光电成像技术课件.ppt
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- 光电 成像 技术 课件
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1、第6 章 光电成像系统光电子技术基础将美丽将美丽留驻?留驻?实物实物图像图像?图像采集和处理的过程,最基本的是要把实物尽量真实地反映到虚拟的图像上如何准确地描述一幅图像?第6 章 光电成像系统 6.1 光电成像概述光电成像概述6.2 固体摄像器件分类及性能固体摄像器件分类及性能 6.3 红外成像技术红外成像技术 6.4 光学成像系统和光学传递函数光学成像系统和光学传递函数第6 章 光电成像系统6.1 光电成像概述光电成像概述一、光电成像系统的分类:一、光电成像系统的分类: 按照光电成像系统对应的按照光电成像系统对应的光波长范围光波长范围分类分类: 可见光可见光光电成像系统光电成像系统;紫外光紫
2、外光光电成像系统光电成像系统;红外光红外光光电成像系统;光电成像系统; X光光 光电成像系统。光电成像系统。 二、光电成像系统要研究的问题二、光电成像系统要研究的问题 光电成像涉及到一系列复杂的信号传递过光电成像涉及到一系列复杂的信号传递过程。程。 有四个方面的问题需要研究:有四个方面的问题需要研究:1、能量方面、能量方面物体、光学系统和接收器的物体、光学系统和接收器的光度学、辐射度学性质,解决能否探测到目标光度学、辐射度学性质,解决能否探测到目标的问题的问题 。6.1 光电成像概述光电成像概述3、噪声方面、噪声方面决定接收到的信号不稳定的决定接收到的信号不稳定的程度或可靠性。程度或可靠性。4
3、、信息传递速率方面、信息传递速率方面 成像特性、噪声成像特性、噪声信息传递问题,决定能被传递的信息量大小。信息传递问题,决定能被传递的信息量大小。2、成像特性、成像特性能分辨的光信号在空间和时能分辨的光信号在空间和时间方面的细致程度,对多光谱成像还包括它间方面的细致程度,对多光谱成像还包括它的光谱分辨率的光谱分辨率 。6.1 光电成像概述光电成像概述三、光电成像系统基本组成的框图三、光电成像系统基本组成的框图物体(信号源)传输介质光学系统(信号分析器)光电摄像器件(信号变换器)显示器人眼光源光信号光信号光信号信号信号背景噪声背景噪声噪声噪声 其中其中光电摄(成)像器件光电摄(成)像器件是光电成
4、像系统的核心。是光电成像系统的核心。 6.1 光电成像概述光电成像概述景物景物同步扫描同步扫描视频信号视频信号光学成像光学成像光电变换光电变换图像分割图像分割传送传送同步扫描同步扫描视频解调视频解调图像再现图像再现摄像部分摄像部分显像部分显像部分光电成像系统原理方框图光电成像系统原理方框图6.2 固体摄像器件分类及性能固体摄像器件分类及性能固体摄像器件的功能:固体摄像器件的功能: 光学图像光学图像 电信号电信号 把入射到传感器光敏面上按空间分布把入射到传感器光敏面上按空间分布的的光强信息光强信息(可见光、红外辐射等),转(可见光、红外辐射等),转换为按时序串行输出的电信号换为按时序串行输出的电
5、信号 视频信视频信号号。其视频信号能。其视频信号能再现入射的光辐射图像再现入射的光辐射图像。 转换转换固体摄像器件主要有三大类:固体摄像器件主要有三大类:电荷耦合器件电荷耦合器件(Charge Coupled Device,即,即CCD)互补金属氧化物半导体图像传感器互补金属氧化物半导体图像传感器(即(即CMOS)电荷注入器件电荷注入器件(Charge Injenction Device, 即即CID) 目前,目前,前两种前两种用得较多,我们这里主要分析用得较多,我们这里主要分析 CCD一种。一种。注:注:CCD是集成在半导体单晶材料上,而是集成在半导体单晶材料上,而CMOS是集成在被称做金属
6、氧化物的半导体材是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上料上 ,工作原理上没有区别。工作原理上没有区别。6.2 固体摄像器件分类及性能固体摄像器件分类及性能具有固体器件所有优点;具有固体器件所有优点;自扫自扫描输出方式描输出方式消除了电子束扫描消除了电子束扫描造成的图像光电转换的非线性造成的图像光电转换的非线性失真,体积、重量、功耗和制失真,体积、重量、功耗和制造成本是电子束摄像管无法达造成本是电子束摄像管无法达到的。到的。CCD图像传感器的诞生和发展使人们进入了更为图像传感器的诞生和发展使人们进入了更为广泛应用图像传感器的新时代。广泛应用图像传感器的新时代。6.2 固体摄像器件分类及性能固体摄
7、像器件分类及性能Fig.1贝尔实验室贝尔实验室George Smith和和Willard Boyle将可视将可视电话和半导体存储技术结合电话和半导体存储技术结合发明了发明了CCD原型原型2009年诺贝尔奖物理学奖得主年诺贝尔奖物理学奖得主6.2 固体摄像器件分类及性能固体摄像器件分类及性能l瑞典皇家科学院瑞典皇家科学院6日宣布,美国科学家威拉德日宣布,美国科学家威拉德博伊尔和乔治博伊尔和乔治史密斯因史密斯因发明电荷耦合器件(发明电荷耦合器件(CCD)图像传感器而与)图像传感器而与“光纤之父光纤之父”高锟一同获高锟一同获得得2009年诺贝尔物理学奖。年诺贝尔物理学奖。l评委会赞扬博伊尔与史密斯评
8、委会赞扬博伊尔与史密斯1969年第一次成功地发明了数字成像技术,年第一次成功地发明了数字成像技术,工作于贝尔实验室的他们设计了一种影像传感器,可以将光在短时间工作于贝尔实验室的他们设计了一种影像传感器,可以将光在短时间内转化为像素,为摄影技术带来内转化为像素,为摄影技术带来“革命化革命化”变革。变革。“没有没有CCD,数码,数码相机的发展将更为缓慢。没有相机的发展将更为缓慢。没有CCD,我们就不会看到哈勃太空望远镜,我们就不会看到哈勃太空望远镜拍摄的令人诧异的图片,也不会看到我们的邻居火星上的红色沙漠图拍摄的令人诧异的图片,也不会看到我们的邻居火星上的红色沙漠图像。像。”评委会说。评委会说。1
9、66.2 固体摄像器件分类及性能固体摄像器件分类及性能19691969年,由美国的贝尔研究室所开发出来的。年,由美国的贝尔研究室所开发出来的。同年,日本的同年,日本的SONYSONY公司也公司也开始研究开始研究CCDCCD。19731973年年1 1月,月,SONYSONY中研所发表第一个以中研所发表第一个以9696个图素并以线性感知的二次元个图素并以线性感知的二次元影像传感器影像传感器8H8H* *8V (648V (64图素图素) FT) FT方式三相方式三相CCDCCD。19741974年年6 6月,彩色影像用的月,彩色影像用的FTFT方式方式32H32H* *64V CCD64V CC
10、D研究成功了。研究成功了。19761976年年8 8月,完成实验室第一支摄影机的开发。月,完成实验室第一支摄影机的开发。19801980年,年,SONY SONY 发表全世界第一个商品化的发表全世界第一个商品化的CCDCCD摄影机摄影机 ( (编号编号XC-1) XC-1) 。19811981年,发表了年,发表了2828万个图素的万个图素的 CCD (CCD (电子式稳定摄影机电子式稳定摄影机MABIKA)MABIKA)。19831983年,年,1919万个图素的万个图素的ITIT方式方式CCDCCD量产成功。量产成功。19841984年,发表了低污点高分辨率的年,发表了低污点高分辨率的CCD
11、CCD。19871987年,年,1/2 inch 251/2 inch 25万图素的万图素的 CCDCCD,在市面上销售。,在市面上销售。同年,发表同年,发表2/3 inch 382/3 inch 38万图素的万图素的CCDCCD,且在市面上销售。,且在市面上销售。19901990年年7 7月,诞生了全世界第一台月,诞生了全世界第一台 V8V8。CCDCCD发展史发展史6.2 固体摄像器件分类及性能固体摄像器件分类及性能6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 CCDCCD(Charge Coupled DeviceCharge Coupled Device), ,是是7070年代初发展起
12、来的新型半导体光电成像器件年代初发展起来的新型半导体光电成像器件。 30多年来,多年来, CCD技术已广泛的应用于技术已广泛的应用于信号处理、数字存储及影像传感等领域。信号处理、数字存储及影像传感等领域。 其中,其中,CCD技术在技术在影像传感影像传感中的应用最为广中的应用最为广泛,已成为现代光电子学和测试技术中最活跃、泛,已成为现代光电子学和测试技术中最活跃、最富有成果的领域之一。最富有成果的领域之一。CCD的的特点特点: 以以电荷电荷作为信号作为信号。CCD的的基本功能基本功能: 电荷电荷存储存储和电荷和电荷转移转移。CCD工作过程工作过程: 信号电荷的信号电荷的产生产生、存储存储、传传输
13、输和和检测检测的过程的过程。 6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 1、CCD的基本结构:的基本结构: (1)输入部分:输入部分: 输入二极管(输入二极管(ID / Input diaode)、)、 输入栅(输入栅(IG / Input Grid)一、电荷耦合器件的基本原理一、电荷耦合器件的基本原理 6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 (2)MOSMOS结构部分:结构部分: a. 以以P型或型或N型硅半导体为型硅半导体为衬底衬底。 (本文以(本文以P型硅型硅为例)为例) b. 在衬底上生长一层厚度为零点几个微米的在衬底上生长一层厚
14、度为零点几个微米的二二氧化硅层氧化硅层。 c. 然后按一定的次序沉淀然后按一定的次序沉淀N个金属电极或多晶个金属电极或多晶硅电极,作为硅电极,作为栅极栅极。(。(栅极间的间距为2.5个微米,中心距离为15-20个微米) 于是,每个电极与其下方的二氧化硅和半导体之间就构成了一个 金属金属-氧化物氧化物-半导体半导体(Metal - Oxide - Semiconductor )结构, 即MOS结构。(3) 输出部分输出部分:将电荷信号转换为电压或电流信号l 输出栅(OG/ Output diaode)l 输出二极管 (OD / Output Grid)6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件
15、 输入栅输入栅输 入 二 极输 入 二 极管管输出栅输出二极管图6.3 CCD的结构简图栅栅 极极金属 M氧化物 O半导体 SP- Si / N Si 6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 l)的输入部分()电注入:当用于信息存储或信息处理时,通过输入端注入与信号成正比的电荷。有两种方式,电流注入法和电压注入法。如图.() 所示为电流注入法结构,如图.()所示为电压注入法结构。6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 l()光注入:当用于拍摄光学图像时,把按照照度分布的光学图像通过光电转换转化为电荷分布,然后由输入部分注入。l相机采用的就是光注入,如图.所示。6.2.1 电荷耦合摄
16、像器件电荷耦合摄像器件 l式中,为材料的量子效率;为电子电荷量;为入射光的光子流速率;为光敏单元的受光面积;为光的注入时间。图6.6 MOS的基本结构6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 )结构部分)结构部分电容器是构成的最基本单元,它是金属氧化物半导体()器件中结构最为简单的。以衬底为型硅构成的电容为例。在半导体型硅为衬底的表面上用氧化的办法生成一层厚度为的二氧化硅(),再在二氧化硅表面蒸镀一层金属(如铝),在衬底和金属电极间加上偏置电压,就构成了一个电容器。结构如图.所示。三、三、CCD的基本功能的基本功能 包括:电荷的产生、存储、转移和输出。l1、电荷的产生电荷的产生: 电荷的产
17、生方法主要分为:光注入和电注入。l(1)电注入电注入:当当CCDCCD用作信息存贮或信息处理时用作信息存贮或信息处理时,通过输入端注入与信号成正比的电荷。l(2)光注入光注入:当当CCDCCD用作拍摄光学图像时用作拍摄光学图像时,把按照照度分布的光学图像通过光电转换成为电荷分布,然后由输入部分注入。 CCD相机就是采用光注入。6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 1、电荷的产生电荷的产生:信号电荷的产生(示意图)金属电极氧化物半导体e-e-e-e-e-e-e-光生电子入射光MOSMOS电容器电容器2 2、电荷存储、电荷存储 以衬底为以衬底为P型硅构成的型硅构成的MOS电容为为例。电容为
18、为例。 (1)当向栅极施加一定当向栅极施加一定较小较小的的正向电压正向电压时时, P型硅中的空穴被排斥,产生型硅中的空穴被排斥,产生耗尽区耗尽区。 (2)当栅极的正向电压大于半导体的域值电压时,当栅极的正向电压大于半导体的域值电压时, 半导体与绝缘体界面上的电势变高,以致于将半导体与绝缘体界面上的电势变高,以致于将半导体体内的半导体体内的电子(少数载流子)吸引到表面电子(少数载流子)吸引到表面,形成,形成有一定宽度的可存储电子的有一定宽度的可存储电子的势阱势阱。6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 v 当金属电极上加正电压时,由于电场作用,电极下P型硅区里空穴被排斥入地成耗尽区。对电子
19、而言,是一势能很低的区域,称“势阱”。有光线入射到硅片上时,光子作用下产生电子空穴对,空穴被电场作用排斥出耗尽区,而电子被附近势阱(俘获)。2 2、电荷存储、电荷存储 电极上所加的电压越高,势阱越深,电荷留在阱内量越多。只要电压存在,电子就能储存在势阱里。由于绝缘氧化物层使得电子不能穿过而到达电极,因此存贮在势阱里的电子形成了电荷包,其电荷量的多少与光照强度及照射时间成正比,于是所有电极下的电荷包就组成了与景物相对应的电荷像。 信号电荷的存储(示意图)e-e-势阱势阱入射光MOSMOS电容器电容器+UGe-e-e-e-e-e-+Uthe- e-势阱势阱入射光MOSMOS电容器电容器+UGe-e
20、-e- e-e-e-+UthUG Uth 时光滴光滴小桶小桶光敏元光敏元CCD 的工作过程的工作过程1. 有一个光电转换装置把入射到每一个感光像素上的光子转化为有一个光电转换装置把入射到每一个感光像素上的光子转化为电荷。电荷。CCD 的工作过程的工作过程2. 这些电荷可以被储存起来。这些电荷可以被储存起来。这一过程存在着以下问题: 当一个像素聚集过多的电荷后,就会出现电荷溢出 溢出的电荷会跑到相临的像素势阱里去。这样电量 就不能如实反映原物。要避免这种情况发生的方法:A 把桶做大些 B 减少测量时间C 把满的水倒出一些D 做个导流管,让溢出的水流到地上去,不要流到其他 桶里 对应的方法:对应的
21、方法:l由此可见,增大像素尺寸是最简单有效的做法。水桶水桶CCD芯片芯片缺点缺点把桶做大增大单位像素尺寸减少测量时间缩短曝光时间对于暗的部分曝光不足把满的水桶到出一些间歇开关时钟电压降低速度做个导流管溢出沟道和溢出门制作复杂,且还有缺陷 当一个CCD芯片感光完毕后,每个像素所转换的电荷包就按照一行的方向转移出CCD感光区域,以为下一次感光释放空间。3、电荷转移、电荷转移6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 为实现信号电荷的转换: 1、必须使MOS电容阵列的排列足够紧密,以致相邻MOS电容的势阱相互沟通,即相互耦合。2、控制相邻MOS电容栅极电压高低调节势阱深浅,使信号电荷由势阱浅处流向
22、势阱深处。3、在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。 CCD 的工作过程的工作过程3. 电荷可以被有秩序地转移出感光区域。电荷可以被有秩序地转移出感光区域。3、电荷转移、电荷转移 通过按照一定的时序在电极上施加高低电压,使通过按照一定的时序在电极上施加高低电压,使电荷在相邻的势阱间进行转移。电荷在相邻的势阱间进行转移。 通常把通常把CCD的的电极分为几组电极分为几组,每一组称为一相,每一组称为一相,并施加同样的时钟脉冲。并施加同样的时钟脉冲。 按相数可分为:二相按相数可分为:二相CCD、三相、三相CCD、四相、四相CCD等。等。 对于单层金属化电极结构,为了保证电荷的定向对于单层金属化电极结
23、构,为了保证电荷的定向转移,至少需要三相。这里以转移,至少需要三相。这里以三相表面沟道三相表面沟道CCD为例。为例。6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 3、电荷转移、电荷转移6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 表面沟道器件,即表面沟道器件,即 SCCD(Surface Channel CCD)转移沟道在界面的转移沟道在界面的CCD器件。器件。 6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 lt1: 时钟驱动线1为高电平,由外界注入的信号电荷被存储于 1电极下表面的势阱中;lt 4:时钟驱动线 1为低电平,时钟驱动线 2为高电平,
24、信号电荷被存储于 2电极下表面的势阱中 l从而使信号电荷可控地一位一位地按顺序传输,这就是所谓的电荷藕荷。6.2.1 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 如何实现电荷定向转移呢?如何实现电荷定向转移呢?下面以三相控制方式为下面以三相控制方式为例说明控制电荷定向转移的过程。例说明控制电荷定向转移的过程。 P1 P1 P2 P2 P3 P3t P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3P1P1P2P2P3P3(a)123t0t1t2t3(b)电荷转移过程电荷转移过程t=t0t=t1t=t2t=t30电荷包转移驱动脉冲 像元Pn 转移方向 像元Pn+1像元Pn+26.2.1
25、 电荷耦合摄像器件电荷耦合摄像器件 CCD工作过程的第四步是电荷的检测,就是将转移到输出极的电荷转化为电流或者电压的过程。 输出类型,主要有以下三种: 1)电流输出 2)浮置栅放大器输出 3)浮置扩散放大器输出 (4 4)信号电荷的检测)信号电荷的检测 CCD 的工作过程的工作过程4. 信号电荷输出,转化成电流或电压信号。信号电荷输出,转化成电流或电压信号。背照明光输入背照明光输入1电荷生成电荷生成2电荷存储电荷存储3电荷转移电荷转移复位输出4电荷检测电荷检测半导体半导体 CCD传感器传感器二、电荷耦合摄像器件的工作原理二、电荷耦合摄像器件的工作原理 CCD的电荷存储、转移的概念 + 半导体的
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