芯片生产全过程-从沙子到封装38页PPT课件.ppt
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1、摩尔定律(摩尔定律(18个月翻一番)验证个月翻一番)验证晶圆图片晶圆图片晶圆图片晶圆图片AMD ROADMAP 2019我国我国2019芯片产业芯片产业从沙子到芯片从沙子到芯片-1沙子沙子:硅是地壳内第二丰富的元素,而脱脱氧后的沙子氧后的沙子(尤其是石尤其是石英英)最多包含最多包含25的硅的硅元素元素,以二氧化硅二氧化硅(SiO2)的形式存在,这也是半导体制造产业的基础。 从沙子到芯片从沙子到芯片-2硅熔炼硅熔炼:12英寸/300毫米晶圆级,下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅,学名电子级硅电子级硅(EGS),平均每一百万平均每一百万个硅原子中最多只有个硅原子中最多只有一个杂质原子一
2、个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的,最后得到的就是硅锭(Ingot)。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3单晶硅锭单晶硅锭:整体基本呈圆柱形,重约重约100千千克克,硅纯度硅纯度99.9999。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3硅锭切割硅锭切割:横向切割成圆形的单个硅片,也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说,这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧? 。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3晶圆晶圆:切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕,表面甚至可以当镜子。事实上,事实上,Intel自己并不生产这自己并不生产这种晶圆,而是从第三种晶圆,而是从第三方半导体企业那里直方半导体企业那里直接购买成品
3、,然后利接购买成品,然后利用自己的生产线进一用自己的生产线进一步加工步加工,比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是,Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3光刻胶光刻胶(Photo Resist):图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体,类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3光刻光刻:光刻胶层随后光刻胶层随后透过掩模透过掩模(Mask)被曝被曝光在紫外线光在紫外线(UV)之下之下,变得可溶,期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着
4、预先设计好的电路图案,紫外线透过它照在光刻胶层上,就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说,在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3光刻光刻:由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上可以切割出数百个处理器,不过从这里开始把视野缩小到其中一个上,展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关,控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小,一个针头上就能放下大约3000万个。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3溶解光刻胶溶解光刻胶:光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉,清除后留下的图案和掩模上的一致。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3蚀刻蚀刻:使用化学物质溶解
5、掉暴露出来的晶圆部分,而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3清除光刻胶清除光刻胶:蚀刻完成后,光刻胶的使命宣告完成,全部清除后就可以看到设计好的电路图案。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3光刻胶光刻胶:再次浇上光刻胶(蓝色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3离子注入离子注入(Ion Implantation):在真空系统中,用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料,从而在被注入的区域形成特殊的注入层,并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后,注入的离子流的速度可以超过超过30
6、万千米每小时万千米每小时 从沙子到芯片从沙子到芯片-3清除光刻胶清除光刻胶:离子注入完成后,光刻胶也被清除,而注入区域(绿色部分)也已掺杂,注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3晶体管就绪晶体管就绪:至此,晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞三个孔洞,并填充铜,以便和其它晶体管互连。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3电镀电镀:在晶圆上电镀一层硫酸铜,将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3铜层铜层:电镀完成后,铜离子沉积在晶圆表面,形成一个薄薄的铜层。 从沙子到芯片从沙子到芯片-3
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