MOS集成电路工艺入门资料课件.ppt
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- 关 键 词:
- MOS 集成电路 工艺 入门 资料 课件
- 资源描述:
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1、.1IC常用术语园片:硅片芯片(Chip, Die):6、8 :硅(园)片直径:1 25.4mm6150mm; 8200mm; 12300mm; 亚微米1m的设计规范深亚微米 0反型层 沟道源(Source)S漏(Drain)D栅(Gate)G栅氧化层厚度:50埃1000埃(5nm100nm)VT阈值电压电压控制N N沟沟MOSMOS(NMOSNMOS) P型衬底,受主杂质; 栅上加正电压,表面吸引电子,反型,电子通道; 漏加正电压,电子从源区经N沟道到达漏区,器件开通。.6N衬底p+p+漏源栅栅氧化层场氧化层沟道P P沟沟MOSMOS(PMOSPMOS)GDSVTVGSID+-VDS 0 N
2、型衬底,施主杂质,电子导电; 栅上加负电压,表面吸引空穴,反型,空穴通道; 漏加负电压,空穴从源区经P沟道到达漏区,器件开通。.7CMOS CMOS:Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互补对称金属氧化物半导体特点:低功耗VSSVDDVoViCMOS倒相器PMOSNMOSI/OI/OVDDVSSCCCMOS传输门.8N-SiP+P+n+n+P-阱DDVoVGVSSSSVDDCMOS倒相器截面图CMOS倒相器版图.9pwellactivepolyN+ implantP+ implantomicontactmetalA NMOS Exa
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