扫描隧道显微术的应用课件.ppt

1、)10760(101035Torrpa)1010(1010313Torrpa)1010(10108361Torrpa)1010(1010128106Torrpa)10(101210Torrpa三、薄膜材料的制备 薄膜制备方法有很多种,如液相制备方法、电化学制备方法等，直接制备薄膜以气相沉积为主.包括： 化学气相沉积（ CVD) 借助空间气相化学反应在衬底表面上沉积固态薄膜。 物理气相沉积（ PVD) 用物理方法(如电弧、高频或等离子等高温热源）将源物质转移到气相中，在衬底表面上沉积固态薄膜。包括真空蒸发、真空溅射等。42 真空系统(DM300镀膜机) 蒸发源材料和镀膜材料的选择搭配原则蒸发源材

2、料和镀膜材料的选择搭配原则（1） 蒸发源有良好的热稳定性，化学性质不活泼，达到蒸发温度时加热器本身的蒸汽压要足够低。（2） 蒸发源的熔点要高于被蒸发物的蒸发温度。加热器要有足够大的热容量。（3） 蒸发物质和蒸发源材料的互熔性必须很差，不易形成合金。（4） 要求线圈状蒸发源所用材料能与蒸发材料有良好的浸润，有较大的表面张力。（5） 对于不易制成丝状、或蒸发材料与丝状蒸发源的表面张力较小时，可采用舟状蒸发源。五、薄膜厚度的计算：在真空中气体分子的平均自由程为：L = 0.65 / p (cm)，其中p的单位是Pa。当p = 1.310-3Pa时，L500 cm。L基片到蒸发源的距离，分子作直线运动。右图为蒸发源与任意接收面之间的几何关系。dmdm4dsrmdm2cos4dstdm. .24cosrmt24cosrmt,cosrh222hr2/322)(4hmht2014hmt02t待测薄膜基片nmm53053. 0Amt 谢谢谢谢