晶体三极管及其应用全解PPT课件.ppt
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- 晶体三极管 及其 应用 PPT 课件
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1、模模 拟拟 电电 子子 技技 术术晶体三极管及其应用1. 了解三极管的结构,理解其工作原理;了解三极管的结构,理解其工作原理;2. 掌握三极管的伏安特性和主要参数;掌握三极管的伏安特性和主要参数;3. 会判断三极管的工作状态。会判断三极管的工作状态。三极管的性质及工作状态判断三极管的性质及工作状态判断三极管的电流放大原理三极管的电流放大原理第第6 6讲讲教学目标教学目标教学重点教学重点教学难点教学难点模模 拟拟 电电 子子 技技 术术半导体三极管半导体三极管单极型半导体三极管又称场效应管(单极型半导体三极管又称场效应管(FET,Field Effect Transistor),它是一种利用电场
2、效应控制输出电流的半导),它是一种利用电场效应控制输出电流的半导体三体三 极管,工作时极管,工作时只有一种载流子(多数载流子)参与只有一种载流子(多数载流子)参与导电导电,故称单极型半导体三极管。,故称单极型半导体三极管。半导体三极管具有半导体三极管具有电流放大电流放大作用,它分为作用,它分为双极型和双极型和 单极型单极型两种类型。两种类型。双极型半导体三极管(双极型半导体三极管(BJT,Bipolar Junction Transistor),),又称为晶体三又称为晶体三 极管,简称三极管。因工作时极管,简称三极管。因工作时有空穴和电子两种有空穴和电子两种载流子参与导电载流子参与导电而得名。
3、而得名。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术一、晶体三极管的结构与原理一、晶体三极管的结构与原理二、晶体三极管的特性曲线二、晶体三极管的特性曲线三、晶体三极管的工作状态三、晶体三极管的工作状态四、晶体三极管的主要参数四、晶体三极管的主要参数五、晶体三极管的识别与检测五、晶体三极管的识别与检测六、晶体三极管的选用六、晶体三极管的选用模模 拟拟 电电 子子 技技 术术一、晶体三极管的结构与工作原理一、晶体三极管的结构与工作原理1、三极管结构、符号和分类、三极管结构、符号和分类NNP发射极发射极 E基极基极 B集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitter
4、basecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型ECBECB模模 拟拟 电电 子子 技技 术术分类分类:按材料分:按材料分: 硅管、锗管硅管、锗管按功率分:按功率分: 小功率管小功率管 1 W中功率管中功率管 0.5 1 W模模 拟拟 电电 子子 技技 术术2、三极管的电流放大原理、三极管的电流放大原理(1) 三极管放大的条件三极管放大的条件内部内部条件条件发射区掺杂浓度高发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏(2) 满足放大条件的三种电路满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiu
5、oECBuiuo共发射极共发射极共集电极共集电极共基极共基极模模 拟拟 电电 子子 技技 术术(3)三极管内部载流子的传输过程)三极管内部载流子的传输过程 发射区向基区注入多子发射区向基区注入多子电子电子, 形成发射极电流形成发射极电流 IE。I CN多数向多数向 BC 结方向扩散形成结方向扩散形成 ICN。IE少数与空穴复合,形成少数与空穴复合,形成 IBN 。I BN基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供( (IB) )集电区少子漂移集电区少子漂移( (ICBO) )I CBOIBIBN IB + ICBO即:即:IB = IBN ICBO 电子到达基区后电子到达基区后 ( (基
6、区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略) )(动画2-1)模模 拟拟 电电 子子 技技 术术I CNIEI BNI CBOIB 集电区收集扩散过集电区收集扩散过 来的载流子形成集来的载流子形成集 电极电流电极电流 ICICI C = ICN + ICBO 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术(4)三极管的电流分配关系)三极管的电流分配关系当管子制成后,发射区载流子浓度、基区宽度、集当管子制成后,发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定,故电流的比例关系确定,即:电结面积等确定,故电流的比例关系确定,即:IB = I BN ICBO IC = ICN + ICBOBNCNII CE
7、OBCBOBC)1(IIIII 穿透电流穿透电流CBOBCBOCIIII 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术IE = IC + IBCEOBCIII BCEIII BC IIBE )1 (IICEOBE )1(III BC II BE )1(II BCEIII 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术实验实验+-bce共射极放大电路共射极放大电路UBBUCCuBEiCiB+-uCEiEiB 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10iC 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95iE T1模模 拟拟 电电 子子 技技 术术( 2) 温度升高,输出特性曲线温度升高,输出特性
8、曲线向上移。向上移。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0温度每升高温度每升高 1 C, (0.5 1)%。输出特性曲线间距增大。输出特性曲线间距增大。O模模 拟拟 电电 子子 技技 术术三、晶体三极管的工作状态三、晶体三极管的工作状态三种工作状态三种工作状态状态状态电流关系电流关系 条条 件件放大放大I C = IB发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏饱和饱和 I C IB两个结正偏两个结正偏ICS = IBS 集电结零偏集电结零偏临界临界截止截止IB U(th) 则则导通导通以以 NPN为为 例:例:UBE UB UE放大放大UE UC UB饱和饱和PNP 管管UC
9、 UB UC U B饱和饱和(2)电流判别法)电流判别法IB IBS 则则饱和饱和IB U( (BR) )CEO U( (BR) )EBO ( (P34 图图2.1.7) )已知已知:ICM = 25 mA, PCM = 250 mW,U(BR)CEO = 50 V,当当 UCE = 20 V 时,时,IC mA当当 UCE = 1 V,则,则 IC mA当当 IC = 2 mA,则,则 UCE V 12.52550模模 拟拟 电电 子子 技技 术术例例1 1:测量三极管三个电极对地电位如图 试判断三极管的工作状态。 放大截止饱和模模 拟拟 电电 子子 技技 术术例例2:测量某测量某NPN型型
10、BJT各电极对地的电压值如下,试各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域?判别管子工作在什么区域? 原则:原则:正偏正偏反偏反偏反偏反偏集电结集电结正偏正偏正偏正偏反偏反偏发射结发射结饱和饱和放大放大截止截止解:解: 对NPN管而言,放大时对PNP管而言,放大时(1)放大区)放大区(2)截止区)截止区(3)饱和区)饱和区模模 拟拟 电电 子子 技技 术术例例3:某放大电路中某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。三个电极的电流如图所示。 IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,试判断管脚、管型。试判断管脚、管型。解:电流判断法。解:电流判断法。电流的正方向和电流的正方向
11、和KCL。IE=IB+ ICABC IAIBICC为发射极为发射极B为基极为基极A为集电极。为集电极。管型为管型为NPN管。管。管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术 原则:先求原则:先求UBE,若等于,若等于0.6-0.7V,为硅管;若等于,为硅管;若等于0.2-0.3V,为锗,为锗 管。发射结正偏,集电结反偏。管。发射结正偏,集电结反偏。 NPN管管UBE0, UBC0,即即。 PNP管管UBE0, UBC0,即即。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术五、晶体三极管的检测五、晶体三极管的检测1 中
12、、小功率三极管的检测 1、中、小功率三极管的检测、中、小功率三极管的检测 测量极间电阻。测量极间电阻。 将万用表置于将万用表置于R100或或R1K挡,按照红、黑表笔的挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (1)已知型号和管脚排列
13、的三极管性能好坏的判断)已知型号和管脚排列的三极管性能好坏的判断模模 拟拟 电电 子子 技技 术术 ICEO= ICBO。随着环境温度的升高,。随着环境温度的升高,ICBO增加,必然造成增加,必然造成ICEO的增的增大。而大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用选用ICEO小的管子。小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管通过用万用表电阻直接测量三极管ec极之间的电阻方法,可间接极之间的电阻方法,可间接估计估计ICEO的大小,具体方法如下:的大小,具体方法如下: 万用表电阻的量程一般选用万用表电阻的量程一般选用
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