[工学]第8章光刻胶电子科大mems课件.ppt

1、第第 8 8 章章 光刻胶光刻胶 一、光刻胶的类型一、光刻胶的类型 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为交联反应为主的光刻胶称为 ，简称，简称 。 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以降解反应为主的光刻胶称为降解反应为主的光刻胶称为 ，简称，简称 。 光刻胶也称为光刻胶也称为 （Photoresist，P. R.）。）。 灵敏度的定义灵敏度的定义 单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量或单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量

2、或最小电荷量（对电子束胶），称为光刻胶的灵敏度，记为最小电荷量（对电子束胶），称为光刻胶的灵敏度，记为 S ，也就是前面提到过的也就是前面提到过的 D100 。S 越小，则灵敏度越高。越小，则灵敏度越高。 灵敏度太低会影响生产效率，所以通常希望光刻胶有较高灵敏度太低会影响生产效率，所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。 灵敏度曲线（对比度曲线）灵敏度曲线（对比度曲线）1.00.50D0入射剂量入射剂量（C/ /cm2）未反应的归一化膜厚未反应的归一化膜厚D100 下面讨论分辨率与灵敏度的关系。当入射电子数为下面讨论分辨率与灵敏度的关系。

3、当入射电子数为 N 时，时，由于随机涨落，实际入射的电子数在由于随机涨落，实际入射的电子数在 范围内。为保证范围内。为保证出现最低剂量时不少于规定剂量的出现最低剂量时不少于规定剂量的 90%，也即，也即 。由此可得由此可得 。因此对于小尺寸曝光区，必须满足。因此对于小尺寸曝光区，必须满足NN%10NN100minN2minminminmin()10SWNqqNqWSS 光刻工艺中影响分辨率的因素有：光刻工艺中影响分辨率的因素有：和和 （包括灵敏度、对比度、颗粒的大小、显影时的溶胀、（包括灵敏度、对比度、颗粒的大小、显影时的溶胀、电子散射等）。电子散射等）。式中，式中，Wmin 为最小尺寸，即分

4、辨率。可见，为最小尺寸，即分辨率。可见， 例如，负性电子束光刻胶例如，负性电子束光刻胶 COP 的的 S = 0.310-6 C/ /cm2，则，则其其 Wmin = 0.073 m 。若其灵敏度提高到。若其灵敏度提高到 S = 0.0310-6 C/ /cm2 ，则其则其 Wmin 将增大到将增大到 0.23 m 。 minmin10qNqWSS 对比度是上图中对数坐标下曲线的斜率，表示光刻胶区分对比度是上图中对数坐标下曲线的斜率，表示光刻胶区分掩模上亮区和暗区的能力的大小，即对剂量变化的敏感程度。掩模上亮区和暗区的能力的大小，即对剂量变化的敏感程度。11000lgDDD0D100 对比度的

5、定义为对比度的定义为DcrD100D0 灵敏度曲线越陡，灵敏度曲线越陡，D0 与与 D100 的间距就越小，则光刻胶的对的间距就越小，则光刻胶的对比度比度 就越大，这样有助于得到清晰的图形轮廓和高的分辨率。就越大，这样有助于得到清晰的图形轮廓和高的分辨率。一般光刻胶的对比度在一般光刻胶的对比度在 0.9 2.0 之间。对于亚微米图形，要求对之间。对于亚微米图形，要求对比度大于比度大于 1。 D0D10011000lgDD 光进入光刻胶后，其强度按下式衰减光进入光刻胶后，其强度按下式衰减 0( )ezI zI式中，式中，为光刻胶的光吸收系数。设为光刻胶的光吸收系数。设 TR 为光刻胶的厚度，则可

6、为光刻胶的厚度，则可定义光刻胶的定义光刻胶的 为为RR000RR( ) d1e1TTII zzAI TT 可以证明，对比度与光吸收系数可以证明，对比度与光吸收系数及光刻胶厚度及光刻胶厚度 TR 之间之间有如下关系有如下关系 R1T 一个与对比度有关的光刻胶性能指标是一个与对比度有关的光刻胶性能指标是 ，它代表在光刻胶上获得能被分辨的图形所必须的最小，它代表在光刻胶上获得能被分辨的图形所必须的最小调制传输函数，其定义为调制传输函数，其定义为 10001000CMTFDDDD11101CMTF101 利用对比度的公式，可得利用对比度的公式，可得 CMTF 的典型值为的典型值为 0.4。如果光学系统

7、的。如果光学系统的 MTF 小于小于 CMTF，则其图像就不能被分辨；如果光学系统的则其图像就不能被分辨；如果光学系统的 MTF 大于大于 CMTF，就，就有可能被分辨。有可能被分辨。 1、负性紫外光光刻胶、负性紫外光光刻胶 主要有聚肉桂酸系（聚酯胶）和环化橡胶系两大类，前者主要有聚肉桂酸系（聚酯胶）和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的以柯达公司的 KPR 系列为代表，后者以系列为代表，后者以 OMR 系列为代表。系列为代表。 2、正性紫外光光刻胶、正性紫外光光刻胶 主要以重氮醌为感光化合物，以酚醛树脂为基体材料。最主要以重氮醌为感光化合物，以酚醛树脂为基体材料。最常用的有常用的有 AZ 13

8、50 系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。 光刻胶通常有三种成分：感光化合物、基体材料光刻胶通常有三种成分：感光化合物、基体材料 和和 溶剂。溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。 3、负性电子束光刻胶、负性电子束光刻胶 为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。最常用的是为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。最常用的是COP 胶，典型特性：灵敏度胶，典型特性：灵敏度 0.3 0.4 C/cm2（加速电压（加速电压 10KV 时）、分辨率时）、分辨率 1.0

9、m 、对比度、对比度 0.95。限制分辨率的主要因素是。限制分辨率的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。光刻胶在显影时的溶胀。 4、正性电子束光刻胶、正性电子束光刻胶 主要为甲基丙烯甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。最常主要为甲基丙烯甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。最常用的是用的是 PMMA 胶，典型特性：灵敏度胶，典型特性：灵敏度 40 80 C/cm2（加速电（加速电压压 20 KV 时）、分辨率时）、分辨率 0.1 m 、对比度、对比度 2 3 。 PMMA 胶的胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低，此外在高温下易主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低，此外在高温下易流动，耐干法刻蚀性差

10、。流动，耐干法刻蚀性差。 化学反应速度化学反应速度 k 可表示为可表示为AexpEkART 感光物质的电子在未曝光时处于基态感光物质的电子在未曝光时处于基态 S0 ，基态的反应激活，基态的反应激活能能 EA 大大 ，因此反应慢。曝光后，感光物质的电子处于激发态，因此反应慢。曝光后，感光物质的电子处于激发态 S1 、S2 、S3 等，等， 激发态的激发态的 EA 小，因此反应变快。小，因此反应变快。式中，式中，A 、R 为常数，为常数，T 为绝对温度，为绝对温度，EA 为化学反应激活能，为化学反应激活能，随电子状态的不同而不同。随电子状态的不同而不同。EA 越小，则在同样的温度下反应越小，则在同

11、样的温度下反应速度越快。速度越快。 可以借助于感光物质的势能曲线来讨论光化学反应。下可以借助于感光物质的势能曲线来讨论光化学反应。下图是重氮基萘的图是重氮基萘的 RN - N2 切断反应的势能曲线。切断反应的势能曲线。S0S1S2S3T188Kcal72KcalEA(S1) = 16KcalEA(S0) = 38KcalRN 与与 N2 的间距的间距势势能能 感光分子吸收感光分子吸收= 365 nm 的光能（的光能（ 72 Kcal ）后）后 ，电子从基，电子从基态态 S0 跃迁到第一激发态跃迁到第一激发态 S1 ，激活能由，激活能由 EA(S0) = 38 Kcal 降为降为 EA(S1)

12、= 16 Kcal ，反应速度加快。，反应速度加快。 感光分子吸收感光分子吸收= 300 nm 的光能（的光能（88 Kcal）后，电子跃迁）后，电子跃迁到第二激发态到第二激发态 S2 ，此态的谷底势能恰好与，此态的谷底势能恰好与 S1 态当态当 RN - N2 分解分解时的势能相当，且时的势能相当，且 S2 与与 S1 态的曲线在图左侧有相交之处，因此态的曲线在图左侧有相交之处，因此电子可从电子可从 S2 态跃迁到态跃迁到 S1 态并立即反应。所以用态并立即反应。所以用= 300 nm 的光的光曝光比用曝光比用= 365 nm 的反应速度快。的反应速度快。 在重氮基萘中还存在着三重态在重氮基

13、萘中还存在着三重态 T1 。由。由 T1 态的曲线可见态的曲线可见 ，RN-N2 的距离越远，分子的势能越低，所以处于的距离越远，分子的势能越低，所以处于 T1 态的分子将态的分子将立即发生反应而不需激活能。由于立即发生反应而不需激活能。由于 T1 态曲线与所有单重激发态态曲线与所有单重激发态的曲线在谷底附近相交，所以进入单重激发态的电子还可以通的曲线在谷底附近相交，所以进入单重激发态的电子还可以通过向过向 T1 态跃迁而使感光物分子立即发生化学反应，从而使反应态跃迁而使感光物分子立即发生化学反应，从而使反应速度大大加快。这种作用称为速度大大加快。这种作用称为 “三重态增感三重态增感” 。T1

14、 photoresistsilicon substrateoxideUltraviolet light光刻胶上光刻胶上的阴影的阴影光刻胶的光刻胶的曝光区曝光区在玻璃掩膜在玻璃掩膜版上的铬岛版上的铬岛Silicon substratePhotoresistOxide使光衰弱的使光衰弱的被曝光区被曝光区光刻胶显影后的最终图形光刻胶显影后的最终图形窗口窗口Silicon substrate岛岛PhotoresistOxide正性光刻正性光刻: 曝光后的光刻胶被显影液溶解而去除，曝光后的光刻胶被显影液溶解而去除，留下光刻胶的图形与掩膜版图形一致。留下光刻胶的图形与掩膜版图形一致。Ultraviolet

15、 light光刻胶的光刻胶的曝光区曝光区光刻胶上光刻胶上的阴影的阴影在玻璃掩膜在玻璃掩膜版上的铬岛版上的铬岛岛岛被曝光的区域发生交被曝光的区域发生交联并变成阻止显影的联并变成阻止显影的化学物质化学物质光刻胶显影后光刻胶显影后的最终图形的最终图形窗口窗口Silicon substratePhotoresistOxidePhotoresistOxideSilicon substrate负性光刻负性光刻: 曝光后的光刻胶因发生交联反应而硬化，留在硅片表面，未曝曝光后的光刻胶因发生交联反应而硬化，留在硅片表面，未曝光的被显影液溶解而去除，留下光刻胶的图形与掩膜版图形相反。光的被显影液溶解而去除，留下光

16、刻胶的图形与掩膜版图形相反。期望印在硅片上期望印在硅片上的光刻胶结构的光刻胶结构.窗口窗口Substrate光刻胶岛光刻胶岛石英石英铬铬岛岛当使用负胶时，要当使用负胶时，要求掩膜版上图形与求掩膜版上图形与想要的结构相反想要的结构相反当使用正胶时，要当使用正胶时，要求掩膜版上图形与求掩膜版上图形与想要的结构相同想要的结构相同金属互连线的模拟金属互连线的模拟 (正胶光刻）正胶光刻）亮场掩膜版亮场掩膜版接触孔的模拟接触孔的模拟（正胶光刻）（正胶光刻）暗场掩膜版暗场掩膜版暗场掩膜版暗场掩膜版：其石英版上大部分被铬覆盖。：其石英版上大部分被铬覆盖。亮场掩膜版亮场掩膜版：有大面积透明的石英，只有很细的铬图

17、形：有大面积透明的石英，只有很细的铬图形 本节简要介绍光刻工艺中除曝光与刻蚀以外的工序。本节简要介绍光刻工艺中除曝光与刻蚀以外的工序。 1、脱水烘烤、脱水烘烤 目的是去除硅片表面吸附的水分。也可利用前面的氧化或目的是去除硅片表面吸附的水分。也可利用前面的氧化或扩散工艺来实现。扩散工艺来实现。 2、增粘处理、增粘处理 在烘烤后的硅片表面涂一层六甲基二硅亚胺（在烘烤后的硅片表面涂一层六甲基二硅亚胺（HMDS），），目的是增加硅片表面与光刻胶的粘附性。可采用蒸汽涂布法，目的是增加硅片表面与光刻胶的粘附性。可采用蒸汽涂布法，也可采用旋涂法。也可采用旋涂法。 3、涂胶、涂胶 一般采用旋涂法。涂胶的关键是

18、控制胶膜的厚度与膜厚的一般采用旋涂法。涂胶的关键是控制胶膜的厚度与膜厚的均匀性。胶膜的厚度决定于光刻胶的粘度和旋转速度。均匀性。胶膜的厚度决定于光刻胶的粘度和旋转速度。3) 甩掉多余的胶4) 溶剂挥发1) 滴胶2) 加速旋转 4、前烘（软烘）、前烘（软烘） 目的是增强光刻胶与硅片的粘附性，去除光刻胶中的大部目的是增强光刻胶与硅片的粘附性，去除光刻胶中的大部分溶剂，促进光刻胶的均匀性和稳定性。分溶剂，促进光刻胶的均匀性和稳定性。 5、曝光、曝光 6、曝光后的烘焙、曝光后的烘焙 对紫外线曝光可不进行，但对深紫外线曝光则必须进行。对紫外线曝光可不进行，但对深紫外线曝光则必须进行。7 、显影、显影 将

19、曝光后的硅片用显影液浸泡或喷雾处理。对负胶，显影将曝光后的硅片用显影液浸泡或喷雾处理。对负胶，显影液将溶解掉未曝光区的胶膜；对正胶，显影液将溶解曝光区的液将溶解掉未曝光区的胶膜；对正胶，显影液将溶解曝光区的胶膜。几乎所有的正胶都使用碱性显影液，如胶膜。几乎所有的正胶都使用碱性显影液，如 KOH 水溶液。水溶液。 显影过程中光刻胶膜会发生膨胀。正胶的膨胀可以忽略，显影过程中光刻胶膜会发生膨胀。正胶的膨胀可以忽略，而负胶的膨胀则可能使图形尺寸发生变化。而负胶的膨胀则可能使图形尺寸发生变化。 显影过程对温度非常敏感。显影过程有可能影响光刻胶的显影过程对温度非常敏感。显影过程有可能影响光刻胶的对比度，

20、从而影响光刻胶的剖面形状。对比度，从而影响光刻胶的剖面形状。显影后必须进行严格的检查，如有缺陷则必须返工。显影后必须进行严格的检查，如有缺陷则必须返工。自动显影检查设备自动显影检查设备 10、去胶、去胶 9、刻蚀、刻蚀 8、后烘（硬烘、坚膜）、后烘（硬烘、坚膜） 目的是使胶膜硬化，提高其在后续工序中的耐腐蚀性。目的是使胶膜硬化，提高其在后续工序中的耐腐蚀性。 1、在选择光刻胶时，必须考虑它的吸收谱，以及在特定、在选择光刻胶时，必须考虑它的吸收谱，以及在特定波长下的光学吸收系数波长下的光学吸收系数。 2、还要考虑基体材料对光的吸收。例如酚醛树脂就对深、还要考虑基体材料对光的吸收。例如酚醛树脂就对

21、深紫外光有很强的吸收。被基体材料吸收的光到达不了感光化合紫外光有很强的吸收。被基体材料吸收的光到达不了感光化合物，从而影响光刻胶的灵敏度。物，从而影响光刻胶的灵敏度。0( )ezI zI可知，当可知，当太大时，则只有光刻胶的顶部能被有效曝光；当太大时，则只有光刻胶的顶部能被有效曝光；当太太小时，则由于吸收太少而需要长时间的曝光。小时，则由于吸收太少而需要长时间的曝光。由下式由下式 3、当硅片表面凹凸不平时、当硅片表面凹凸不平时 ，遇到的第一个问题是硅片表，遇到的第一个问题是硅片表面倾斜的台阶侧面会将光反射到不希望曝光的区域。第二个问面倾斜的台阶侧面会将光反射到不希望曝光的区域。第二个问题是使胶

22、膜的厚度发生变化：在硅片表面凹下处胶膜较厚，导题是使胶膜的厚度发生变化：在硅片表面凹下处胶膜较厚，导致曝光不足；在硅片表面凸起处胶膜较薄，导致曝光过度。胶致曝光不足；在硅片表面凸起处胶膜较薄，导致曝光过度。胶膜厚度的不同还会影响对比度。膜厚度的不同还会影响对比度。 解决这个问题的办法是表面平坦化。解决这个问题的办法是表面平坦化。 随着线条宽度的不断缩小，为了防止胶上图形出现太大的随着线条宽度的不断缩小，为了防止胶上图形出现太大的深宽比，提高对比度，应该采用很薄的光刻胶。但薄胶会遇到深宽比，提高对比度，应该采用很薄的光刻胶。但薄胶会遇到耐腐蚀性的问题。由此开发出了耐腐蚀性的问题。由此开发出了 ，

23、这也是所谓，这也是所谓 的组成部分。的组成部分。顶层胶：含硅，厚约顶层胶：含硅，厚约 0.25 m 底层胶：也称为干显影胶，厚底层胶：也称为干显影胶，厚约约 0.5 m 对顶层胶曝光显影对顶层胶曝光显影对底层胶作含氧的对底层胶作含氧的 RIE 刻蚀刻蚀 据报导，采用据报导，采用 193 nm 波波长光源，在底层胶上获得了长光源，在底层胶上获得了 0.15 m 0.12 m 宽的线条。宽的线条。用用 CF4 RIE 法刻蚀掉法刻蚀掉 0.23 m 厚的多晶硅后，还有约厚的多晶硅后，还有约 50% 的底层胶保留下来。的底层胶保留下来。 本章首先介绍了光刻胶的类型与特性，重点讨论了光刻胶本章首先介绍

24、了光刻胶的类型与特性，重点讨论了光刻胶的灵敏度、分辨率、对比度及其相互关系。通过正胶的典型反的灵敏度、分辨率、对比度及其相互关系。通过正胶的典型反应和势能曲线，说明了光刻胶的光化学反应过程和增感作用。应和势能曲线，说明了光刻胶的光化学反应过程和增感作用。介绍了涉及光刻胶的工艺步骤。最后介绍了双层光刻胶技术。介绍了涉及光刻胶的工艺步骤。最后介绍了双层光刻胶技术。光刻胶的光刻胶的 D0 = 40mJ/cm2，D100 = 85mJ/cm2，试计，试计算这算这光刻胶的对比度与光刻胶的对比度与 CMTF。当这。当这光刻胶的厚度减薄一光刻胶的厚度减薄一半时，其半时，其 D100 减到减到 70mJ/cm2，而，而 D0 则不变，这时其对比度变则不变，这时其对比度变为多少？为多少？设某电子束光刻胶的灵敏度设某电子束光刻胶的灵敏度 S = 0.3 C/cm2 ，这意味着，这意味着在在( 0.01 m )2 的面积上只需多少个电子照射？在的面积上只需多少个电子照射？在 ( Wmin )2 的面的面积上又需多少个电子照射？这个结果对提高光刻胶的灵敏度和积上又需多少个电子照射？这个结果对提高光刻胶的灵敏度和曝光效率有什么指导意义？曝光效率有什么指导意义？