2015年宁波大学博士专业课考试试题3823半导体物理B.pdf

1、宁波大学宁波大学 2015 年攻读博年攻读博士学位研究生士学位研究生 入入 学学 考考 试试 试试 题题(B 卷卷) (答案必须写在答题纸上) 考试科目考试科目: 半导体物理半导体物理 科目代码：科目代码： 3823 适用专业适用专业: 微纳信息系统微纳信息系统 第 1 页 共 1 页 一一、 填空题：填空题： 本大题共本大题共 6 小题，共小题，共 32 分。不写解答过程，将正确的答案写在每小题的空格分。不写解答过程，将正确的答案写在每小题的空格内内，或按要求的相应选项上打勾，或按要求的相应选项上打勾。错填或不填均不得分。错填或不填均不得分。 1) (8 分) 由于非晶半导体晶格结构（ ）的

2、特点，其电子态中出现了（ ），非晶半导体的电导包含 ( ) 和（ ）两部分。 2) (5 分) Si 是一种重要的元素半导体，其晶格结构是（ ），有（ ）个最近邻原子，其带隙结构为（*请打勾请打勾：直接带隙、间接带隙），其导带底附近等能面的形状为（ ），因此它的许多物理性质呈（*请打勾请打勾：各向同性、各向异性）。 3) (4 分) 对于非简并半导体，在光注入或电注入等外界作用下，材料中的电子浓度和空穴浓度都是偏离平衡值的，多出来的这部分载流子叫做（ ），其重要特点是：当外界作用停止后它们会因（ ）而消失，其（ ）称为寿命，常用（*请打勾：请打勾：少数载流子、多数载流子）的寿命来描述。 4)

3、(5 分) 当 p-n 结形成时，在交界处有一结区，此结区常称为（ ）；p-n 结在正向偏压下，电流随偏压的增加而（ ）；在反向偏压下，电流很快趋向（ ）；当反向偏压升到某电压值时，反向电流急剧（ ），称为（ ）。 5) (4 分) p-n 结电容包括（ ）和 （ ）两部分 6) (6 分) 对于非平衡少数载流子空穴的扩散运动，其稳态扩散方程和扩散电流分别为：（ ）和（ ）。 二二、 简答简答题：题：（本大题共（本大题共 6 小题，共小题，共 68 分）分） 1) (12 分) 画出非平衡态时 p 型半导体的准费米能级偏离平衡时费米能级的示意图。 2) (12 分)什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 3) (12 分)何谓欧姆接触?请以 n 型半导体为例说明从功函数角度如何实现欧姆接触。 4) (8 分)深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 5) (12 分)掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。 6) (12 分)什么是功函数？哪些因数影响了半导体的功函数？什么是接触势差？