集成电路制造技术要点课件.ppt

1、12教材与参考书、考核教材与参考书、考核n教材：教材：王蔚王蔚 微电子制造技术微电子制造技术-原理与工艺原理与工艺（修订版）电子工业出版社（修订版）电子工业出版社 20132013n参考书：参考书：关旭东关旭东 硅集成电路工艺基础硅集成电路工艺基础北京大北京大学出版学出版 20032003n清华大学清华大学集成电路工艺集成电路工艺多媒体教学课件多媒体教学课件 20012001nStephen A. C.Stephen A. C.微电子制造科学原理与工程技术微电子制造科学原理与工程技术电子工业出版社，电子工业出版社，20032003n考核方式：考核方式：考勤考勤20+20+作业作业10+10+考

2、试（闭卷）考试（闭卷）7070第第0 0章章 绪论绪论n1. 1. 引言引言n2 2、集成电路的历史、集成电路的历史n3. 3. 何为集成电路何为集成电路 n4. 4. 微电子工艺特点与基本工艺流程微电子工艺特点与基本工艺流程 41 1、为什么要学习本课程？、为什么要学习本课程？2 2、本课程内容结构？、本课程内容结构？3 3、本课程学习目的？、本课程学习目的？4 4、如何学习本课程？、如何学习本课程？第第0 0章章 绪论绪论一、引言一、引言为什么要学习本课程？5集成电集成电路应用路应用6半导体产业结构半导体产业结构7我国集成电路产业在世界中的地位1、中国目前进口第一多的商品不是原油，是芯片，

3、一、中国目前进口第一多的商品不是原油，是芯片，一年进口年进口2500亿美元。亿美元。2、我国集成电路产业处在世界的中下端，属于集成电、我国集成电路产业处在世界的中下端，属于集成电路消费大国、制造大国，粗放型、高投入、低利润。路消费大国、制造大国，粗放型、高投入、低利润。3、缺少高端设计，设备主要被国外垄断。、缺少高端设计，设备主要被国外垄断。4、集成电路产业是国家的命脉，走到了危险的边缘，、集成电路产业是国家的命脉，走到了危险的边缘，不能再继续落后下去。不能再继续落后下去。81 1、集成电路定位、集成电路定位 它是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性它是信息技术

4、产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，当前和今后一段时期是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和攻坚和先导性产业，当前和今后一段时期是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和攻坚期。期。2 2、发展目标、发展目标 到到2015年，年，集成电路产业销售超3500亿元。移动智能终端、网络通信等部分重点领域集成电路设计技术接近国际一流水平。32/28纳米（nm）制造工艺实现规模量产，中高端封装测试销售收入占封装测试业总收入比例达到30%以上，65-45nm关键设备和12英寸硅片等关键材料在生产线上得到应用。 到到2020年，年，全行业销售收入年均增速超过20%，移动

5、智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平，16/14nm制造工艺实现规模量产，封装测试技术达到国际领先水平，关键装备和材料进入国际采购体系。 到到2030年，年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。 2014年年6月，月，国家集成电路产业发展推进纲要国家集成电路产业发展推进纲要92014年年6月，月，国家集成电路产业发展推进纲要国家集成电路产业发展推进纲要3 3、主要任务和发展重点、主要任务和发展重点 加速发展集成电路制造业，加速发展集成电路制造业，加快45/40nm芯片产能扩充，加紧32/28nm芯片生产

6、线建设，加快立体工艺开发，推动22/20nm、16/14nm芯片生产线建设。大力发展模拟及数模混合电路、微机电系统（MEMS）、高压电路、射频电路等特色专用工艺生产线；突破集成电路关键装备和材料。突破集成电路关键装备和材料。4 4、保障措施、保障措施 成立国家集成电路产业发展领导小组，成立国家集成电路产业发展领导小组，国务院副总理马凯马凯任组长，工业化信息化部部长苗圩苗圩任副组长。 设立国家产业投资基金，设立国家产业投资基金，已成功吸引了金融机构、民营企业等各方出资，募资已超1000亿；已向紫光集团投资合计300亿元。 加大金融支持力度。加大金融支持力度。 加大人才培养和引进力度。加大人才培养

7、和引进力度。 产业现状-全球102018-2014全球集成电路市场规模及增速1、2014年全球半导体市场规模达到年全球半导体市场规模达到3331亿美元，同比增长亿美元，同比增长9%，为近四年增速之最。，为近四年增速之最。2、从产业链结构看。制造业、从产业链结构看。制造业、IC设计业、封装和测试业分别占全球半导体产业整体营业收设计业、封装和测试业分别占全球半导体产业整体营业收入的入的50%、27%、和、和23%。3、从产品结构看。模拟芯片、处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片、从产品结构看。模拟芯片、处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片2014年销售额分别年销售额分别442.1亿美元、亿美元、622.1亿美

8、元、亿美元、859.3亿美元和亿美元和786.1亿美元，分别占全球集成电路市场份额的亿美元，分别占全球集成电路市场份额的16.1%、22.6%、32.6%和和28.6%。技术现状-全球年代年代1985年年1988年年1991年年1994年年1997年年2000年年集成度集成度1M4M16M64M256M1G最小最小线宽线宽1.250.80.60.50.350.18光刻光刻技术技术光学曝光光学曝光准分子准分子电子束电子束电子束电子束X射线射线（电子束）（电子束）年代年代2001年年2003年年2005年年2007年年2009年年2012年年2014年年最小最小线宽线宽0.13um90nm65nm

9、45nm32nm22nm14/16nmIntel首款14nm处理器第五代Core处理器问世（2015-1-6） 第五代第五代Core处理器平台电晶体处理器平台电晶体(Transistor)数量比第四代数量比第四代Core加加35%，但尺寸却缩减，但尺寸却缩减37%;此外，在此外，在3D图像处理性能、影片转码速度、电池续航力、整体性能等评比项目，第五代图像处理性能、影片转码速度、电池续航力、整体性能等评比项目，第五代Core处理处理器平台都较前一代产品分别提升器平台都较前一代产品分别提升22%、50%、40%以及以及1.5小时的表现。小时的表现。12集成电路产业发展白皮书集成电路产业发展白皮书(

10、2015版版)世界创新三大重点：世界创新三大重点：一是一是14nm FinFET工艺芯片正式进入市场，英特尔公司在工艺芯片正式进入市场，英特尔公司在22nm的的FinFET结构三结构三栅晶体管技术及栅晶体管技术及IBM和意法半导体公司的和意法半导体公司的22nm制程节点中采用的制程节点中采用的FD-SOI全耗尽技全耗尽技术。术。二是二是3D-NAND存储技术存储技术走向走向商用。商用。三是可穿戴市场推动无线充电技术走向成熟。无线充电技术已经成为业界三是可穿戴市场推动无线充电技术走向成熟。无线充电技术已经成为业界“抢攻抢攻”的重点。的重点。五大展望：五大展望：一是产业规模持续增大，市场引领全球增

11、长。一是产业规模持续增大，市场引领全球增长。二是细分三业齐头并进，产业结构日趋合理。二是细分三业齐头并进，产业结构日趋合理。三是技术水平持续提升，国际差距逐步缩小。三是技术水平持续提升，国际差距逐步缩小。四是国内企业实力倍增，有望洗牌全球格局。四是国内企业实力倍增，有望洗牌全球格局。五是政策环境日趋向好，基金引领投资热潮。五是政策环境日趋向好，基金引领投资热潮。13产业现状-中国2011-2014年我国集成电路产业销售规模及增长情况1、2014年我国集成电路产业销售收入达年我国集成电路产业销售收入达3015.4亿元，同比增长亿元，同比增长20.2%，增速较，增速较2013年提高年提高4个百分点

12、。个百分点。2、从产业链结构看。、从产业链结构看。2014年集成电路产业中，设计的销售额为年集成电路产业中，设计的销售额为1047.4亿元，同比增长亿元，同比增长29.5%;芯片制造业销售收额芯片制造业销售收额712.1亿元，同比增长亿元，同比增长18.5%;封装测试封装测试业销售额业销售额1255.9亿亿元，同比增长元，同比增长14.3%。3、通信和、通信和消费电子消费电子是我国集成电路最主要的应用市场，合计共占整体市场的是我国集成电路最主要的应用市场，合计共占整体市场的48.9%。计算机类集成电路市场份额进一步下滑，同比下滑达计算机类集成电路市场份额进一步下滑，同比下滑达13.28%。20

13、15中国集成电路产业发展十大趋势1、中国、中国IC市场仍将引领全球增长。市场仍将引领全球增长。2014年中国集成电路市场规模超过1万亿元2、中国、中国IC企业开始步入全球第一梯队。企业开始步入全球第一梯队。海思2有望跻身全fablessTop10；紫光集团收购展讯和锐迪科，并获得英特尔入股之后，成为国内IC企业的巨头；长电科技联合国家集成电路产业投资基金股份有限公司、中芯国际子公司芯电上海共同出资收购全球第四大半导体封装测试企业新加坡星科金朋。3、产业基金引领、产业基金引领IC产业投资热潮。产业投资热潮。国家集成电路产业基金一期预计总规模已达1387.2亿元，实现超募187.2亿元，重点投资芯

14、片制造业，未来10年将拉动5万亿元资金投入到芯片产业。4、中国将成为、中国将成为12寸寸IC生产线全球投资热点区域。生产线全球投资热点区域。国内中芯国际和华力微电子等代工厂急需扩充产能，建设新的12寸晶圆厂。5、12寸晶圆将正式实现寸晶圆将正式实现“Made in China”。6、中国集成电路制造工艺将跻身国际主流水平。目前国际主流制造工艺为、中国集成电路制造工艺将跻身国际主流水平。目前国际主流制造工艺为28nm工艺，占工艺，占据了约四成的市场份额，中芯国际的据了约四成的市场份额，中芯国际的28nm制造工艺已经量产。制造工艺已经量产。7、4G“中国芯中国芯”将取得重大突破。将取得重大突破。8

15、、芯片国产化替代进程将在多行业取得突破、芯片国产化替代进程将在多行业取得突破2014年，国产芯片在多个行业应用中取得了年，国产芯片在多个行业应用中取得了突破。突破。9、智能终端与汽车电子仍将是推动中国、智能终端与汽车电子仍将是推动中国IC市场发展的主要动力。市场发展的主要动力。10、趋势十：、趋势十：IC行业的专利争夺将愈加激烈。行业的专利争夺将愈加激烈。15产业现状-重庆 集成电路：集成电路：2015年，我省十大新兴产业首位，目前，年，我省十大新兴产业首位，目前，已经初具规模。已经初具规模。 上世纪上世纪5050年代，我国的集成电路正是从重庆开始起步，位于重庆研究年代，我国的集成电路正是从重

16、庆开始起步，位于重庆研究所成功研制出国内的第所成功研制出国内的第1 1片集成电路芯片，这个研究所正是位于南岸区的光片集成电路芯片，这个研究所正是位于南岸区的光电路上，光电路得名由此而来。电路上，光电路得名由此而来。 直到直到20042004年前后，首先是台湾茂德科技最终落户重庆，建设集成电路年前后，首先是台湾茂德科技最终落户重庆，建设集成电路芯片生产基地；随后，市政府成立芯片生产基地；随后，市政府成立“811811”领导小组和指挥部，在沙坪坝区领导小组和指挥部，在沙坪坝区西永建立微电子园区，重点扶持茂德，西永建立微电子园区，重点扶持茂德，20062006年茂德科技在渝成立全资子公年茂德科技在渝

17、成立全资子公司，渝德科技。司，渝德科技。 如今，渝德科技被中航集团收购，更名为中航微电子。我市已有西南如今，渝德科技被中航集团收购，更名为中航微电子。我市已有西南集成电路、中航微电子、奥特斯集成电路基板、台晶（重庆）电子、重庆集成电路、中航微电子、奥特斯集成电路基板、台晶（重庆）电子、重庆石墨烯科技公司、石墨烯科技公司、SKSK海力士、中电海力士、中电2424所、四联微电子等集成电路生产和研所、四联微电子等集成电路生产和研发机构，形成了设计发机构，形成了设计- -制造制造- -封装的完备产业链，重庆大学和重庆邮电大学封装的完备产业链，重庆大学和重庆邮电大学成立了半导体学院培养集成电路人才。成立

18、了半导体学院培养集成电路人才。16本课程内容结构？本课程内容结构？集成电路制造技术集成电路制造技术原理与工艺原理与工艺硅材料硅材料集成电路工艺集成电路工艺集成和封装测试集成和封装测试第第1单元单元第第2、3、4单元单元第第5单元单元1 单晶硅结单晶硅结构构2 硅锭及圆硅锭及圆片制备片制备3 外延外延12 金属化与金属化与多层互连多层互连13 工艺集工艺集成成14 测试封测试封装装4 氧化氧化5 扩散扩散6 离子注离子注入入7 CVD8 PVD9 光刻光刻10 现代光现代光刻技术刻技术11 刻蚀刻蚀17本课程学习目的？本课程学习目的？1、掌握集成电路工艺设计、工艺集成流程。、掌握集成电路工艺设计

19、、工艺集成流程。2、清楚各种工艺设备及各工艺环节。、清楚各种工艺设备及各工艺环节。3、了解集成电路产业和技术发展。、了解集成电路产业和技术发展。4、了解集成电路封装和电学测试。、了解集成电路封装和电学测试。18如何学习本课程？如何学习本课程？1、这是一门工程学科，不是理论基础课程。、这是一门工程学科，不是理论基础课程。2、更多关注领域前沿，结合实际应用学习。、更多关注领域前沿，结合实际应用学习。19n18331833年，年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。

20、这是半导体现象的首次发现。n18741874年，年，电报机、电话和无线电相继发明等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业电子业的诞生。 2 2、集成电路的历史、集成电路的历史1947年：美国贝尔实验室的约翰年：美国贝尔实验室的约翰巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； 1950年：结型晶体管诞生1950年： R Ohl和肖克莱发明了离子注入工艺；1951年：场效应晶体管发明；1956年：C S Fuller发明了扩散工艺。1956年三人共同获得诺贝尔物理奖年三人共同获得诺贝尔物理奖 1958年

21、：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管。 19631963年：年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺 1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍 1966 1966年：年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义

22、19711971年：年：IntelIntel推出推出1kb1kb动态随机存储器（动态随机存储器（DRAMDRAM），标志），标志着大规模集成电路出现；着大规模集成电路出现；1971年：年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，这是一个里程碑式的发明；1978年：年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；19791979年：年：IntelIntel推出推出5MHz 80885MHz 8088微处理器，之后，微处理器，之后，IBMIBM基基 于于80888088推出全球第一台推出全球第一台PCPC1985

23、年：80386微处理器问世，20MHz1988年：16MDRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段1989年：486微处理器推出，25MHz，1m工艺，后来50MHz芯片采用0.8m工艺19931993年：年：66MHz66MHz奔腾处理器推出，采用奔腾处理器推出，采用0.6m0.6m艺艺1995年年-2003年：年：1995年，PentiumPro,133MHz，采用0.6-0.35m工艺；1997年：300MHz奔腾问世，采用0.25m工艺；1999年：奔腾问世，450MHz，采用0.25m工艺，后采用0.18m工艺；2000年

24、：1GbRAM投放市场；2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18m工艺；2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13m工；2003年：奔腾4E系列推出，采用90nm工艺2005年：年：intel 酷睿酷睿2系列上市，采用系列上市，采用65nm工艺工艺2007年：基于全新年：基于全新45纳米纳米High-K工艺的工艺的intel酷睿酷睿2 E7/E8/E9上上市市2009年：年：intel酷睿酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳纳米工艺，并且下一代米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发纳米工艺正在研发 2012年：年：Intel发布代号

25、为发布代号为“Ivy Bridge”的第三代的第三代Core i系列，首次将系列，首次将CPU制作工艺提升到制作工艺提升到22nm。命名为命名为Core i7 3770K。2014年：英特尔年：英特尔(Intel)首款首款14纳米纳米(nm)处理器处理器-第五代酷睿第五代酷睿(Core)正式问世。正式问世。2015年半导体业将年半导体业将迈入迈入14/16纳米制程世代，英特尔为抢占先机。纳米制程世代，英特尔为抢占先机。253 3、何为集成电路工艺、何为集成电路工艺集成电路集成电路集成电路设计（包括：（包括：模拟电路设计、数字电路 设计）集成电路制造集成电路制造（包括：材料、清洗、掺杂、扩散、（

26、包括：材料、清洗、掺杂、扩散、 薄膜、光刻、金属互联、刻蚀等）薄膜、光刻、金属互联、刻蚀等）集成电路测试、封装及应用 （工艺检测、芯片封装、电学测试 可靠性分析等等）微电子产品：微电子产品：半导体分离器件和集成电路（半导体分离器件和集成电路（90%）集成电路（集成电路（integrated circuit）：是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。集成电路工艺（微电子工艺）：集成电路工艺（微电子工艺）： 狭义讲是指在半导体硅片上制造

27、出集成电路或分立器件的芯片结构，这20-30各工艺步骤的工作、方法和技术即为芯片制造工艺； 广义的讲，包含半导体集成电路和分立器件芯片制造及测试封装的工作、方法和技术。集成电路工艺是微电子学中最基础、最主要的研究领域之一。 不同产品芯片的制造工艺就是将多个单项工艺按照需要以一定顺序进行排列，称为该产不同产品芯片的制造工艺就是将多个单项工艺按照需要以一定顺序进行排列，称为该产品的工艺流程。品的工艺流程。27微电子工业生产过程图微电子工业生产过程图前工艺：微电子产前工艺：微电子产品制造的特有工艺品制造的特有工艺 后工艺后工艺300mm（12英寸）英寸）waferCMOS结构结构32n超净 环境、操

28、作者、工艺三方面的超净，如超净室，ULSI在100级超净室制作，超净台达10级。n超纯 指所用材料方面，如衬底材料、功能性电子材料、水、气等； Si、Ge单晶纯度达11个9。n高技术含量 设备先进，技术先进。n高精度 光刻图形的最小线条尺寸在深亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。n大批量，低成本 图形转移技术使之得以实现。集成电路制造技术特点-超净室超净室 这些微小颗粒的主要问题是在空气中长时间漂浮。而洁净工作室的洁净度就是由空气中的微粒大小和微粒含量决定的。 美国联邦标准209E规定空气质量由区域空气级别数来决定的。标准按两种方法设定，一是颗粒的大小，二是颗粒

29、的密度。 而级别数是指在一立方英尺中含有直径为0.5微米或更大的颗粒总数。 一般城市空气中通常包含烟、雾、气，每立方英尺多达500万个颗粒，所以是500万级。 超净室超净室35超净环境（超净间） 36超纯材料1、超纯的半导体材料，目前纯度已达到、超纯的半导体材料，目前纯度已达到99.99999999999%，即即11个个9，记为，记为11N.2、功能性电子材料（如：、功能性电子材料（如：Al、Au等金属）、掺杂用气体、外等金属）、掺杂用气体、外延气体等必须是高纯度材料。延气体等必须是高纯度材料。3、所用化学试剂、器皿、器具等的杂质含量必须低。、所用化学试剂、器皿、器具等的杂质含量必须低。4、芯

30、片清洗用水是高纯度的去离子水，一般用电阻率来表示、芯片清洗用水是高纯度的去离子水，一般用电阻率来表示.超大规模集成电路纯用水的电阻为超大规模集成电路纯用水的电阻为18M.cm，批量复制和广泛的用途一、更大的晶圆片面积、更小尺寸晶体管。一、更大的晶圆片面积、更小尺寸晶体管。一直在追求一直在追求高性价比：低成本、高质量高性价比：低成本、高质量 集成电路工艺是高可靠、高精度、低成本、集成电路工艺是高可靠、高精度、低成本、适合批量化大生产的工艺适合批量化大生产的工艺各项工艺技术的进步推动新的行业各项工艺技术的进步推动新的行业 MEMS和纳米技术和纳米技术IC测试厂测试厂硅原料硅原料拉拉 晶晶切切 割割

31、研研 磨磨清清 洗洗晶圆材料晶圆材料厂厂电路设计电路设计CADTape out电路设计电路设计公司公司Reticle 制作制作mask制制作厂作厂硅片投入硅片投入刻刻 号号清清 洗洗氧氧 化化化学气相化学气相沉积沉积金属溅镀金属溅镀护层沉积护层沉积蚀刻蚀刻离子离子注注入入/扩散扩散光阻去除光阻去除WAT测试测试微影微影(光阻光阻) (曝光曝光) (显影显影)mask投入投入集成电路集成电路制造厂制造厂硅片针测硅片针测IC测试测试Burn inIC封装厂封装厂封封 装装打打 线线切切 割割客客 户户IC制造流程芯片设计芯片设计晶圆制造晶圆制造芯片封装芯片封装芯片测试芯片测试芯片制造芯片制造光罩制

32、造光罩制造上游：上游：设计设计中游：中游：制造制造下游：下游：封测封测IC设计IC设计设计- EDA & IP（占（占IC产业链产值产业链产值30%）EDAIP EDA技术是在电子技术是在电子CAD技术基础上发展起来的计算机技术基础上发展起来的计算机软件系统，以计算机为工作平台，融合了应用电子技软件系统，以计算机为工作平台，融合了应用电子技术、计算机技术、信息处理及智能化技术的最新成果，术、计算机技术、信息处理及智能化技术的最新成果，进行电子产品的自动设计。进行电子产品的自动设计。 利用利用EDA工具，电子设计师可以从概念、算法、协议工具，电子设计师可以从概念、算法、协议等开始设计电子系统，并

33、将电子产品从电路设计、性等开始设计电子系统，并将电子产品从电路设计、性能分析到设计出能分析到设计出IC版图或版图或PCB版图的整个过程的计算版图的整个过程的计算机上自动处理完成。机上自动处理完成。IP是一种知识产权（是一种知识产权（Intellectual Property），各个），各个行业都有自己的知识产权，行业都有自己的知识产权， 半导体行业领域半导体行业领域IP我们理解为：硅知识产权（我们理解为：硅知识产权（Silicon Intellectual Property）也叫）也叫 “SIP” 或者或者 “硅智财硅智财”。IP是一种事先定义、设计、经验证、可重复使用的功是一种事先定义、设计

34、、经验证、可重复使用的功能模块。能模块。 全球全球3万人从业人万人从业人员，缔造员，缔造50亿美元亿美元年产值年产值-知识密知识密集型行业，处于技集型行业，处于技术前沿术前沿年产值年产值8亿美元，亿美元，成长率超成长率超40% -知识密集型行业知识密集型行业IC制造制造制造- 光罩光罩 & 晶圆晶圆 （占（占IC产业链产值产业链产值50%）MASKFoundry 光罩（英文：光罩（英文：Reticle, Mask）：在制作）：在制作IC的过程中，的过程中，利用光蚀刻技术，在半导体上形成图型，为将图型复利用光蚀刻技术，在半导体上形成图型，为将图型复制于晶圆上，必须透过光罩做用的原理制于晶圆上，必

35、须透过光罩做用的原理1。比如冲洗。比如冲洗照片时，利用底片将影像复制至相片上。照片时，利用底片将影像复制至相片上。 製作一套光罩的費用在數萬美元至數百萬美元均有。製作一套光罩的費用在數萬美元至數百萬美元均有。目前一款晶片至少需用到八層光罩，目前一款晶片至少需用到八層光罩，较为复杂的产品较为复杂的产品需用到二、三十層光罩。光罩數愈多，生產過程也愈需用到二、三十層光罩。光罩數愈多，生產過程也愈久。久。 晶圆代工是指向专业的集成电路设计公司提供专门晶圆代工是指向专业的集成电路设计公司提供专门的制造服务。这种经营模式使得设计公司不需要自的制造服务。这种经营模式使得设计公司不需要自己承担造价昂贵的厂房，

36、就能生产。这就意味着，己承担造价昂贵的厂房，就能生产。这就意味着，晶圆代工商将庞大的建厂风险分摊到广大的客户群晶圆代工商将庞大的建厂风险分摊到广大的客户群以及多样化的产品上，从而集中开发更先进的制造以及多样化的产品上，从而集中开发更先进的制造流程。流程。 资金密集型资金密集型资金密集型资金密集型知识密集型知识密集型IC封测成品成品- 封装封装 & 测试测试 （占（占IC产业链产值产业链产值20%）TESTAssembly 晶圆测试晶圆测试 晶圆测试为晶圆测试为IC后端的关键步骤，标有记号的不合格晶后端的关键步骤，标有记号的不合格晶粒会被洮汰，以免徒增制造成本。具承先起后的作用。粒会被洮汰，以免

37、徒增制造成本。具承先起后的作用。 IC成品测试成品测试 封装成型后的测试，目的是封装成型后的测试，目的是确认确认I C成品的功能、速成品的功能、速度、容忍度、电力消耗、热力发散等属性是否正常，度、容忍度、电力消耗、热力发散等属性是否正常，以确保以确保IC 出货前的品质。出货前的品质。 IC 封装是将前段制程加工完成之晶圆经切割、黏晶、封装是将前段制程加工完成之晶圆经切割、黏晶、焊线等过后被覆包装材料，以保护焊线等过后被覆包装材料，以保护IC 组件及易于装组件及易于装配应用，配应用，IC 封装主要有四大功能：封装主要有四大功能：1、电力传送、电力传送2、讯号传送：、讯号传送：3、热、热量量去除去

38、除4、静电静电保护保护测试并不须投入原测试并不须投入原料，无原料成本，料，无原料成本，但因设备投资金额但因设备投资金额大大，固定成本高。固定成本高。封装业因设备投资封装业因设备投资金额不大，原料金额不大，原料成本是制造成本的成本是制造成本的大宗，约占大宗，约占4 - 6成成左右左右。2022-5-30siliconsubstratesourcedrain绝缘氮化硅绝缘氮化硅源的金属接触源的金属接触栅的金属接触栅的金属接触漏的金属接触漏的金属接触多晶硅栅多晶硅栅场氧化层场氧化层栅氧化层栅氧化层MOSFET的工艺流程简介2022-5-30siliconsubstrate2022-5-30silic

39、onsubstratefieldoxide2022-5-302022-5-30siliconsubstrate工业用光刻机工业用光刻机实验室用光刻机实验室用光刻机2022-5-30ShadowonphotoresistExposedareaofphotoresistUltravioletLightsiliconsubstrate2022-5-30非感光区域非感光区域siliconsubstrate感光区域感光区域2022-5-30Shadow on photoresistsiliconsubstratephotoresist2022-5-30siliconsubstratesiliconsub

40、strate（4）腐蚀（）腐蚀（HF)2022-5-30siliconsubstratesiliconsubstratefieldoxide去胶去胶2022-5-30siliconsubstratethinoxidelayer2022-5-30siliconsubstrategateoxide（6）多晶硅生长）多晶硅生长气相外延设备气相外延设备2022-5-301.1.淀积多晶硅，用多晶硅栅极版图淀积多晶硅，用多晶硅栅极版图刻蚀多晶硅刻蚀多晶硅2.2.以多晶硅栅极图形为掩膜板，刻以多晶硅栅极图形为掩膜板，刻蚀氧化膜蚀氧化膜2022-5-30siliconsubstrategateultra-t

41、hingateoxidepolysilicongate2022-5-30siliconsubstrategatesourcedrain（7）离子注入）离子注入2022-5-30siliconsubstrategatesourcedraindopedsilicon2022-5-30siliconsubstratesourcedrain（8）绝缘层生长）绝缘层生长2022-5-30siliconsubstratecontactholesdrainsource（9）欧姆接触）欧姆接触 2022-5-30siliconsubstratecontactholesdrainsource2022-5-30完整的简单完整的简单MOS晶体管结构晶体管结构siliconsubstratesourcedraintopnitridemetalconnectiontosourcemetalconnectiontogatemetalconnectiontodrainpolysilicongatedopedsiliconfieldoxidegateoxide2022-5-30CMOSFETP型型sisubn+n+p+p+谢谢！谢谢！