(课件)工程电磁场课件ppt.ppt
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1、电信教研室电信教研室 苑东苑东伟伟3 31 1 恒定电场的基本方程与场的特性恒定电场的基本方程与场的特性1 1恒定电场的基本方程无散无旋场恒定电场的基本方程无散无旋场在恒定电流场中,我们将讨论在恒定电流场中,我们将讨论J Jc c和和E E,而不再是,而不再是D D和和E E。 电流场中的任意闭合面内不可能有自由电荷增减的变化,电流场中的任意闭合面内不可能有自由电荷增减的变化,即即 。对于导电媒质中的恒定电流场,由任意闭合面净流。对于导电媒质中的恒定电流场,由任意闭合面净流出的电流应为零;或者说,传导电流连续。出的电流应为零;或者说,传导电流连续。 (在无源区)(在无源区)0tq0SdSJc0
2、VdVcJ0c J0ldlE0EEJc导电媒质中导电媒质中(电源区域外电源区域外)恒定电场具有)恒定电场具有无散无旋场无散无旋场。 E = 2 = 0 拉普拉斯方程拉普拉斯方程 引入标量电位函数引入标量电位函数 ( (r)r)作为辅助场量作为辅助场量 例例3-13-1:设一扇形导电片,:设一扇形导电片,如图所示,给定两端面电如图所示,给定两端面电位差为位差为U U0 0。试求导电片内。试求导电片内电流场分布及其两端面间电流场分布及其两端面间的电阻。的电阻。图 扇形导电片中的恒定电流场 解解 :采用圆柱坐标系,设待求场量为电位:采用圆柱坐标系,设待求场量为电位 ,其边值问题为:,其边值问题为:0
3、022220,01,UDz0U故导电片内的电位故导电片内的电位 :电流面密度分布为:电流面密度分布为:eeEJ00UUcablntUtdJIbacSc0dSJ厚度为厚度为t t的导电片两端面的电阻为:的导电片两端面的电阻为: ablnttdUUdUIURbaSceeSJ00002 2电功率电功率在恒定电流场中,沿电流方向截取一段元电流管,如图所示。在恒定电流场中,沿电流方向截取一段元电流管,如图所示。该元电流管中的电流密度该元电流管中的电流密度J J可认为是均匀的(可认为是均匀的(E E,F F不变),其不变),其两端面分别为两个等位面。在电场力作用下,两端面分别为两个等位面。在电场力作用下,
4、dtdt时间内有时间内有dqdq电荷自元电流管的左端面移至右端面,则电场力作功为:电荷自元电流管的左端面移至右端面,则电场力作功为: dW =Fdl=Edl dq= dU dq图 电功率的推导外电源提供的电功率为:外电源提供的电功率为: EJdVdddIdUdtdqdUdtdWdPSJlE故恒定电流场的电功率体密度:故恒定电流场的电功率体密度:22ddJEEJVPpp = = E E J J(E E、J J方向一致,焦耳楞次定律的微分形式方向一致,焦耳楞次定律的微分形式 P=UI P=UI)3 3不同媒质分界面上的边界条件不同媒质分界面上的边界条件类同于静电场的讨论类同于静电场的讨论 qdSS
5、D0d llED2n-D1n= E1t = E2t (1 1)两种不同导电媒质分界面上的边界条件:)两种不同导电媒质分界面上的边界条件: 0sdSJJ1n= J2n en (J2J1)=0 0d llEE1t= E2t en(E2E1)=0 对于线性且各向同性的两种导电媒质,有如下类比于静对于线性且各向同性的两种导电媒质,有如下类比于静电场的折射定律。电场的折射定律。导体2121tgtg电介质2121tgtg图 由良导体(1)到不良导体(2)的电流流向P1J2en2J121(2 2)良导体与不良导体分界面上)良导体与不良导体分界面上的边界条件:的边界条件:当电流从良导体(比如:铜)流向不当电流
6、从良导体(比如:铜)流向不良导体(比如:土壤)时,如图所示,良导体(比如:土壤)时,如图所示,设设 1 1 2 2,即,即 2121tgtg000001112122222tttttttEJ ,EE,JEJ只要只要 1 1 9090 ,就有,就有 2 2 0 0。这表明,当电流由良导体侧流。这表明,当电流由良导体侧流向不良导体侧时,电流线总是垂直于不良导体向不良导体侧时,电流线总是垂直于不良导体( ( 2 2 0)0)。 0012211122121ttnnnnnnEEEJEE,JJ不计良导体内部的电压降(电场强度仅有不计良导体内部的电压降(电场强度仅有E E2n2n),把良导体),把良导体表面可
7、近似看作为等位面。表面可近似看作为等位面。 接地器:钢的电导率为接地器:钢的电导率为 5 5 10 106 6 s/ms/m,土壤为,土壤为1010-2 -2 s/ms/m,所以,所以, 1 1=89=89。59 59 , 2 2=8=8 0 0(3 3)导体与理想介质分界面上的边界条件:)导体与理想介质分界面上的边界条件: 图 输电线电场示意图+UE2tE2nE2E2E2tE2nJc1Jc112000000001112121222121222ttcttnncnnncnctcncEJ ,EEE,JE,EJJJJ图 两种有损电介质的分界面PJ2J12, 21, 1(4 4)两种有损电介质分界面上
8、的边界条件(高压大容量设)两种有损电介质分界面上的边界条件(高压大容量设备:电缆、电容器):备:电缆、电容器):介质内有漏电流存在(如:被击穿),介质既有电容特性,介质内有漏电流存在(如:被击穿),介质既有电容特性,又有电导特性。又有电导特性。 nnnnEJEJ222111nnnnEEDD112212E1t= E2t nJ2212112只有当两种媒质参数满足只有当两种媒质参数满足 条件时,条件时, =0=02112 例例3-23-2:设一平板电容器由两层非理想介质串联构成,如:设一平板电容器由两层非理想介质串联构成,如图所示。其介电常数和电导率分别为图所示。其介电常数和电导率分别为 1 1,
9、1 1和和 2 2, 2 2,厚度,厚度分别为分别为d d1 1和和d d2 2,外施恒定电压,外施恒定电压U U0 0,忽略边缘效应。试求:,忽略边缘效应。试求:(1)(1)两层非理想介质中的电场强度;两层非理想介质中的电场强度;(2)(2)单位体积中的电场单位体积中的电场能量密度及功率损耗密度;能量密度及功率损耗密度;(3)(3)两层介质分界面上的自由两层介质分界面上的自由电荷面密度。电荷面密度。图 非理想介质的平板电容器中的恒定电流场2, 21, 1U0d2d1 解解 :本例中既有静电场特性:本例中既有静电场特性(wewe , ),也有恒定电流场特性),也有恒定电流场特性(p, p, )
10、。)。(1) (1) 忽略边缘效应,可以认为电忽略边缘效应,可以认为电容器中电流线与两介质交界面相容器中电流线与两介质交界面相垂直,用边界条件垂直,用边界条件 2211EE02211UdEdE1221021ddUE1221012ddUE211211eEw222212eEw2111Ep2222Ep0122121122212112UddJ 1 1静电比拟静电比拟将均匀导电媒质中的恒定电场与无源区中均匀介质内的静将均匀导电媒质中的恒定电场与无源区中均匀介质内的静电场相比较电场相比较均匀导电媒质中的恒定电场均匀导电媒质中的恒定电场无源区中均匀介质中的静电场无源区中均匀介质中的静电场2 = 02 = 0
11、0cJ0D- 0EE- 0EEEJcEDSdISJcSdqSDl对应的物理量对应的物理量静电场静电场 ( ) ED qC恒定电场恒定电场EJ IG0n只要两者对应的边界条件相同,则恒定电流场中电位只要两者对应的边界条件相同,则恒定电流场中电位 、电、电场强度场强度E E和电流密度和电流密度J Jc c的分布将分别与静电场中的电位的分布将分别与静电场中的电位 、电场强度电场强度E E和电位移矢量和电位移矢量D D的分布相一致(静电比拟法的分布相一致(静电比拟法 )。)。 2121两种场在分界面上的两种场在分界面上的J Jc c 线与对应的线与对应的D D线折射情况相同线折射情况相同 可以利用电容
12、的计算方法计算电导或电阻,反之亦然。可以利用电容的计算方法计算电导或电阻,反之亦然。 CGlSlSddddUIGlESElESJclSlSddddUqClESElESD静电比拟:由以上的相似原理,可以把一种场的计算静电比拟:由以上的相似原理,可以把一种场的计算 和实验结果,推广应用于另一种场。和实验结果,推广应用于另一种场。电流场模拟的方法电流场模拟的方法 例例3-33-3:内外导体半径分别为:内外导体半径分别为a a和和b b的同轴电缆,如图所示的同轴电缆,如图所示导体间外施电压导体间外施电压U U0 0。试求其因绝缘介质不完善而引起的。试求其因绝缘介质不完善而引起的电缆内的泄漏电流密度及其
13、单位长绝缘电阻。电缆内的泄漏电流密度及其单位长绝缘电阻。2cIJl(1 1)解法一:恒定电场分析法)解法一:恒定电场分析法电场强度电场强度E E和泄漏电流密度和泄漏电流密度J Jc c均均只有径向分量,作一半径为只有径向分量,作一半径为 的的同轴单位圆柱面,且令同轴单位圆柱面,且令l长泄漏长泄漏电流为电流为I I,则,则 图 同轴电缆中的泄漏电流SBAPb, U0oaJc2IEl 2IEl eJabUln0cAB0dln2baIbUUEla01ln2UbRIla(2 2)解法二:静电比拟法)解法二:静电比拟法在同轴电缆分析中在同轴电缆分析中, ,已求得电场强度为已求得电场强度为02lnlCbU
14、a0abUeElnba0abUeEJclnba111ln2lbRGC lla 2 2接地电阻接地电阻接地技术是保障人身和设备的一项电气安全措施,为电力接地技术是保障人身和设备的一项电气安全措施,为电力系统正常工作提供了零电位基准参考点。计算接地体的接系统正常工作提供了零电位基准参考点。计算接地体的接地电阻是恒定电场计算的一项重要工作。地电阻是恒定电场计算的一项重要工作。 给定时刻工频交流电力系统场分布的分析方法与结论全同于静态场。给定时刻工频交流电力系统场分布的分析方法与结论全同于静态场。接地器:在工程上,为了接地,将金属导体埋于地内,将系统中接地器:在工程上,为了接地,将金属导体埋于地内,将
15、系统中需要接地的部分与该导体相连接,这种埋入地内的导体系统称为需要接地的部分与该导体相连接,这种埋入地内的导体系统称为接地器。接地器。如三相高压变压器中性点工作接地。如三相高压变压器中性点工作接地。接地电阻:电流在流经大地时遇到的电阻,包括接地器本身的电阻、接地电阻:电流在流经大地时遇到的电阻,包括接地器本身的电阻、接地导线的电阻、接地器和大地之间的接触电阻,以及两接地器之接地导线的电阻、接地器和大地之间的接触电阻,以及两接地器之间土壤的电阻。间土壤的电阻。下面计算图示埋于大地的半球形接地体的接地电阻。由镜象法得:下面计算图示埋于大地的半球形接地体的接地电阻。由镜象法得: 当当rara时时 r
16、i,riE,riJ, iJrrcc2drE2224222(a) 电流线J的分布 (b) 镜象法图示 图 半球形接地器 土壤土壤aai2i土壤由良导体与不良导体边界面条由良导体与不良导体边界面条件,良导体球内部场强与外部件,良导体球内部场强与外部土壤场强相比很小,所以我们土壤场强相比很小,所以我们可以把导体球看作等势体,当可以把导体球看作等势体,当rara时,有时,有 ai2aadrriiiuGR212112aG2对于深埋入地下的导体球形接地器,相当于上图对于深埋入地下的导体球形接地器,相当于上图(b)(b)中中的情形,的情形,2i i 2i i 。aG4 3 3跨步电压跨步电压电力系统接地体一
17、旦有电流通过,由于接地电阻的存在,电力系统接地体一旦有电流通过,由于接地电阻的存在,在地面上存在电位分布。此时,人体跨步的两足之间的在地面上存在电位分布。此时,人体跨步的两足之间的电压称为跨步电压。当跨步电压超过允许值时,将威胁电压称为跨步电压。当跨步电压超过允许值时,将威胁人的生命。人的生命。 aobrIJAB rP图 跨步电压与危险区的分析 ri2r2AB2112rIbrbrIU设设U U0 0为人体安全的临界跨步电压为人体安全的临界跨步电压(通常小于(通常小于5050 70V70V),可以确定危),可以确定危险区半径险区半径r r0 0为为 002UIbr00abIRrU3 33 3 恒
18、定磁场的基本方程与场的特性恒定磁场的基本方程与场的特性1 1恒定磁场的基本方程恒定磁场的基本方程安培环路定律:安培环路定律: lsSiccJHdSJHdlH磁通连续性原理:磁通连续性原理: 00BBdSBSVdV媒质的构成方程为:媒质的构成方程为: HBmH /10470有旋无散性有旋无散性 类比的方法类比的方法类比静电场类比静电场2 2真空中的安培环路定律真空中的安培环路定律. .恒定磁场的有旋性恒定磁场的有旋性c0JB图 环量 与励磁电流I间关系说明图(P126,图3-13)I3I1lI2I40SllBd源于电流的磁场具有旋涡场的源于电流的磁场具有旋涡场的特性,表明了磁力线与电流源特性,表
19、明了磁力线与电流源之间相互交链的基本特征。之间相互交链的基本特征。 n1kk0S0lIddSJlBc)(3210lIIIdlBB B是场中所有励磁电流共同产生的效应,而是场中所有励磁电流共同产生的效应,而B B的环量仅与闭合曲线的环量仅与闭合曲线所包围的场源相关(与所包围的场源相关(与I I4 4无关)。无关)。 3 3磁通连续性原理磁通连续性原理. .恒定磁场的无散性恒定磁场的无散性磁力线是无头无尾的闭合曲线,即磁通连续性原理。没有孤磁力线是无头无尾的闭合曲线,即磁通连续性原理。没有孤立磁荷,磁力线总是自身闭合,且与电流线相互交链。立磁荷,磁力线总是自身闭合,且与电流线相互交链。 4 4毕奥
20、萨伐尔定律毕奥萨伐尔定律( )( )( ) B rrA r( )0r V0VdR4rJrAc)( V0Vd41rrrBr)( VcVVdRVdJ4410rrrBrA( )( ) B rA r自由空间中任意点的磁感应强度等于该点矢量函数自由空间中任意点的磁感应强度等于该点矢量函数A A的旋度。的旋度。若已知若已知Jc(r)Jc(r),可以先计算矢量磁位,可以先计算矢量磁位A A,然后再通过计算,然后再通过计算A A旋旋度计算磁感应强度度计算磁感应强度B B。 V0VdR4rJArBc)( 2Rcc2RRRR1R1RerJrJerJrJrJccc)()(在恒定电流电场中在恒定电流电场中J Jc c
21、和和E E都是无散无旋的。都是无散无旋的。 体电流体电流J Jc c: 面电流面电流K K: 线电流线电流I I: V2R0VdR4erJrBc)( S2R0SdR4erKrB)(l2R0RId4elrB)(3 34 4 自由空间中的磁场自由空间中的磁场( )B r自由空间中的恒定磁场问题,分析研究的首要任务即:自由空间中的恒定磁场问题,分析研究的首要任务即: 在给定源量的作用下求其基本场量在给定源量的作用下求其基本场量磁感应强度磁感应强度 的空间分布。的空间分布。( )J r( )A r( )B r( )B r( )J r1 1 场分布:基于场量场分布:基于场量 的分析的分析( )B r思路
22、一:由毕奥萨伐尔定律,利用矢量积分直接计算。思路一:由毕奥萨伐尔定律,利用矢量积分直接计算。 类比静电场,先离散化整体电流分布为典型的元电流类比静电场,先离散化整体电流分布为典型的元电流 分布的组合,求出相应于元电流场中元磁感应强度的解答,分布的组合,求出相应于元电流场中元磁感应强度的解答, 然后应用叠加定理,合成所有元电流的贡献,求得场分布。然后应用叠加定理,合成所有元电流的贡献,求得场分布。 V2R0VdR4erJrBc)(l2R0RId4elrB)( S2R0SdR4erKrB)(思路二:利用真空中的安培环路定律,对具有对称性场分布思路二:利用真空中的安培环路定律,对具有对称性场分布 特
23、征的磁场问题进行直接计算。特征的磁场问题进行直接计算。 如果能够找到一条闭合曲线如果能够找到一条闭合曲线l l,在该曲线上,各点的,在该曲线上,各点的 磁感应强度的数值相等,且其方向与积分元方向有不变的磁感应强度的数值相等,且其方向与积分元方向有不变的 夹角关系。夹角关系。c0JBn1kk0S0lIddSJlBc 例例3-43-4:计算真空中载流:计算真空中载流I I 的有限长直导线所引起的磁感的有限长直导线所引起的磁感应强度。应强度。 图 有限长直线电流I的磁场(a) 场点P距端点垂直距离为(b) 任意场点P1、P2和P3的位置示意图zLdzIIdz(dz,eR)RP(,0,0)eRzz1I
24、P1P2P312212312o解:首先,计算图解:首先,计算图(a)(a)所示场点所示场点P P处的处的B B;然后,推广至图;然后,推广至图(b)(b)所示任意场点所示任意场点P1P1、P2P2和和P3 P3 处的处的B B的计算。的计算。 (1) (1)场点场点 P P处的磁感应强度处的磁感应强度采用圆柱坐标系,取元电流采用圆柱坐标系,取元电流I Id dz z ,在点,在点P P处产生的处产生的d dB B为为 eeezezB2322022R02R0zzd4Izdzd4IRd4Id,sinesin4e4e400220022023IzzIzzdILLB(2)(2)场点场点P1P1、P2 P
25、2 和和P3 P3 处的磁感应强度处的磁感应强度 esinsin42110P1IBe4B2120P2sinsinIesinsin42130P3 IB(3)(3)推论:对于推论:对于P1P1点,若点,若LL,则,则B B为为 eeB2I224I00sinsinz1IP1P2P312212312 例例3-73-7:计算真空中半径为:计算真空中半径为a a,载流为载流为I I的无限长直圆柱导体的无限长直圆柱导体内部和外部的磁场。内部和外部的磁场。(a) 长直圆柱形铜导体截面(b) 导体内、外|B|的变化曲线I00aloBao图 无限长直圆柱形载流导体的磁场 解解 :应用安培环路定律,得:应用安培环路
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