武汉理工大学模电课件模电复习(1)解析.ppt
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1、2014电子技术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础 总成绩总成绩=平时成绩平时成绩20%+期末考试成绩期末考试成绩60%+期中测验期中测验20% 平时成绩为作业、考勤、期中小考、网上习题或课后小电平时成绩为作业、考勤、期中小考、网上习题或课后小电路设计的考评成绩。路设计的考评成绩。 期末考试方法采用闭卷考试,参照课程组原制定的考试大期末考试方法采用闭卷考试,参照课程组原制定的考试大纲执行。期末考试内容由教学内容和教学学时决定,内容涵盖纲执行。期末考试内容由教学内容和教学学时决定,内容涵盖所有教学内容,各教学内容所占分值多少,由教学学时决定,所有教学内容,各教学内容所占分
2、值多少,由教学学时决定,教学学时较多的,考试时所占分值较高。教学学时较多的,考试时所占分值较高。 期末考试题型包含客观题、计算题、作图题、分析题、设期末考试题型包含客观题、计算题、作图题、分析题、设计题等。计题等。2014电子技术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础一、一、 考核要求考核要求重点考核模拟电路所涉及到的有关概念、基本分析、计算重点考核模拟电路所涉及到的有关概念、基本分析、计算方法。考核分三个层次要求:方法。考核分三个层次要求: 掌握:掌握:要求学习者能够熟练运用的基本理论和基本分析方要求学习者能够熟练运用的基本理论和基本分析方法。法。 理解:理解:要求学习者
3、能够明确认识的基本概念和基本理论。要求学习者能够明确认识的基本概念和基本理论。 了解:了解:定性知道的一些概念。定性知道的一些概念。 二、二、 试题题型试题题型 客观题:客观题:主要涉及本课程的一些基本概念、特点、重要定主要涉及本课程的一些基本概念、特点、重要定义、结论等。义、结论等。 计算题:计算题:运用计算求解电路的指标参数的综合题。运用计算求解电路的指标参数的综合题。 作图题:作图题:分析,画出电路图或波形图。分析,画出电路图或波形图。u 分析题:分析题:分析电路的结构、工作原理、功能。分析电路的结构、工作原理、功能。 设计题:设计题:设计求解的综合题。设计求解的综合题。 2014电子技
4、术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础器件:器件:二极管,二极管,BJT三极管,场效应三极管,理想运放三极管,场效应三极管,理想运放电路:电路:基本放大电路:基本放大电路:(静态、动态分析、计算静态、动态分析、计算,特点特点)共射共射(共源共源)、 共集共集(共漏共漏)、共基、共基(共栅共栅);功率放大电路:功率放大电路:(概念、典型计算概念、典型计算)乙类乙类/甲乙类双电源互补对称甲乙类双电源互补对称(OCL)、 甲乙类单电源互补功率甲乙类单电源互补功率(OTL)差分放大电路差分放大电路:(概念、分析、计算概念、分析、计算)双入双入(单入单入)双出、双入双出、双入(单入
5、单入)单出;单出;恒流源:恒流源:(认识、作用认识、作用)镜像、缓冲镜像、比例、微电流、多路镜像、缓冲镜像、比例、微电流、多路反馈:反馈:(判断判断分类、特点、深度负反馈下近似计算分类、特点、深度负反馈下近似计算) 线性运算放大电路:线性运算放大电路:(分析计算分析计算)比例、加比例、加、减、积分、微分减、积分、微分有源滤波放大电路:有源滤波放大电路:(特点特点)低通、高通、带通、带阻低通、高通、带通、带阻电压比较器电压比较器:(分析、计算、画图、应用分析、计算、画图、应用)单限、滞回、窗口单限、滞回、窗口信号产生电路:信号产生电路:(分析、计算、判断分析、计算、判断)RC正弦波正弦波振荡电路
6、振荡电路直流稳压电源:直流稳压电源:(结构、分析、经验关系式结构、分析、经验关系式)变压、整流、滤波、稳压变压、整流、滤波、稳压重点掌握:基本概念、基本电路、基本方重点掌握:基本概念、基本电路、基本方法法2014电子技术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础1、了解半导体的导电特性。、了解半导体的导电特性。2、理解本征半导体(、理解本征半导体(N型和型和P型)的特性,型)的特性,理解杂质半导体(理解杂质半导体(N型和型和P型)的特性,型)的特性, 3、正确理解和掌握、正确理解和掌握PN结的单向导电性。结的单向导电性。1 半导体基础知识半导体基础知识2014电子技术精品课程电
7、子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础本征半导体本征半导体化学成分纯净的、结构完整的半导体晶体化学成分纯净的、结构完整的半导体晶体( (硅、锗硅、锗) )。电子空穴对电子空穴对由热激发而产生的自由电子和空穴对由热激发而产生的自由电子和空穴对。 本征半导体中电子空穴数量相等,室温下数量少本征半导体中电子空穴数量相等,室温下数量少半导体中有半导体中有2种载流子种载流子电子和空穴电子和空穴,空穴可视为带正电的空穴可视为带正电的 离子,所带电量与电子相等,符号相反;空穴的移离子,所带电量与电子相等,符号相反;空穴的移 动方向与电子的相反,表示了电流的方向动方向与电子的相反,表示了电流的方向自
8、由运动的带电粒子自由运动的带电粒子杂质半导体杂质半导体掺入杂质的本征半导体掺入杂质的本征半导体 N型半导体型半导体掺入五价杂质元素(如磷)的半导体。掺入五价杂质元素(如磷)的半导体。自由自由电子电子 是多数载流子,是多数载流子,它主要由杂质原子提供;它主要由杂质原子提供;空穴是空穴是 少数载流子少数载流子, 由热激发产生。由热激发产生。P型半导体型半导体掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。空穴是多空穴是多 数载流子,数载流子,它主要由杂质提供;它主要由杂质提供;自由自由电子是少数电子是少数 载流子,载流子, 由热激发产生。由热激发产生。2 半导体基础知识及二极管
9、半导体基础知识及二极管2014电子技术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础PN结的特性单向导电性结的特性单向导电性 正偏正偏(P区电位高于区电位高于N区电位区电位)时,呈现低电阻,多子形成大时,呈现低电阻,多子形成大的正向扩散电流;的正向扩散电流; 反偏反偏(P区电位低于区电位低于N区电位区电位)时,呈现高电阻,少子形成很时,呈现高电阻,少子形成很小的反向漂移电流小的反向漂移电流 (反向饱和电流反向饱和电流)。 PN结结P型和型和N型半导体结合面离子薄层形成的型半导体结合面离子薄层形成的空间电荷区空间电荷区。 其中由于缺少多子又称其中由于缺少多子又称耗尽层耗尽层;还称还称
10、势垒区势垒区。 iD/mA1.00.5iD=IS0.51.00.501.0 D/V2 半导体基础知识及二极管半导体基础知识及二极管2014电子技术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础1、掌握普通二极管的理想模型、恒压降模型、特性和应、掌握普通二极管的理想模型、恒压降模型、特性和应用,掌握波形绘制。用,掌握波形绘制。2、掌握稳压二极管的特性和应用,掌握波形绘制。、掌握稳压二极管的特性和应用,掌握波形绘制。3、掌握发光二极管的特性和应用。、掌握发光二极管的特性和应用。2 半导体基础知识及二极管半导体基础知识及二极管2014电子技术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟
11、电子技术基础u二极管二极管的的特性特性:单向导电性:单向导电性 1. 理想模型理想模型 2. 恒压降模型恒压降模型适用于适用于电源电源大大正偏导通正偏导通vD=0;反偏截止反偏截止vD=0.7V/0.2V适用于电适用于电源源较小较小u稳压二极管稳压二极管(齐纳二极管齐纳二极管)稳压条件:稳压条件:工作于反向击穿区工作于反向击穿区(即反偏电压模即反偏电压模值大于稳压管的值大于稳压管的Vz值值),且,且 IZmin IZ =V_,正偏导通;,正偏导通;V+=V_,正偏导通;,正偏导通;V+V_且反偏电压模值小于且反偏电压模值小于Vz,反偏截止;反偏截止;V+V_且反偏电压模值大于且反偏电压模值大于
12、Vz,反向击穿,稳压。反向击穿,稳压。4)根据要求具体求解;)根据要求具体求解;u 二极管二极管/稳压管的应用:稳压管的应用:整流、限幅、稳压、开关电路、保护整流、限幅、稳压、开关电路、保护2 半导体基础知识及二极管半导体基础知识及二极管2014电子技术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础3 双极型三极管及其放大电路双极型三极管及其放大电路1、掌握双极型三极管的输入和输出特性、电流分配关系,、掌握双极型三极管的输入和输出特性、电流分配关系,理解双极型三极管的工作原理。理解双极型三极管的工作原理。2、掌握放大的概念与本质,放大的条件。、掌握放大的概念与本质,放大的条件。3、
13、熟练掌握四种典型三极管放大电路静态工作点的估算方、熟练掌握四种典型三极管放大电路静态工作点的估算方法和用简化的法和用简化的h参数等效电路分析放大电路的电压放大倍数参数等效电路分析放大电路的电压放大倍数Av、输入电阻输入电阻Ri、输出电阻、输出电阻Ro的方法,掌握的方法,掌握rbe的近似估算公式。的近似估算公式。4、正确理解利用图解法分析放大电路的静态工作点和动态、正确理解利用图解法分析放大电路的静态工作点和动态工作波形绘制情况。工作波形绘制情况。5、正确理解温度变化对三极管参数的影响,掌握射极偏置、正确理解温度变化对三极管参数的影响,掌握射极偏置电路工作点稳定的工作原理。电路工作点稳定的工作原
14、理。6、掌握多级放大电路的工作原理、特点和电压放大倍数的、掌握多级放大电路的工作原理、特点和电压放大倍数的计算方法。一般了解各种耦合方式计算方法。一般了解各种耦合方式(直接耦合、阻容耦合、变压器直接耦合、阻容耦合、变压器耦合耦合)的特点。的特点。7、理解和掌握频率响应的概念,了解含有一个时间常数的、理解和掌握频率响应的概念,了解含有一个时间常数的单管共射放大电路频率响应。单管共射放大电路频率响应。8、正确理解上限频率、正确理解上限频率fH、下限频率、下限频率fL、通频带、通频带BW、频率失、频率失真、波特图的意义和掌握波特图的画法。真、波特图的意义和掌握波特图的画法。2014电子技术精品课程电
15、子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础 发射结正偏,集电结反偏发射结正偏,集电结反偏(放大状态下体现了(放大状态下体现了极电流分极电流分配比例关系,配比例关系,)。 发射区的掺杂浓度最高;发射区的掺杂浓度最高; 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大;集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。u 内部条件内部条件-决定了决定了BJT三极管极电流分配比例关系三极管极电流分配比例关系 、 参数参数,与外加电压无关。,与外加电压无关。u 外外部条件部条件-取决于外加电压取决于外加电压 三极管
16、内有两种载流子三极管内有两种载流子(自由电子和空穴自由电子和空穴)参与导电,故称参与导电,故称为双极型为双极型BJT三极管三极管,BJT管是电流控制电流的器件管是电流控制电流的器件。 3 双极型三极管及其放大电路双极型三极管及其放大电路2014电子技术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础 BJT的两个的两个PN结分别是正偏还是反偏,决定了结分别是正偏还是反偏,决定了BJT可能工可能工作于四种工作状态:作于四种工作状态:放大放大、饱和饱和、截止截止和倒置。这取决于外加和倒置。这取决于外加电压电压外部工作条件外部工作条件。为保证外部条件为保证外部条件NPN管:管: VEVBV
17、CPNP管:管:VCVBiB = 0iB = 0硅管主要考虑硅管主要考虑VBE和和 的影响;的影响;锗管主要考虑锗管主要考虑ICBO的影响的影响3 双极型三极管及其放大电路双极型三极管及其放大电路2014电子技术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础2)3种组态的特点及用途种组态的特点及用途 共射电路:共射电路:电压和电流增益均电压和电流增益均1,vo与与vi反相,反相,输入电阻居输入电阻居 中,输出电阻与中,输出电阻与Rc有关,适用于低频多级放大电路的有关,适用于低频多级放大电路的输输 入级、中间级或输出级。入级、中间级或输出级。 共集电路:共集电路:电压增益电压增益 1
18、(电压跟随),电流增益(电压跟随),电流增益1;输入电阻;输入电阻 最高,输出电阻最小,频率特性好,可以作为连接高最高,输出电阻最小,频率特性好,可以作为连接高 内阻信号源的输入级或驱动大负载的输出级,常用的内阻信号源的输入级或驱动大负载的输出级,常用的 功率放大电路均采用这种射随器的电路形式。功率放大电路均采用这种射随器的电路形式。 共基电路:共基电路:电压增益电压增益1,电流增益电流增益1, 输入电阻最小,输出电输入电阻最小,输出电 阻与阻与Rc有关,高频特性好,常用于高频、宽频带放大电路。有关,高频特性好,常用于高频、宽频带放大电路。(Ri小小,发射结上的电容效应不明显,在很宽的频率范围
19、内发射结上的电容效应不明显,在很宽的频率范围内电路的放大性能基本可以保持不变电路的放大性能基本可以保持不变)u BJT放大电路三种组态的比较放大电路三种组态的比较 1) 3种组态的判断种组态的判断2014电子技术精品课程电子技术精品课程-模拟电子技术基础模拟电子技术基础电压增益:电压增益:beLc)/(rRR 输入电阻:输入电阻:beb/rR输出电阻:输出电阻:cR)/)(1()/()1(LebeLeRRrRR )/)(1(/LebebRRrR 1)/(/bebserRRRbeLc)/(rRR 1/beerRcRu BJT放大电路三种组态的比较放大电路三种组态的比较2014电子技术精品课程电子
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