2015年宁波大学博士专业课考试试题2604半导体器件B.pdf

1、宁波大学宁波大学 2015 年攻读博士学位研究生入 学 考 试 试 题年攻读博士学位研究生入 学 考 试 试 题(B 卷卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目考试科目:半导体器件半导体器件科目代码：科目代码：2604适用专业适用专业:微纳信息系统第 1 页 共 2 页一、 单项选择题：本大题共一、 单项选择题：本大题共 5 小题，每小题小题，每小题 5 分，共分，共 25 分。在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填在题前的括号内。错选、多选或未选均不得分。分。在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填在题前的括号内。错选、多选或未选均不得分。() 1.

2、 在半导体太阳能电池中，关于暗电流说法正确的是A. 没有光照时电流B. 由外加偏压产生C. 其方向与光电流方向相同D. 由光生电压降落在势垒区而产生()2. CCD 正常工作时，其 MOS 单元半导体表面所处状态是A. 强反型B. 多子积累C. 深耗尽D. 多子耗尽()3. 在以下复合跃迁中，非辐射复合跃迁是A. 带间复合B. 激子复合C. 俄歇复合D. 不存在()4. 与 LED 量子效率有关的因素有A. 结两侧参杂浓度B. 结深C. 表面反射D. 以上都有关()5. 太阳能电池工作时，对应 P-N 结内部处于：A. 正偏电压B. 反偏电压C. 没有电压D. 耗尽宁波大学宁波大学 2015

3、年攻读博士学位研究生入 学 考 试 试 题年攻读博士学位研究生入 学 考 试 试 题(B 卷卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目考试科目:半导体器件半导体器件科目代码：科目代码：2604适用专业适用专业:微纳信息系统第 2 页 共 2 页二 问答题二 问答题(共共 35 分分)1.采用载流子扩散与漂移的观点分析 PN 结的单向导电性。(10 分)2.试述 NPN 双极型晶体管的四种工作模式。 (15 分)3.试述金属-半导体接触：肖特基接触与欧姆接触的各自特点。(10 分)三计算与推导三计算与推导(共共 40 分分)1.计算一硅 p-n 结在 300K 时的内建电势，其 NA1018cm-3和 ND1015cm-3(10 分)2.一理想晶体管其发射效率为 0.999，集基极漏电流为 10A，假设 IB=0，请算出由空穴所形成的放大模式发射极电流。 (15 分)3.简述评估太阳能电池器件性能的四个基本参数 ， 那些因素会影响太阳能电池器件性能 （15 分）