2016年宁波大学博士专业课试题3823半导体物理.pdf

1、宁波大学宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生年攻读博士学位研究生入入 学学 考考 试试 试试 题题(B 卷卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目考试科目:半导体物理半导体物理科目代码科目代码：3823适用专业适用专业:微纳信息系统微纳信息系统第 1 页 共 2 页一一、填空题（每空填空题（每空2 2分，共分，共5050分）分）1、 （10分） GaAs是一种重要的化合物半导体， 其晶格结构是 （） ，有（）个最近邻原子，其带隙结构为（*请在相应的答案下打勾：直接带隙、间接带隙），其导带底附近等能面的形状为（），因此它的许多物理性质呈（*请打勾：各向同性、各向异性）。2、（10分）半导体的电导

2、率主要取决于两个因素：（）和迁移率；载流子的迁移率是指单位电场下载流子的（），迁移率是与载流子所受的（）作用有关的一个量，随杂质浓度增加而（），在杂质浓度较低的条件下随温度升高而（）。3、(8分) 就复合过程的微观机制，复合过程分为两种：（）和间接复合，间接复合是通过（）进行复合。在间接复合过程中，复合中心能级位于带隙的（*请打勾：上半部、中央、下半部）是最有效的复合中心；最有利于陷阱作用的杂质能级位于（*请打勾：平衡时费米能级以下、与平衡时费米能级重合、平衡时费米能级以上）。4、(14分) 直接带隙半导体，其光的本征吸收是（）跃迁；间接带隙半导体，其光的本征吸收是 （） 跃迁； 光的吸收过程

3、包括： （） 、（）、（）、（）和（）。宁波大学宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生年攻读博士学位研究生入入 学学 考考 试试 试试 题题(B 卷卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目考试科目:半导体物理半导体物理科目代码科目代码：3823适用专业适用专业:微纳信息系统微纳信息系统第 2 页 共 2 页5、（8分）对于非简并半导体，在光注入或电注入等外界作用下，材料中的电子浓度和空穴浓度都是偏离平衡值的，多出来的这部分载流子叫做（），其重要特点是：当外界作用停止后它们会因（）而消失，其（）称为寿命，常用（*请打勾：少数载流子、多数载流子）的寿命来描述。二、简答题二、简答题 （共（共5050分）分）1、（8分）简述p-n结的空间电荷区形成过程。2、（12分）试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。3、（12分） 能带极值在k=0处，等能面为球面的情况，写出导带底和价带顶附近E(k)与k的函数关系，并画出示意图。4、（10 分） 画出非平衡态时 n 型半导体的准费米能级偏离平衡时费米能级的示意图。5、（8分） 两性杂质和其它杂质有何异同？