414UL1414标准标准- -第六版的修订。第六版的修订。精密类精密类的发展趋势是提高电容器的性能的发展趋势是提高电容器的性能，使电容器更精密、更稳定、更可靠。，使电容器更精密、更稳定、更可靠。技术中心25 交流类电容器是与直流电容器并

13、列的交流类电容器是与直流电容器并列的大类产品，是薄膜电容器的优势产品，是大类产品，是薄膜电容器的优势产品，是其他介质电容器无法取代的是。其他介质电容器无法取代的是。 我公司交流电容器的市场份额还较小我公司交流电容器的市场份额还较小，因此发展空间还很大，必须抓住机遇，因此发展空间还很大，必须抓住机遇，走高端、专用、冷门的路线，做大做强交走高端、专用、冷门的路线，做大做强交流电容器。流电容器。技术中心26 总之，薄膜电容器的发展方向是低总之，薄膜电容器的发展方向是低成本，小型化，片式化，超高压，大成本，小型化，片式化，超高压，大功率，高精密，高可靠。功率，高精密，高可靠。 随着新材料、新工艺技术的应用与随着新材料、新工艺技术的应用与开发，薄膜电容器将产生重大变革。开发，薄膜电容器将产生重大变革。 随着整机设备的发展，对薄膜电容随着整机设备的发展，对薄膜电容器的应用将带来机遇和挑战。器的应用将带来机遇和挑战。