2014年电子科技大学考研专业课试题微电子器件.pdf
- 【下载声明】
1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
3. 本页资料《2014年电子科技大学考研专业课试题微电子器件.pdf》由用户(雁南飞1234)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 电子科技大学考研专业课试题
- 资源描述:
-
1、微电子器件 试题共 6 页,第 1 页 电子科技大学电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目:考试科目:832 微电子器件微电子器件 注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上均无效。 一、填空题(共一、填空题(共 48 分,每空分,每空 1.5 分)分) 1、PN 结二极管用途广泛,在作为变容二极管使用时,主要利用其( )向偏置的( )电容;在作为温度传感器使用时,主要利用其正向导通压降会随温度的升高而( ) 。 2、一个 P+N 型的二极管,电子和空穴的寿命分别为 n和
2、p,在外加正向直流电压 V1时电流为 I1,当外加电压反向为V2时,器件会经历一段反向恢复过程,这主要是由正向导通时存储在( )型中性区中的非平衡少子造成的,该非平衡少子的总量为( ) 。 3、防止 PN 结发生热击穿,最有效的措施是降低器件的( ) 。同时,禁带宽带越( )的半导体材料,其热稳定性越好。 (第二个空填“大”或“小” ) 4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重,其厄尔利电压越( ) ,共发射极增量输出电阻越( ) 。 (填“大”或“小” ) 5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为b和B,则 1/B表示的物理意义为( ) ,因此b/B可以表示( ) 。 6、MO
3、SFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中( )的控制能力。栅氧化层越厚, 则 S 越 ( ) , 该控制能力越 ( ) 。 (第二个空填 “大” 或 “小” ,第三个空填“强”或“弱” ) 7、当金属和 P 型半导体形成金- 半接触时,如果金属的功函数大于半导体的功函数,半导体表面将形成( ) ,该结构( )单向导电性。 (从以下选项中选择) A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层 C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层 E 具有 F 不具有 微电子器件 试题共 6 页,第 2 页 8、MOSFET 的跨导是( )特性曲线的斜率,而漏源电导是( )特性曲线的斜率。在模拟电路中,MOSFET 一般工作在
4、( )区,此时理想情况下漏源电导 应 为 零 , 但 实 际 上 由 于 ( ) 和( ) ,漏源电导通常为正的有限值。 9、短沟道 MOSFET 中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构,是为了降低漏端附近的电场强度,从而抑制( )效应,防止器件电学特性退化。 10、如果以 SiGe 来制作 BJT 的发射区,Si 来制作 BJT 的基区,则与全部采用 Si 材料的双极型晶体管相比,其共基极电流放大系数将( ) 。 (填“增大” 、 “减小”或“不变” ) 11、根据恒场等比例缩小法则,当 MOSFET 的沟道长度缩小 K 倍时,其阈值电压变为之前的( ) , 总电容变为之前的 ( ) , 最高工作
5、频率变为之前的 ( ) 。 12、研究发现硅- 二氧化硅系统中,存在四种形式的电荷或能量状态,包括 Na+、K+等可动离子、 ( ) 、 ( )以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷,通常它们都带正电,因此( )型 MOSFET 的衬底表面更容易反型。 13、PMOS 的衬底相对于源端应该接( )电位。当|VBS|增加时,PMOS 的阈值电压绝对值将( ) ,该效应叫做( ) 。 (第二个空填“增大” 、 “减小”或“不变” ) 二、简答与作图题二、简答与作图题 (共共 57 分分) 1、如图所示,一块掺杂浓度为 ND的无限长均匀 N 型半导体材料,在 x 的负半轴有一束光稳定地照射在半导体表面,产生
展开阅读全文